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title: "📰 📌据半导体行业 20 日消息，Groq 正在考虑在下一代芯片中应用 3D 封装技术，即采用 DRAM 代替现有的 SRAM。 📌与 2D 方式相比，该技术在"
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# 📰 📌据半导体行业 20 日消息，Groq 正在考虑在下一代芯片中应用 3D 封装技术，即采用 DRAM 代替现有的 SRAM。 📌与 2D 方式相比，该技术在

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## 正文

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📌据半导体行业 20 日消息，Groq 正在考虑在下一代芯片中应用 3D 封装技术，即采用 DRAM 代替现有的 SRAM。
📌与 2D 方式相比，该技术在缩小面积的同时还能提高能效。
📌据悉，Groq 采用的方式为 。
📌3DS 是通过硅通孔（TSV）技术将 DRAM 芯片垂直连接的高容量封装。
📌虽然在采用 TSV 这一点上与高带宽内存（HBM）相似，但 HBM 侧重于数据传输速度，而 3DS 则是在保持现有 DRAM 接口的同时，专注于扩大容量。
📌半导体行业相关人士 A 表示：“Groq 计划在下一代芯片中引入 3D 封装，内容是堆叠 DRAM，而非现有的 SRAM。”
📌业界分析认为，Groq 的尝试旨在大幅增加芯片容量。
📌SRAM 速度快但容量小，而 DRAM 虽然相对较慢，但在实现大容量方面更具优势。
📌另一位相关人士 B 分析称：“由于整个市场正朝着追求大芯片的方向发展，Groq 似乎也选择了在容量方面具有优势的 DRAM。”
📌Groq 是由谷歌张量处理单元（TPU）设计者乔纳森・罗斯（Jonathan Ross）于 2016 年创立的 AI 半导体初创公司。
📌该公司去年已被英伟达间接收购。

## 总体总结

主题正文
1. 📌据半导体行业 20 日消息，Groq 正在考虑在下一代芯片中应用 3D 封装技术，即采用 DRAM 代替现有的 SRAM。
2. 📌与 2D 方式相比，该技术在缩小面积的同时还能提高能效。
3. 📌3DS 是通过硅通孔（TSV）技术将 DRAM 芯片垂直连接的高容量封装。
4. 📌虽然在采用 TSV 这一点上与高带宽内存（HBM）相似，但 HBM 侧重于数据传输速度，而 3DS 则是在保持现有 DRAM 接口的同时，专注于扩大容量。
5. 📌半导体行业相关人士 A 表示：“Groq 计划在下一代芯片中引入 3D 封装，内容是堆叠 DRAM，而非现有的 SRAM。
6. 📌SRAM 速度快但容量小，而 DRAM 虽然相对较慢，但在实现大容量方面更具优势。
7. 📌另一位相关人士 B 分析称：“由于整个市场正朝着追求大芯片的方向发展，Groq 似乎也选择了在容量方面具有优势的 DRAM。
8. 📌Groq 是由谷歌张量处理单元（TPU）设计者乔纳森・罗斯（Jonathan Ross）于 2016 年创立的 AI 半导体初创公司。