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# 📒 想看更多请加V：xian20210130 🤖据四位了解相关计划的人士透露，三星电子以及 SK 海力士正在升级自身的中国工厂，用于生产更加先进的存储芯片。 🤖

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## 正文

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想看更多请加V：xian20210130
🤖据四位了解相关计划的人士透露，三星电子以及 SK 海力士正在升级自身的中国工厂，用于生产更加先进的存储芯片。
🤖🤝此番升级有两重目的，一方面应对快速崛起的中国竞争对手带来的竞争压力，另一方面满足人工智能领域庞大的市场需求。
🤖自 2022 年美国开始针对部分芯片制造设备实施出口管制，试图阻碍中国技术进步之后，对于这两家韩国半导体巨头来说，该如何对中国业务进行投资就变成一件棘手的事情。
🤖。
🤖美国商务部工业与安全局曾在 2025 年表态，不打算批准外国芯片制造公司在中国境内工厂开展技术升级、产能扩张的许可申请。
🤖这一系列监管层面的难题，限制了两家公司改造工厂的操作空间，也造成部分市场份额被长江存储抢占。
🤖韩国这两家芯片公司的高管已经公开发出警告，地缘政治紧张局势正在损害它们在中国开展的业务。
🤖三星向路透社发送声明，确认工厂升级工作正在推进，整个升级过程都和华盛顿方面密切沟通协商。
🤖SK 海力士表示，自己正在中国东北的大连工厂开展设备安装工作，相关操作同样经过和美国政府的协商。
🤖两家公司均没有披露本篇报道首次曝光的这份生产计划相关细节。
🤖不过路透社无法确认，美国监管机构究竟在多大程度上批准了三星、SK 海力士本次升级所需的设备出口许可。
🤖据相关知情人士透露，两家公司正努力在中国工厂生产层数 200 层以上的 NAND 闪存芯片。
🤖🤔但目前中国工厂产出芯片的先进程度，仍然比不上两家公司在韩国本土生产的产品。
🤖NAND 闪存属于断电之后依旧可以保存数据的存储芯片，广泛应用于智能手机、个人电脑以及人工智能数据中心所使用的固态硬盘。
🤖。
🤖本篇报道发布之后，周三交易日，三星与 SK 海力士的股价收盘均上涨 6%。
🤖
🤖据两名知情人士介绍，三星坐落于中国西北的西安工厂，产出占公司全球 NAND 闪存总产出大约 40%，现阶段该工厂生产约 200 层的芯片。
🤖知情人士称，内部代号叫 “Monami”（法语含义为我的朋友）的改造项目，会把西安工厂改造为可以生产 286 层 V9 NAND 芯片的产线。
🤖项目目标，在今年 12 月实现月产出 5000 片晶圆；到 2027 年 12 月，月产出进一步提升至 40000 片晶圆。
🤖三星对外表示，本次升级符合美国出口相关法规。
🤖三星补充说明：本次升级目的是满足包含美国客户在内的全球客户日益增长的需求；。
🤖
🤖三名知情人士透露，SK 海力士计划让大连工厂切换生产 240 层或者更高层数的 NAND 产品。
🤖一名消息人士表示，大连工厂当前生产的是 192 层的芯片产品。
🤖SK 海力士在 2021 年收购英特尔 NAND 业务的同时接手大连这座工厂，这座工厂至今仍是该 NAND 业务板块唯一的芯片制造基地。
🤖路透社上个月曾经报道，如今已经改名为 Solidigm 的这块业务，正筹备在美国开展首次公开募股。
🤖一位消息人士称，该公司已经拿到许可，可以在大连生产最高 240 层的芯片。
🤖公司有可能向华盛顿申请许可，在大连开展 300 层以上芯片的研发，为未来在美国建厂生产做好技术铺垫。
🤖该公司目前正和特朗普政府商讨在美国新建一座 NAND 芯片工厂的相关计划。
🤖美国商务部工业与安全局没有直接回应路透社提出的、关于韩国芯片公司许可审批状态的相关问题。
🤖该局指引路透社参考其 2025 年发布的声明：只打算许可这些公司维持中国现有工厂运营，不会批准产能扩张以及技术升级。
🤖
🤖就在三星、SK 海力士还在权衡对中国工厂投入规模的时候，长江存储已经取得长足发展。
🤖调研机构 Omdia 的数据显示，长江存储第二季度在中国 NAND 闪存市场拿下，对比 2025 全年 28% 的占比实现提升，份额已经超过三星。
🤖反观三星市场份额由 36% 下滑至 33.5%；SK 海力士份额从 20% 下滑到 17%。
🤖两名独立知情人士表示，长江存储主力产品为 160 层、232 层 NAND 芯片，同时小批量生产 294 层芯片，并且规划研发制造层数超过 300 层的产品。
🤖长江存储没有回复路透社的置评请求。
🤖在中国境外市场，三星对外售卖最高 286 层的 NAND 芯片，并且在 8 月对外公布层数超 400 层的 NAND 芯片原型产品；SK 海力士对外销售最高 321 层的 NAND 芯片。

## 总体总结

主题正文
1. 🤖自 2022 年美国开始针对部分芯片制造设备实施出口管制，试图阻碍中国技术进步之后，对于这两家韩国半导体巨头来说，该如何对中国业务进行投资就变成一件棘手的事情。
2. 🤖美国商务部工业与安全局曾在 2025 年表态，不打算批准外国芯片制造公司在中国境内工厂开展技术升级、产能扩张的许可申请。
3. 🤖据两名知情人士介绍，三星坐落于中国西北的西安工厂，产出占公司全球 NAND 闪存总产出大约 40%，现阶段该工厂生产约 200 层的芯片。
4. 🤖知情人士称，内部代号叫 “Monami”（法语含义为我的朋友）的改造项目，会把西安工厂改造为可以生产 286 层 V9 NAND 芯片的产线。
5. 🤖SK 海力士在 2021 年收购英特尔 NAND 业务的同时接手大连这座工厂，这座工厂至今仍是该 NAND 业务板块唯一的芯片制造基地。
6. 🤖调研机构 Omdia 的数据显示，长江存储第二季度在中国 NAND 闪存市场拿下，对比 2025 全年 28% 的占比实现提升，份额已经超过三星。
7. 🤖两名独立知情人士表示，长江存储主力产品为 160 层、232 层 NAND 芯片，同时小批量生产 294 层芯片，并且规划研发制造层数超过 300 层的产品。
8. 🤖在中国境外市场，三星对外售卖最高 286 层的 NAND 芯片，并且在 8 月对外公布层数超 400 层的 NAND 芯片原型产品；
