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title: "沃尔德交流更新-9.28 务必重视散热新纪元，金刚石中军 客户进展：当前核心在于解决高端GPU CPU光通信芯片进结散热， 当前某客户中试验证顺利。部分厂商芯片"
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# 沃尔德交流更新-9.28 务必重视散热新纪元，金刚石中军 客户进展：当前核心在于解决高端GPU CPU光通信芯片进结散热， 当前某客户中试验证顺利。部分厂商芯片

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## 正文

沃尔德交流更新-9.28 务必重视散热新纪元，金刚石中军

客户进展：当前核心在于解决高端GPU CPU光通信芯片进结散热， 当前某客户中试验证顺利。部分厂商芯片流片已完成，当前处于模组测试阶段，2026年四季度预计小批量量产，量产前预计会有招标流程，2027年Q2正式起量；配置方式为每颗计算die对应一片热沉片。
[太阳]C2W方案：将厚度约7-800微米的裸die削薄约3-400微米后，贴装金刚石片键合/金属化低温焊接，整体厚度与原有裸die尺寸一致，不影响后续封装流程。 大陆厂商多尝试该方案，和公司合作最深入的客户预计Q4开始量产。
[太阳]W2W方案：4-12英寸金刚石散热晶圆形态，设备自主研发，目前与台湾多家晶圆代工/封测厂合作、送样验证顺利，国内芯片设计公司也开始验证散热晶圆方案。

芯片内封装验证结果：金刚石作为内嵌近结扩热片背面，常温活化直接键合SAB，实现硅-金刚石原子级结合，Die+金刚石叠层总高与HBM齐平，不影响原来封装体系，兼顾极致散热+成熟封装量产能力。

产能准备：目前设备已经可满足客户几十万片级别的需求，基于产业和领先的客户进展信心，27年预计新增MPCVD设备至2000台，为行业内最多。

核心壁垒：（1）生长设备并非行业的单一环节壁垒。后续键合环节需要原子级的抛光，半导体级别的精密加工能力尤为关键，包括研磨、抛光、检测环节。（2）金刚石热沉片属于需要和芯片设计厂联合开发的定制化产品，要按图交付。CVD 金刚石加工到微米级公差、纳米级表面粗糙度，还要严格控制表面的微纳米级缺陷，本身就需要专门的装备与长期的技术和经验积累。同样的材料、同一张图纸交给两家工厂，加工能力不同，交回来的往往是两件不完全一样的东西：看起来可能一样，测量部分参数也一样，但用起来就是不一样。（3）稳定、高品质、量产交付的单晶/多晶金刚石良率、可复制的物理特性。

最终实现的是金刚石散热部件交付系统内的功能。而非生长出毛坯金刚石片或简单加工后的制品，附加值来自材料、结构设计、界面处理、加工制造工艺、验证与可靠性等多方面能力的叠加，导入周期长，一旦导入后，客户切换供应商成本极高。

## 总体总结

主题正文
1. 客户进展：当前核心在于解决高端GPU CPU光通信芯片进结散热， 当前某客户中试验证顺利。
2. 部分厂商芯片流片已完成，当前处于模组测试阶段，2026年四季度预计小批量量产，量产前预计会有招标流程，2027年Q2正式起量；
3. [太阳]C2W方案：将厚度约7-800微米的裸die削薄约3-400微米后，贴装金刚石片键合/金属化低温焊接，整体厚度与原有裸die尺寸一致，不影响后续封装流程。
4. 大陆厂商多尝试该方案，和公司合作最深入的客户预计Q4开始量产。
5. [太阳]W2W方案：4-12英寸金刚石散热晶圆形态，设备自主研发，目前与台湾多家晶圆代工/封测厂合作、送样验证顺利，国内芯片设计公司也开始验证散热晶圆方案。
6. 芯片内封装验证结果：金刚石作为内嵌近结扩热片背面，常温活化直接键合SAB，实现硅-金刚石原子级结合，Die+金刚石叠层总高与HBM齐平，不影响原来封装体系，兼顾极致散热+成熟封装量产能力。
7. 产能准备：目前设备已经可满足客户几十万片级别的需求，基于产业和领先的客户进展信心，27年预计新增MPCVD设备至2000台，为行业内最多。
8. 而非生长出毛坯金刚石片或简单加工后的制品，附加值来自材料、结构设计、界面处理、加工制造工艺、验证与可靠性等多方面能力的叠加，导入周期长，一旦导入后，客户切换供应商成本极高。