---
title: "📑 🤖 我们认为新兴的基于高性能 NAND 的解决方案，包括高带宽闪存（HBF），是解决 AI 推理日益恶化内存约束的有力工具。鉴于读密集型、内存密集型 AI"
topic_id: 14425444851828212
created_at: 2026-10-13T20:10:16.589+0800
source: zsxq
type: topic
cssclasses: zsxq-vault
---

# 📑 🤖 我们认为新兴的基于高性能 NAND 的解决方案，包括高带宽闪存（HBF），是解决 AI 推理日益恶化内存约束的有力工具。鉴于读密集型、内存密集型 AI

- 序号：115
- 星球链接：[打开网页](https://wx.zsxq.com/group/15522451881222/topic/14425444851828212)
- 附件：图片 0，音频 0，文档 0
- 音频文件：_无音频_

## 图片

_无图片_

## 正文

📑

🤖
我们认为新兴的基于高性能 NAND 的解决方案，包括高带宽闪存（HBF），是解决 AI 推理日益恶化内存约束的有力工具。鉴于读密集型、内存密集型 AI 推理工作负载快速普及，到 2030 年，在 GPU 渗透率达到 15%‑50% 的假设下，该技术潜在总体可寻址市场规模可达 400‑1500 亿美元，不过该技术落地推广也面临潜在挑战。我们认为高带宽闪存内存可以通过提升 GPU 利用率，显著降低推理吞吐量的整体成本，整体推理吞吐量成本可下降约 30%，这能够为超大规模云服务商节省高达数千亿美元的资本开支。
📈在乐观情景假设下，到 2028 年末，50% 的 XPU 快速商业化搭载高带宽闪存，高带宽闪存比特出货量将占到全球 NAND 比特出货量的约 4%；但受裸片面积损耗影响，它会消耗约 9% 的全球 NAND 晶圆产能，这一格局和 HBM/DRAM 的情况类似。需要说明的是，这类基于 NAND 的解决方案在系统层面依旧还处在早期研发阶段，最终对整体 NAND 供需市场带来的影响存在较大变数，结果可能远高于或者低于上述预期。回过头看，我们依旧认为短期新增供给有限会让 NAND 供需维持紧张局面，并且高带宽闪存有可能拉长本轮行业周期的持续时间。虽然高带宽闪存是技术文献中受到最多关注的技术路线，但我们同样也关注铠侠的 XL‑Flash 以及三星的 zNAND‑O，二者是可以实现相近目标的替代技术方案。
💾我们持续看好闪迪（SNDK，买入评级）以及 SK 海力士（000660.KS），两家公司在高带宽闪存上具备技术领先优势，同时核心业务稳健，产品结构持续改善。三星电子（005930.KS，买入评级）同样处在有利位置，它拥有完备强大的 NAND 产品组合；美光（MU，中性评级）则不属于直接受益方，该公司主要聚焦 DRAM 业务，NAND 业务敞口较低。尽管我们意识到高带宽闪存大规模落地存在不少难题，但我们看好这项技术的前景，它能够显著改善系统层面的成本性能表现，尤其适配内存密集型推理工作负载。

## 总体总结

主题正文
1. 鉴于读密集型、内存密集型 AI 推理工作负载快速普及，到 2030 年，在 GPU 渗透率达到 15%‑50% 的假设下，该技术潜在总体可寻址市场规模可达 400‑1500 亿美元，不过该技术落地推广也面临潜在挑战。
2. 我们认为高带宽闪存内存可以通过提升 GPU 利用率，显著降低推理吞吐量的整体成本，整体推理吞吐量成本可下降约 30%，这能够为超大规模云服务商节省高达数千亿美元的资本开支。
3. 📈在乐观情景假设下，到 2028 年末，50% 的 XPU 快速商业化搭载高带宽闪存，高带宽闪存比特出货量将占到全球 NAND 比特出货量的约 4%；
4. 但受裸片面积损耗影响，它会消耗约 9% 的全球 NAND 晶圆产能，这一格局和 HBM/DRAM 的情况类似。
5. 需要说明的是，这类基于 NAND 的解决方案在系统层面依旧还处在早期研发阶段，最终对整体 NAND 供需市场带来的影响存在较大变数，结果可能远高于或者低于上述预期。
6. 虽然高带宽闪存是技术文献中受到最多关注的技术路线，但我们同样也关注铠侠的 XL‑Flash 以及三星的 zNAND‑O，二者是可以实现相近目标的替代技术方案。
7. 💾我们持续看好闪迪（SNDK，买入评级）以及 SK 海力士（000660.KS），两家公司在高带宽闪存上具备技术领先优势，同时核心业务稳健，产品结构持续改善。
8. 尽管我们意识到高带宽闪存大规模落地存在不少难题，但我们看好这项技术的前景，它能够显著改善系统层面的成本性能表现，尤其适配内存密集型推理工作负载。