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title: "【中泰电子|长鑫科技】国产DRAM龙头持续加码建设存储项目！ 持续加码建设存储项目！ 新建技术研发项目：1）计划投资总额241亿元，其中拟使用超募资金130亿元"
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# 【中泰电子|长鑫科技】国产DRAM龙头持续加码建设存储项目！ 持续加码建设存储项目！ 新建技术研发项目：1）计划投资总额241亿元，其中拟使用超募资金130亿元

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## 正文

【中泰电子|长鑫科技】国产DRAM龙头持续加码建设存储项目！

持续加码建设存储项目！

新建技术研发项目：1）计划投资总额241亿元，其中拟使用超募资金130亿元投资。2）设备购置费223.98亿元，占总投资额93％。3）建设周期30个月。

新建存储器晶圆后道测试基地二期项目：1）计划投资总额108亿元，拟通过增资和借款方式，向全资子公司长鑫产品合肥提供超募资金人民币50亿元进行投资，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装。2）设备购置和安装费81.8亿元，占总投资额76％。3）建设周期37个月。

长鑫是国内最大、全球第四大DRAM原厂。

1）产品丰富：包括DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X等，HBM3E加速落地。

LPDDR6于8月底官宣量产，性能与海外大厂基本持平，首批搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机。

9月20日宣布G5实现量产，内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，与海外制程差距缩小至1代，此工艺使用ArF浸没式DUV四重曝光完成，每片晶圆产出裸片数量较上一代提升至少50%。

2）产能拓展：目前合肥、北京共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，预计26年全部达产并持续提升G4销量占比。上海DRAM及HBM产线产能规划预计达合肥总部2-3倍，有望26年底开始量产。

AI驱动DRAM需求爆发，服务器在DRAM占比有望从2024年的38%提升至2026年的50%~60%。预计26年DRAM供需仍持续紧张，价格有望继续上涨。

DRAM国产替代空间广阔，长鑫引领国产化。

26Q2长鑫营收份额近10%，三大原厂营收份额仍占近90%，DRAM国产化率低，未来DRAM国产替代空间广阔。

风险提示：下游需求不及预期等。

派点请支持中泰电子：王芳/杨旭/丁贝渝/张心阳

## 总体总结

主题正文
1. 新建技术研发项目：1）计划投资总额241亿元，其中拟使用超募资金130亿元投资。
2. 2）设备购置费223.98亿元，占总投资额93％。
3. 新建存储器晶圆后道测试基地二期项目：1）计划投资总额108亿元，拟通过增资和借款方式，向全资子公司长鑫产品合肥提供超募资金人民币50亿元进行投资，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装。
4. 2）设备购置和安装费81.8亿元，占总投资额76％。
5. 9月20日宣布G5实现量产，内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，与海外制程差距缩小至1代，此工艺使用ArF浸没式DUV四重曝光完成，每片晶圆产出裸片数量较上一代提升至少50%。
6. 2）产能拓展：目前合肥、北京共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，预计26年全部达产并持续提升G4销量占比。
7. 上海DRAM及HBM产线产能规划预计达合肥总部2-3倍，有望26年底开始量产。
8. 预计26年DRAM供需仍持续紧张，价格有望继续上涨。