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title: "长鑫G5技术平台采用多重曝光工艺，是该工艺首次在国内DRAM厂商中正式应用，采用四重曝光系统绕开EUV，成本和能效持续优化。影响主要体现在三个方面：第一，产能和"
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# 长鑫G5技术平台采用多重曝光工艺，是该工艺首次在国内DRAM厂商中正式应用，采用四重曝光系统绕开EUV，成本和能效持续优化。影响主要体现在三个方面：第一，产能和

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## 正文

长鑫G5技术平台采用多重曝光工艺，是该工艺首次在国内DRAM厂商中正式应用，采用四重曝光系统绕开EUV，成本和能效持续优化。影响主要体现在三个方面：第一，产能和成本跃升，同等8GB基准颗粒下，单硅片产出提升超50%，晶圆利用效率大幅优化，规模效应进一步夯实，可支撑长鑫维持80%以上的高毛利率，成本竞争力逐步比肩海外龙头；第二，高端产品全面落地，基于该平台的LPDDR5已实现全球商用首发，LPDDR4、LPDDR5的24GB大容量高端产品也已量产，性能、速率、功耗、容量全面对标海外旗舰机型，可支撑长鑫颗粒顺利切入高端手机、PC端，解决了此前国内存储厂商无法进入高端领域的技术痛点，技术追赶进度明显；第三，厂商产品结构升级，结合长存3D NAND的工艺平台，国内存储厂商可持续拿下头部整机厂商的高端手机、PC长期订单，彻底摆脱过去低价低端内卷的状态，实现从替代低端到对标高端同场竞争的跨越。当前全球四大海外原厂、国内2-3家存储厂商都在大规模扩产，上游设备、零部件、材料领域存在明确投资机会，首先是设备及零部件领域，目前设备上游零部件短缺情况明显，国内存储厂商武汉、合肥、上海、北京等厂区扩产规划落地概率极高，将带来大量设备需求；零部件方面，2026年7-8月尤其是9月以来，半导体零部件交期持续延长，金属、非金属零部件均出现短缺，甚至加价仍无法满足产能需求，将带动MFC、射频电源、静电卡盘、加热盘等细分零部件的国产替代加速。---xz

## 总体总结

主题正文
1. 长鑫G5技术平台采用多重曝光工艺，是该工艺首次在国内DRAM厂商中正式应用，采用四重曝光系统绕开EUV，成本和能效持续优化。
2. 影响主要体现在三个方面：第一，产能和成本跃升，同等8GB基准颗粒下，单硅片产出提升超50%，晶圆利用效率大幅优化，规模效应进一步夯实，可支撑长鑫维持80%以上的高毛利率，成本竞争力逐步比肩海外龙头；
3. 第二，高端产品全面落地，基于该平台的LPDDR5已实现全球商用首发，LPDDR4、LPDDR5的24GB大容量高端产品也已量产，性能、速率、功耗、容量全面对标海外旗舰机型，可支撑长鑫颗粒顺利切入高端手机、PC端，解决了此前国内存储厂商无法进入高端领域的技术痛点，技术追赶进度明显；
4. 第三，厂商产品结构升级，结合长存3D NAND的工艺平台，国内存储厂商可持续拿下头部整机厂商的高端手机、PC长期订单，彻底摆脱过去低价低端内卷的状态，实现从替代低端到对标高端同场竞争的跨越。
5. 当前全球四大海外原厂、国内2-3家存储厂商都在大规模扩产，上游设备、零部件、材料领域存在明确投资机会，首先是设备及零部件领域，目前设备上游零部件短缺情况明显，国内存储厂商武汉、合肥、上海、北京等厂区扩产规划落地概率极高，将带来大量设备需求；
6. 零部件方面，2026年7-8月尤其是9月以来，半导体零部件交期持续延长，金属、非金属零部件均出现短缺，甚至加价仍无法满足产能需求，将带动MFC、射频电源、静电卡盘、加热盘等细分零部件的国产替代加速。