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title: "[礼物]【中信电子】长鑫科技：G5平台宣布量产，先进DRAM制程持续跳代突破！ [玫瑰]事件：长鑫存储在2026世界制造业大会上宣布第五代DRAM技术平台（G5"
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# [礼物]【中信电子】长鑫科技：G5平台宣布量产，先进DRAM制程持续跳代突破！ [玫瑰]事件：长鑫存储在2026世界制造业大会上宣布第五代DRAM技术平台（G5

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## 正文

[礼物]【中信电子】长鑫科技：G5平台宣布量产，先进DRAM制程持续跳代突破！

[玫瑰]事件：长鑫存储在2026世界制造业大会上宣布第五代DRAM技术平台（G5平台）实现量产，并展出两款基于该平台打造的LPDDR5X量产产品，进一步验证公司自主工艺迭代与产品产业化能力，我们看好存储制程突破带来的成本改善，以及向更高端存储产品延伸的成长空间：

1⃣【持续缩小与海外先进水平差距】：横向看，长鑫与海外先进制程的差距持续收窄。据TechInsights拆解，长鑫G4 DRAM特征尺寸约为16nm，对应海外1z制程水平；海外三大原厂先进DRAM已推进至1c、1γ代际（约10-11nm级），上一主流代际为1b/1β（约12-13nm级）。长鑫此次G5通过DUV多重曝光实现有源区半间距微缩至11.95nm，达海外1b/1β代际水平，与海外先进量产节点的差距由此前约三代缩小至一代。纵向看，G4至G5的显著微缩体现公司“跳代研发”策略持续兑现。G5结合HKMG、45:1高深宽比电容等先进工艺，每片晶圆产出裸片数量较G4提升至少50%。

2⃣【高端产品有望乘制程升级持续拓展】：据公司在世界制造业大会上的披露，G5平台已应用于两款LPDDR5X量产产品，面向中高端智能手机、便携式消费电子等场景。展望未来，高端存储产品对性能、功耗及密度提出更高要求，先进DRAM制程是高带宽、大容量存储产品落地的重要基础。以HBM为例，SK海力士、美光HBM3E、HBM4均采用1b/1β工艺，三星HBM3E、HBM4分别采用1a、1c工艺。我们认为，随着G5平台成熟及良率提升，公司有望进一步夯实HBM、DDR6、LPDDR6等高端产品开发与迭代所需的工艺基础，推动产品结构与价值量升级，打开中长期成长空间。

[玫瑰]此次G5量产进一步验证长鑫自主研发与产业化能力，公司作为国产AI产业链核心标的之一，我们坚定看好，持续推荐！

## 总体总结

主题正文
1. [玫瑰]事件：长鑫存储在2026世界制造业大会上宣布第五代DRAM技术平台（G5平台）实现量产，并展出两款基于该平台打造的LPDDR5X量产产品，进一步验证公司自主工艺迭代与产品产业化能力，我们看好存储制程突破带来的成本改善，以及向更高端存储产品延伸的成长空间：
2. 据TechInsights拆解，长鑫G4 DRAM特征尺寸约为16nm，对应海外1z制程水平；
3. 海外三大原厂先进DRAM已推进至1c、1γ代际（约10-11nm级），上一主流代际为1b/1β（约12-13nm级）。
4. 长鑫此次G5通过DUV多重曝光实现有源区半间距微缩至11.95nm，达海外1b/1β代际水平，与海外先进量产节点的差距由此前约三代缩小至一代。
5. 2⃣【高端产品有望乘制程升级持续拓展】：据公司在世界制造业大会上的披露，G5平台已应用于两款LPDDR5X量产产品，面向中高端智能手机、便携式消费电子等场景。
6. 以HBM为例，SK海力士、美光HBM3E、HBM4均采用1b/1β工艺，三星HBM3E、HBM4分别采用1a、1c工艺。
7. 我们认为，随着G5平台成熟及良率提升，公司有望进一步夯实HBM、DDR6、LPDDR6等高端产品开发与迭代所需的工艺基础，推动产品结构与价值量升级，打开中长期成长空间。
8. [玫瑰]此次G5量产进一步验证长鑫自主研发与产业化能力，公司作为国产AI产业链核心标的之一，我们坚定看好，持续推荐！