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title: "摩根士丹利： 先进封装成了新战场：AI 芯片越做越大，光罩尺寸超 9.7 倍后，原本圆片级的 2.5D 封装装不下或太贵，台积电推面板级的 CoPoS、英特尔推"
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# 摩根士丹利： 先进封装成了新战场：AI 芯片越做越大，光罩尺寸超 9.7 倍后，原本圆片级的 2.5D 封装装不下或太贵，台积电推面板级的 CoPoS、英特尔推

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## 图片

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## 正文

摩根士丹利：
先进封装成了新战场：AI 芯片越做越大，光罩尺寸超 9.7 倍后，原本圆片级的 2.5D 封装装不下或太贵，台积电推面板级的 CoPoS、英特尔推 EMIB-T，谁装得下更大芯片谁拿订单。
磷化铟与薄膜铌酸锂是最成熟的两条路线，但磷化铟严重缺货，把机会推给薄膜铌酸锂；它损耗低、带宽超过 110 GHz，联电 6 英寸已量产、8 英寸送样并与硅光晶片整合。

翻译：🔬 
📝 📌 根据联电（UMC）的观点，与是两大最具发展前景的技术方案，二者成熟度远高于其他备选技术路线。
📝 📌 目前面临严重的产能短缺问题，这进一步助推了铌酸锂薄膜（TFLN）的发展势头。
🏭 📌 联电集团的铌酸锂薄膜（TFLN）项目于 2021 年启动，6 英寸产线已经实现量产，8 英寸产线正处于样品试制阶段。
🏭 📌 铌酸锂薄膜（TFLN）的优势包含。
⚙️ 📌 将铌酸锂薄膜（TFLN）与光子集成电路（PIC）进行集成，既是行业挑战，同时也是发展机遇。
⚙️ 📌 先进封装方案与微转移印刷技术，均被视作具备潜力的技术实现路径。
⚙️ 📌 联电正在依托自身在光子集成电路、铌酸锂薄膜以及先进封装领域的技术积累，开发这项集成技术。
💡 📌 高性能调制器（铌酸锂薄膜 / 磷化铟）的应用普及，以及光电二极管性能的提升，是影响普通非波分复用、强度调制直接检测数据中心互连（DCI）能否实现单通道 400Gbps 及以上速率落地的关键因素。
💡 📌 该技术路线与台积电主流光子集成电路技术微环谐振器（Micro Ring）的技术方向高度接近。

## 总体总结

主题正文
1. 先进封装成了新战场：AI 芯片越做越大，光罩尺寸超 9.7 倍后，原本圆片级的 2.5D 封装装不下或太贵，台积电推面板级的 CoPoS、英特尔推 EMIB-T，谁装得下更大芯片谁拿订单。
2. 磷化铟与薄膜铌酸锂是最成熟的两条路线，但磷化铟严重缺货，把机会推给薄膜铌酸锂；
3. 它损耗低、带宽超过 110 GHz，联电 6 英寸已量产、8 英寸送样并与硅光晶片整合。
4. 📝 📌 根据联电（UMC）的观点，与是两大最具发展前景的技术方案，二者成熟度远高于其他备选技术路线。
5. 🏭 📌 联电集团的铌酸锂薄膜（TFLN）项目于 2021 年启动，6 英寸产线已经实现量产，8 英寸产线正处于样品试制阶段。
6. ⚙️ 📌 将铌酸锂薄膜（TFLN）与光子集成电路（PIC）进行集成，既是行业挑战，同时也是发展机遇。
7. 💡 📌 高性能调制器（铌酸锂薄膜 / 磷化铟）的应用普及，以及光电二极管性能的提升，是影响普通非波分复用、强度调制直接检测数据中心互连（DCI）能否实现单通道 400Gbps 及以上速率落地的关键因素。
8. 💡 📌 该技术路线与台积电主流光子集成电路技术微环谐振器（Micro Ring）的技术方向高度接近。