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# 长鑫科技：349亿元投向研发与后道测试，DRAM国产替代再提速 🎉 349亿大手笔：长鑫科技拟使用超募资金合计180亿元，投建两大新项目，总投资349亿元。其中

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## 正文

长鑫科技：349亿元投向研发与后道测试，DRAM国产替代再提速

🎉 349亿大手笔：长鑫科技拟使用超募资金合计180亿元，投建两大新项目，总投资349亿元。其中技术研发项目投资241亿元，存储器晶圆后道测试基地二期项目投资108亿元。。

🎉 技术研发项目：总投资241亿元，建设周期30个月，设备购置费高达223.98亿元，占总投92.94%。长鑫已完成第一代至第四代工艺平台量产，第五代G5平台于2026年9月正式量产。2025年上半年研发费用率达23.71%，远超三星（11.74%）、SK海力士（7.39%）、美光（10.66%）同期水平。

🎉 后道测试基地二期：总投资108亿元，建设周期37个月，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试及模组组装。公司表示，随着产能提升和产品种类增多，外部封测产能不足问题逐步凸显，自建测试产能可保障供应链安全并完善IDM运营模式。

🚀 受益标的：
长鑫科技：公司受益于DRAM需求增长，根据9月2日外发报告，预计2026-2028年公司的营业收入为3262.05/4481.24/7585.82亿元，归母净利润为1544.11/2180.47/4071.42亿元，给予“买入”评级。
设备：北方华创、中微公司、拓荆科技、中科飞测等；
材料：鼎龙股份、上海新阳、南大光电；
封装：通富微电、长电科技、汇成股份。

⚠️ 风险提示：DRAM行业周期波动风险，技术研发及产能建设进度不及预期，国际贸易摩擦及设备供应风险。

## 总体总结

主题正文
1. 🎉 349亿大手笔：长鑫科技拟使用超募资金合计180亿元，投建两大新项目，总投资349亿元。
2. 其中技术研发项目投资241亿元，存储器晶圆后道测试基地二期项目投资108亿元。
3. 🎉 技术研发项目：总投资241亿元，建设周期30个月，设备购置费高达223.98亿元，占总投92.94%。
4. 2025年上半年研发费用率达23.71%，远超三星（11.74%）、SK海力士（7.39%）、美光（10.66%）同期水平。
5. 🎉 后道测试基地二期：总投资108亿元，建设周期37个月，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试及模组组装。
6. 公司表示，随着产能提升和产品种类增多，外部封测产能不足问题逐步凸显，自建测试产能可保障供应链安全并完善IDM运营模式。
7. 长鑫科技：公司受益于DRAM需求增长，根据9月2日外发报告，预计2026-2028年公司的营业收入为3262.05/4481.24/7585.82亿元，归母净利润为1544.11/2180.47/4071.42亿元，给予“买入”评级。
8. ⚠️ 风险提示：DRAM行业周期波动风险，技术研发及产能建设进度不及预期，国际贸易摩擦及设备供应风险。