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title: "【国信电子 | 半导体设备&材料持续推荐】长鑫实现G5平台正式量产，新一轮框架订单蓄势待发 长鑫存储第五代技术平台正式量产。依托四重曝光技术将内存阵列的有源区半"
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# 【国信电子 | 半导体设备&材料持续推荐】长鑫实现G5平台正式量产，新一轮框架订单蓄势待发 长鑫存储第五代技术平台正式量产。依托四重曝光技术将内存阵列的有源区半

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## 正文

【国信电子 | 半导体设备&材料持续推荐】长鑫实现G5平台正式量产，新一轮框架订单蓄势待发

长鑫存储第五代技术平台正式量产。依托四重曝光技术将内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，存储电容深宽比达45:1。开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，核心功能区高度缩小到6762纳米。每张晶圆的产出，与上一代平台相比提升50%以上。基于该平台打造的24GB LPDDR5X产品已经进入正式量产，全面进入国产主流旗舰手机。

2Q26全球半导体设备出货同增23%，存储新一轮框架订单蓄势待发。SEMI在《》中宣布，2026年第二季度全球半导体设备出货金额同比增长23%，达到405.3亿美元，环比增长11%，是连续第二个创纪录的季度。其中，中国台湾119.1亿美金(QoQ +8%)，中国大陆108.9亿美金(QoQ +24%)，韩国90.8亿美金(QoQ +2%)。

建议关注：
【前道设备】中科飞测、芯源微、中微公司、北方华创、拓荆科技、华海清科、精测电子、屹唐股份、微导纳米、迈为股份、先导基电等
【后道设备】华峰测控、长川科技、联动科技等
【材料&零部件】鼎龙股份、江丰电子、神工股份、富创精密等

## 总体总结

主题正文
1. 【国信电子 | 半导体设备&材料持续推荐】长鑫实现G5平台正式量产，新一轮框架订单蓄势待发
2. 依托四重曝光技术将内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，存储电容深宽比达45:1。
3. 开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，核心功能区高度缩小到6762纳米。
4. 2Q26全球半导体设备出货同增23%，存储新一轮框架订单蓄势待发。
5. SEMI在《》中宣布，2026年第二季度全球半导体设备出货金额同比增长23%，达到405.3亿美元，环比增长11%，是连续第二个创纪录的季度。
6. 其中，中国台湾119.1亿美金(QoQ +8%)，中国大陆108.9亿美金(QoQ +24%)，韩国90.8亿美金(QoQ +2%)。
7. 【前道设备】中科飞测、芯源微、中微公司、北方华创、拓荆科技、华海清科、精测电子、屹唐股份、微导纳米、迈为股份、先导基电等