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title: "❗️【天风电新】硅电容更新推荐（2）：适配超高频去耦+先进封装，AI需求弹性大-0926 ——————————— 前期我们汇报过，硅电容核心解决超高频去耦，27"
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# ❗️【天风电新】硅电容更新推荐（2）：适配超高频去耦+先进封装，AI需求弹性大-0926 ——————————— 前期我们汇报过，硅电容核心解决超高频去耦，27

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## 正文

❗️【天风电新】硅电容更新推荐（2）：适配超高频去耦+先进封装，AI需求弹性大-0926
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前期我们汇报过，硅电容核心解决超高频去耦，27年将迎来产业化元年。本次汇报将回答以下：一是初步测算AI相关硅电容市场空间；二是回答市场关心的问题，制造工艺对比以及同MLCC的关系。

1、市场空间：硅电容将率先于27年在光模块领域放量，28年开始在AI服务器上放量且需求弹性很大。
✅光模块
1.6T用量方案各不相同，暂先按照16颗宽频硅电容，70%渗透率计算，27年预计市场空间30亿元；28年随着3.2T放量及3.2T硅电容用量翻倍增长，28年市场空间预计120亿元（考虑了规模化后硅电容单价下降），yoy+235%。

光模块硅电容为标准化产品，国内企业技术参数同海外接近，且下游客户优势，国产替代空间广阔，利好国内硅电容设计+封测厂商。

✅AI 服务器
容值较光模块明显提升，偏定制，技术壁垒高，在垂直供电方案应用。先按照单颗GUP用量30颗计算，2美元/颗，预计28年市场空间40亿元，且后续随着

2、工艺对比：DTC VS VIC
当前主流量产的是DTC深沟槽路线，已大规模用于光模块硅电容；同时多层DTC工艺也可用于GUP硅电容制造，但无法内嵌入封装基板内。

下一代工艺是VIC。较DTC，容值密度更高， 进一步提升市场空间。一是提升容值，可做到105、106容值；二是更薄，可封装在基板内部，更适配先进封装。类似存储芯片的CMOS工艺，且产能紧张，⭐因此锁定代工厂VIC产能的硅电容设计厂商更具竞争力。

3、与MLCC的关系
硅电容核心解决超高频去耦（GHz及以上，最高百GHz），在纳秒级内补偿巨大电流波动，主要用在GPU、HBM周边，且由于硅电容更薄，将去耦的“边界”从PCB板推进到芯片附近/封装体内，近die去耦。

同MLCC主要是互补关系，MLCC对应频率段主要在0.1GHz以下，频率更高会导致去耦功能失效，MLCC主要用在PCB板上。

❗️投资建议：硅电容ESL极低+超薄，可更好适配 超高频去耦+先进封装趋势，下游光模块、GPU需求接力释放，尤其AI服务器需求弹性大。重点标的【颀中科技】【英集芯】。

## 总体总结

主题正文
1. 前期我们汇报过，硅电容核心解决超高频去耦，27年将迎来产业化元年。
2. 1、市场空间：硅电容将率先于27年在光模块领域放量，28年开始在AI服务器上放量且需求弹性很大。
3. 1.6T用量方案各不相同，暂先按照16颗宽频硅电容，70%渗透率计算，27年预计市场空间30亿元；
4. 28年随着3.2T放量及3.2T硅电容用量翻倍增长，28年市场空间预计120亿元（考虑了规模化后硅电容单价下降），yoy+235%。
5. 先按照单颗GUP用量30颗计算，2美元/颗，预计28年市场空间40亿元，且后续随着
6. 硅电容核心解决超高频去耦（GHz及以上，最高百GHz），在纳秒级内补偿巨大电流波动，主要用在GPU、HBM周边，且由于硅电容更薄，将去耦的“边界”从PCB板推进到芯片附近/封装体内，近die去耦。
7. 同MLCC主要是互补关系，MLCC对应频率段主要在0.1GHz以下，频率更高会导致去耦功能失效，MLCC主要用在PCB板上。
8. ❗️投资建议：硅电容ESL极低+超薄，可更好适配 超高频去耦+先进封装趋势，下游光模块、GPU需求接力释放，尤其AI服务器需求弹性大。