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title: "📑 🤔长鑫存储（未评级）公布计划推出搭载自家 4F² DRAM 架构的新一代 DDR5 RDIMM 产品，对比 6F² 架构，裸芯片净产出有望提升约。 ⚠️但我"
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# 📑 🤔长鑫存储（未评级）公布计划推出搭载自家 4F² DRAM 架构的新一代 DDR5 RDIMM 产品，对比 6F² 架构，裸芯片净产出有望提升约。 ⚠️但我

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## 正文

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🤔长鑫存储（未评级）公布计划推出搭载自家 4F² DRAM 架构的新一代 DDR5 RDIMM 产品，对比 6F² 架构，裸芯片净产出有望提升约。
⚠️但我们认为，近期市场对于该技术会冲击全球 DRAM 供给的担忧有些过度。长鑫存储是在其成熟 iy‑nm 节点上开发 4F² 技术，。
📈由于该技术大概率会采用 2‑3 片晶圆的多晶圆方案，我们预估制造成本或将抬高；同时在没有极紫外光刻机（EUV）加持的前提下，进一步进行工艺节点微缩还会面临诸多难题。
🔎综合以上判断，我们预计该技术对全球 DRAM 供给造成的影响将较为有限。
📋长鑫存储推出 4F² DRAM 架构的相关计划
📰根据新浪财经 10 月 11 日的相关消息，长鑫存储公布计划，将在 2026 年底前推出新一代 DDR5 RDIMM 产品，产品将搭载 4F² DRAM 架构以及混合弯折技术。
🔧长鑫存储自研的垂直环绕栅极（VSG）晶体管是实现本次技术迭代的核心，该晶体管将通道结构由水平改为垂直，在存储单元尺寸缩小的同时，可以改善栅极控制能力，降低漏电流。
ℹ️尽管长鑫存储对外展示了自身的技术进展，但该公司并未披露新产品商业化时间、产品良率以及大规模量产的时间节点。
🔍下一代 DRAM 技术相关说明
📐当前行业通用的存储单元架构标准为 6F²，每一个存储单元占用的面积相当于最小特征尺寸平方的六倍。
✨对比 6F² 架构，4F² 架构将存储单元面积由 6F² 缩减至 4F²，存储密度可以提升约。
📌技术带来的影响分析
❗我们认为市场上因长鑫存储 4F² 架构计划而产生的全球 DRAM 供给担忧属于过度反应。该公司基于成熟 iy‑nm 节点开发此项技术，该工艺相比头部 DRAM 供应商已经落后四代。
🚫受极紫外光刻机对华出口管制的影响，长鑫存储获取先进 EUV 设备的可能性有限；另据路透社 2026 年 6 月 19 日报道，阿斯麦表示从未向中国出货 EUV 设备。在此背景下，长鑫存储落地 4F² 技术的可行路径大概率是采用 2‑3 片晶圆的多晶圆方案。
🔬另外这项技术目前仍处在研发阶段，。
⚙️与此同时，三星与海力士会依托 EUV 设备，在更加先进的 1d‑nm、0a‑nm 节点上落地 4F² 架构。
💴虽然 4F² 架构能够把裸芯片净产出提升约 30%，但采用多晶圆方案会让制造成本上升，后续想要继续缩小工艺节点还需要 EUV 设备作为支撑。
✅综上，我们判断长鑫存储的 4F² 技术研发，对全球 DRAM 供给带来的影响有限。

## 总体总结

主题正文
1. 🤔长鑫存储（未评级）公布计划推出搭载自家 4F² DRAM 架构的新一代 DDR5 RDIMM 产品，对比 6F² 架构，裸芯片净产出有望提升约。
2. 🔎综合以上判断，我们预计该技术对全球 DRAM 供给造成的影响将较为有限。
3. 📰根据新浪财经 10 月 11 日的相关消息，长鑫存储公布计划，将在 2026 年底前推出新一代 DDR5 RDIMM 产品，产品将搭载 4F² DRAM 架构以及混合弯折技术。
4. 🔧长鑫存储自研的垂直环绕栅极（VSG）晶体管是实现本次技术迭代的核心，该晶体管将通道结构由水平改为垂直，在存储单元尺寸缩小的同时，可以改善栅极控制能力，降低漏电流。
5. 🚫受极紫外光刻机对华出口管制的影响，长鑫存储获取先进 EUV 设备的可能性有限；
6. ⚙️与此同时，三星与海力士会依托 EUV 设备，在更加先进的 1d‑nm、0a‑nm 节点上落地 4F² 架构。
7. 💴虽然 4F² 架构能够把裸芯片净产出提升约 30%，但采用多晶圆方案会让制造成本上升，后续想要继续缩小工艺节点还需要 EUV 设备作为支撑。
8. ✅综上，我们判断长鑫存储的 4F² 技术研发，对全球 DRAM 供给带来的影响有限。