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title: "核心观点：从需求端看，AIN陶瓷相关制品应用领域从光模块向GPU散热方向演进；从供给端看，氧化钇限制下，格局从日本主导转向国产替代， 供需极度不平衡有望在今明两"
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# 核心观点：从需求端看，AIN陶瓷相关制品应用领域从光模块向GPU散热方向演进；从供给端看，氧化钇限制下，格局从日本主导转向国产替代， 供需极度不平衡有望在今明两

- 序号：384
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## 正文

核心观点：从需求端看，AIN陶瓷相关制品应用领域从光模块向GPU散热方向演进；从供给端看，氧化钇限制下，格局从日本主导转向国产替代， 供需极度不平衡有望在今明两年逐渐体现，具体如下：
第一，GPU-PCB混压陶瓷基板有望在NV Rubin中放量，带来氮化铝制品新需求。 陶瓷基板散热主要系随着GPU功率提升到1000w以上，增加向下散热途径，核心方案为在OAM-PCB中内嵌AIN氮化铝，难点在于新一代GPU为主芯粒+多颗HBM封装方式下，芯片核心发热区域尺寸在80mm+，单块陶瓷基板有效使用面积需要突破100mm。 假设NV Rubin27年出10w机柜，单 GPU对应1片陶瓷基板，单片价值量5k对应市场空间360e，假设陶瓷基板尺寸为148mm×210mm，厚度0.6mm，则单片粉体需求量195g， 明年仅Rubin氮化铝粉体需求1400t，陶瓷基板市场规模360e。
第二，光模块需求坚挺，打开氮化铝制品空间 光模块内陶瓷制品包括热沉片、陶瓷基板与陶瓷管壳，前两者为散热作用，管壳主要起封装作用。 从结构上看，光芯片下面直接贴一层热沉片作为封装散热底座，封装底座下方为Micro‑TEC 制冷片，Micro‑TEC 制冷片是由陶瓷基板是和碲‑铋热电颗粒封装形成的散热产品。 从需求上看，假设2027年800G出货13000万、1.6T出货9000万，800G 50%用氮化铝，单只1.6T陶瓷粉体需求量20g（基板15g+管壳5g），单只800g12g，单位价值量分别为280/140元对应 27年氮化铝粉体需求2580t，陶瓷制品市场规模343e。
第三，供给端，陶瓷基板需要添加中重稀土氧化钇作为烧结助剂，中国产能占全球90%+，对日出口管控下，海外价格暴涨十倍以上。日企生产严重受限，以德山为例，库存仅够2-3个月。当前日本高端产能1200t/年，扩产难度大，甚至有可能全线收缩，类比氧化锆。

## 总体总结

主题正文
1. 核心观点：从需求端看，AIN陶瓷相关制品应用领域从光模块向GPU散热方向演进；
2. 陶瓷基板散热主要系随着GPU功率提升到1000w以上，增加向下散热途径，核心方案为在OAM-PCB中内嵌AIN氮化铝，难点在于新一代GPU为主芯粒+多颗HBM封装方式下，芯片核心发热区域尺寸在80mm+，单块陶瓷基板有效使用面积需要突破100mm。
3. 假设NV Rubin27年出10w机柜，单 GPU对应1片陶瓷基板，单片价值量5k对应市场空间360e，假设陶瓷基板尺寸为148mm×210mm，厚度0.6mm，则单片粉体需求量195g， 明年仅Rubin氮化铝粉体需求1400t，陶瓷基板市场规模360e。
4. 第二，光模块需求坚挺，打开氮化铝制品空间 光模块内陶瓷制品包括热沉片、陶瓷基板与陶瓷管壳，前两者为散热作用，管壳主要起封装作用。
5. 从结构上看，光芯片下面直接贴一层热沉片作为封装散热底座，封装底座下方为Micro‑TEC 制冷片，Micro‑TEC 制冷片是由陶瓷基板是和碲‑铋热电颗粒封装形成的散热产品。
6. 从需求上看，假设2027年800G出货13000万、1.6T出货9000万，800G 50%用氮化铝，单只1.6T陶瓷粉体需求量20g（基板15g+管壳5g），单只800g12g，单位价值量分别为280/140元对应 27年氮化铝粉体需求2580t，陶瓷制品市场规模343e。
7. 第三，供给端，陶瓷基板需要添加中重稀土氧化钇作为烧结助剂，中国产能占全球90%+，对日出口管控下，海外价格暴涨十倍以上。
8. 当前日本高端产能1200t/年，扩产难度大，甚至有可能全线收缩，类比氧化锆。