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title: "【兆易创新】3D DRAM趋势确定，兆易创新已走在前列 大幅上调长鑫的采购金额并环比增加 原预计2026年全年采购金额57.11亿元，本次增加21.43亿元到7"
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# 【兆易创新】3D DRAM趋势确定，兆易创新已走在前列 大幅上调长鑫的采购金额并环比增加 原预计2026年全年采购金额57.11亿元，本次增加21.43亿元到7

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## 正文

【兆易创新】3D DRAM趋势确定，兆易创新已走在前列

大幅上调长鑫的采购金额并环比增加
原预计2026年全年采购金额57.11亿元，本次增加21.43亿元到78.54亿元，上修37.5%。2026M1-8采购35.96亿元，上修后26M9-M12及27M1-4预计采购额分别为42.58/44.11亿元，环比持续提升。
3DDRAM走向定制化、单GB价值量有望显著提高
3D DRAM使DRAM从标准器件走向定制化，使用TSV、混合键合等先进3D封装技术，并且定制设计需要NRE费用，单GB价值量有望显著高于标准DRAM，成为新的业绩增长点。
3DDRAM2027年或量价齐升、兆易创新已走在前列
小米玄戒O100为行业首颗 6nm 3D 晶圆级堆叠的 AI 加速芯片，使用3D DRAM和逻辑芯片混合键合、垂直堆叠，预计27年量产上市。兆易创新公告披露定制化存储新产品是27年采购金额增长原因之一，说明已走在定制化3D DRAM产业趋势的前列。

风险提示：研发量产进度不及预期等。

## 总体总结

主题正文
1. 【兆易创新】3D DRAM趋势确定，兆易创新已走在前列
2. 原预计2026年全年采购金额57.11亿元，本次增加21.43亿元到78.54亿元，上修37.5%。
3. 2026M1-8采购35.96亿元，上修后26M9-M12及27M1-4预计采购额分别为42.58/44.11亿元，环比持续提升。
4. 3D DRAM使DRAM从标准器件走向定制化，使用TSV、混合键合等先进3D封装技术，并且定制设计需要NRE费用，单GB价值量有望显著高于标准DRAM，成为新的业绩增长点。
5. 3DDRAM2027年或量价齐升、兆易创新已走在前列
6. 小米玄戒O100为行业首颗 6nm 3D 晶圆级堆叠的 AI 加速芯片，使用3D DRAM和逻辑芯片混合键合、垂直堆叠，预计27年量产上市。
7. 兆易创新公告披露定制化存储新产品是27年采购金额增长原因之一，说明已走在定制化3D DRAM产业趋势的前列。
8. 风险提示：研发量产进度不及预期等。