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title: "韩国 DS Investment & Securities: SiC & GaN > 800V 架构的采用为 8 英寸代工厂创造了新的增长机遇，挑战了传统的 S"
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# 韩国 DS Investment & Securities: SiC & GaN > 800V 架构的采用为 8 英寸代工厂创造了新的增长机遇，挑战了传统的 S

- 序号：178
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## 图片

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## 正文

韩国 DS Investment & Securities: 

SiC & GaN

> 800V 架构的采用为 8 英寸代工厂创造了新的增长机遇，挑战了传统的 Si 功率半导体。

> SiC 功率市场：预计将以 +20% 的复合年增长率增长，从 2024–2025 年的 34 亿美元扩展至 2030F 的 103 亿美元。

> GaN 功率市场：预计将以更高的 +44% 复合年增长率实现增长，从 6 亿美元上升至 2030F 的 30 亿美元。

角色细分与材料专业化：

> SiC：在高压、高功率和高温度环境中表现出色，作为 Si IGBT 的部分替代品。主要应用包括电动汽车逆变器/OBC、800V 电动汽车、AI 数据中心（AI DC）和能源存储系统（ESS）。

> GaN：在高频、高功率密度和高效率功率转换方面表现出色，作为 Si MOSFET 的部分替代品。关键应用领域包括充电器、适配器、电源单元（PSU）、AI 数据中心、机器人和太阳能。 

基础设施与趋势：

> 数据中心渗透率：SiC/GaN 在数据中心电源系统中的渗透率预计将从 2026F 的 17% 增加至 2030F 的超过 30%，这主要受新高频、高密度转换需求驱动（如 AI 数据中心中的 800V 至 54V/12V 转换）。

> 制造转型：SiC 目前正从 6 英寸转向 8 英寸生产线，而 GaN 则高度依赖 8 英寸 GaN-on-Si 工艺。长期来看，还在评估向 12 英寸晶圆的转型

## 总体总结

主题正文
1. > 800V 架构的采用为 8 英寸代工厂创造了新的增长机遇，挑战了传统的 Si 功率半导体。
2. > SiC 功率市场：预计将以 +20% 的复合年增长率增长，从 2024–2025 年的 34 亿美元扩展至 2030F 的 103 亿美元。
3. > GaN 功率市场：预计将以更高的 +44% 复合年增长率实现增长，从 6 亿美元上升至 2030F 的 30 亿美元。
4. > SiC：在高压、高功率和高温度环境中表现出色，作为 Si IGBT 的部分替代品。
5. 主要应用包括电动汽车逆变器/OBC、800V 电动汽车、AI 数据中心（AI DC）和能源存储系统（ESS）。
6. > GaN：在高频、高功率密度和高效率功率转换方面表现出色，作为 Si MOSFET 的部分替代品。
7. > 数据中心渗透率：SiC/GaN 在数据中心电源系统中的渗透率预计将从 2026F 的 17% 增加至 2030F 的超过 30%，这主要受新高频、高密度转换需求驱动（如 AI 数据中心中的 800V 至 54V/12V 转换）。
8. > 制造转型：SiC 目前正从 6 英寸转向 8 英寸生产线，而 GaN 则高度依赖 8 英寸 GaN-on-Si 工艺。