--- title: "UBS memory monthly：存储半导体“担忧之墙”是否合理？ 瑞银认为，市场对存储行业的担忧总体偏过度。虽然三星扩产、长鑫存储推进4F² DRAM，以" topic_id: 45548525184458258 created_at: 2026-10-18T22:32:38.015+0800 source: zsxq type: topic cssclasses: zsxq-vault --- # UBS memory monthly：存储半导体“担忧之墙”是否合理？ 瑞银认为，市场对存储行业的担忧总体偏过度。虽然三星扩产、长鑫存储推进4F² DRAM，以 - 序号：038 - 星球链接：[打开网页](https://wx.zsxq.com/group/15522451881222/topic/45548525184458258) - 附件：图片 0，音频 0，文档 0 - 音频文件：_无音频_ ## 图片 _无图片_ ## 正文 UBS memory monthly：存储半导体“担忧之墙”是否合理？ 瑞银认为，市场对存储行业的担忧总体偏过度。虽然三星扩产、长鑫存储推进4F² DRAM，以及部分AI芯片下调HBM配置，引发供给过剩担忧，但这些因素短期内不足以扭转DRAM和NAND的紧张格局。 存储股已较9月高点回调约19%，基本回到7月低点。瑞银覆盖公司的2027—2030年平均自由现金流收益率约29%，预计行业强劲现金流将推动更多股东回报，因此继续看好整个板块。 CXMT的4F²短期不构成供给冲击 长鑫存储计划在年底前“推出”4F² VCAT DRAM，但瑞银判断，这更可能是研发完成或样品发布，而非大规模量产。公司2027年的主要任务仍是爬坡6F² G5（1a nm）工艺。 4F²架构理论上可以在相同线宽下将存储密度提高约50%，但沉积、选择性外延和良率控制难度较高。一条新的DRAM技术路线通常需要至少三代工艺迭代，才能充分优化效率、性能和成本。 瑞银预计，CXMT的DRAM位元份额将由2026年的约8.3%升至2027年的9.0%。其份额仍在增长，但短期内不足以改变全球DRAM供需方向。 HBM降规格不等于AI需求转弱 部分AI芯片由12层HBM下调至8层，主要原因并不是AI芯片需求下降，而是服务器DDR5和SOCAMM订单快速增长，挤占了DRAM厂商可用于生产HBM的产能。 瑞银预计，2027年Nvidia Vera CPU带来的SOCAMM需求将超过500亿Gb，规模大于PC DRAM与图形显存需求之和。在这种情况下，DRAM厂商下调部分HBM产品规格几乎不可避免。 即便如此，2027年HBM位元出货量仍预计增长约49%，终端需求增长约91%至615亿Gb，而供给约为546亿Gb，整体仍然供不应求。 Nvidia VR300预计先采用8-Hi HBM4，之后转向HBM4E；Feynman和Google TPU v9可能采用8-Hi或12-Hi。部分推理型ASIC则可能只配置4-Hi HBM。 HBM容量下降还会把部分数据转移到外部存储，增加KV Cache及Nvidia CMX等场景的NAND需求。因此，HBM降规格反而可能利好企业级SSD。 AI存储需求正从HBM扩散至DDR和NAND 瑞银预计，2027年全球AI GPU及加速器出货量约2,849万颗，同比增长68%。 服务器DRAM位元需求预计增长83.1%，单台服务器平均DRAM容量由2026年的927GB升至2027年的1,455GB，同比增长57%。其中，AI服务器平均内存容量预计由约9TB进一步提升至14.8TB。 NAND方面，服务器SSD位元需求预计2026年增长88%，2027年继续增长55%。AI基础设施带来的存储需求已经不再局限于HBM，而是扩散至服务器DDR、SOCAMM及企业级SSD。 HBM客户结构也趋于多元。Nvidia的需求占比预计由2026年的58%降至2027年的41%；Google由18%升至31%，AMD由7%升至12%。行业对单一客户的依赖有所下降。 供需和价格仍处于上行周期 2027年DRAM位元供给预计增长24.4%，终端需求增长38.9%，供给充足率为-5.0%，意味着行业仍存在约5%的供给缺口。 其中，服务器是最主要的需求来源。服务器DDR需求快速增长，而PC DRAM需求基本持平，手机DRAM需求仅增长约3%。 NAND位元供给和需求在2027年分别增长22.8%和23.7%，供给充足率约为-1.1%。虽然紧张程度低于2026年，但行业仍未进入明显过剩状态。 瑞银预计，2027年DRAM综合ASP同比上涨45%，DDR ASP上涨约41%，HBM ASP上涨约80%。这意味着未来盈利增长不仅来自出货量，也高度依赖价格继续上行。 三星扩产的影响可能推迟至2028年末 三星DRAM月产能预计由2026年四季度的约70万片，提高至2027年四季度的82万片，净增加12万片，主要来自P4完成爬坡以及P5-1自2027年7月开始导入设备。 进入2028年后，三星可能进一步扩充P5-1，并对P2、P3进行去瓶颈，全年新增DRAM月产能可能超过15万片。 不过，从洁净室启用、设备导入到良率爬坡需要较长时间。瑞银判断，这些新增产能真正影响行业供需，可能要等到2028年末。 ## 总体总结 主题正文 1. 虽然三星扩产、长鑫存储推进4F² DRAM，以及部分AI芯片下调HBM配置，引发供给过剩担忧，但这些因素短期内不足以扭转DRAM和NAND的紧张格局。 2. 部分AI芯片由12层HBM下调至8层，主要原因并不是AI芯片需求下降，而是服务器DDR5和SOCAMM订单快速增长，挤占了DRAM厂商可用于生产HBM的产能。 3. 即便如此，2027年HBM位元出货量仍预计增长约49%，终端需求增长约91%至615亿Gb，而供给约为546亿Gb，整体仍然供不应求。 4. 瑞银预计，2027年全球AI GPU及加速器出货量约2,849万颗，同比增长68%。 5. 服务器DRAM位元需求预计增长83.1%，单台服务器平均DRAM容量由2026年的927GB升至2027年的1,455GB，同比增长57%。 6. NAND方面，服务器SSD位元需求预计2026年增长88%，2027年继续增长55%。 7. 2027年DRAM位元供给预计增长24.4%，终端需求增长38.9%，供给充足率为-5.0%，意味着行业仍存在约5%的供给缺口。 8. 三星DRAM月产能预计由2026年四季度的约70万片，提高至2027年四季度的82万片，净增加12万片，主要来自P4完成爬坡以及P5-1自2027年7月开始导入设备。