--- title: "- UBS将AI数据中心功率半导体TAM预测从2028年的110亿美元上调至130亿美元，预计2030年达到150亿美元，主要驱动来自ASIC功率半导体含量提升" topic_id: 82258818811258822 created_at: 2026-09-14T08:27:14.989+0800 source: zsxq type: topic cssclasses: zsxq-vault --- # - UBS将AI数据中心功率半导体TAM预测从2028年的110亿美元上调至130亿美元，预计2030年达到150亿美元，主要驱动来自ASIC功率半导体含量提升 - 序号：437 - 星球链接：[打开网页](https://wx.zsxq.com/group/15522451881222/topic/82258818811258822) - 附件：图片 0，音频 0，文档 0 - 音频文件：_无音频_ ## 图片 _无图片_ ## 正文 - UBS将AI数据中心功率半导体TAM预测从2028年的110亿美元上调至130亿美元，预计2030年达到150亿美元，主要驱动来自ASIC功率半导体含量提升和机架预测上调。模型覆盖30多种xPU架构，涵盖Nvidia、AMD、Google、Amazon、Meta、Microsoft及Intel/Tesla平台。但计算容量需求（2027年51GW、2030年105GW）显著超出基础设施预测（年均30-50GW），存在消化风险。800VDC延迟可能导致TAM减少5-10亿美元。投资策略上，对市场份额领导者Infineon持中性看法（估值预期高、竞争加剧），更看好具有剩余产能和市场扩张潜力的公司：TI（Buy）凭借PSU和IBC、ADI（Buy）凭借VRM、STMicro（Buy）凭借光子学业务。 UBS于2026年9月13日发布关于AI数据中心功率半导体的深度研究报告，将该市场2028年TAM预测从此前的110亿美元上调至，并预计。报告基于自下而上的详细建模，覆盖了30多种xPU（GPU和ASIC）架构，涵盖Nvidia、AMD、Google、Amazon、Meta、Microsoft以及Intel和Tesla的服务器平台。 报告的核心矛盾在于：，从而导致行业进入消化期。这一供需缺口若不能通过表后发电、减缓退役电厂以及更快的电网建设来弥补，将限制功率半导体TAM的实际兑现速度。 1. TAM上调的驱动因素 UBS更新了BoM（物料清单）模型，主要变化包括： ：从仅覆盖Nvidia扩展至AMD、Google、Amazon、Meta、Microsoft、Intel和Tesla的所有服务器变体 ：与UBS台湾硬件团队的服务器模型对齐，例如VR200机架现在假设使用24个更高功率的PSU单元 ：例如VR200 PSU假设为约18kW或约350美元（每kW约22美元） ：在单个xPU和CPU VRM级别建模，并根据分立、模块化和垂直架构进行调整 预测路径如下： 年份TAM（十亿美元） 2024 0.9 2025 1.3 2026E 3.5 2027E 8.0 2028E 11.3 2029E 13.3 2030E 15.1 到2030年，约40%的AI数据中心功率半导体收入将来自定制ASIC机架所用的产品。 2. 容量隐含的电力瓶颈问题 UBS的机架预测隐含的计算容量从2026E的约27GW增加到2027E的51GW、2030E的105GW，2026-30E年累计达约340GW。这。 UBS美国公用事业团队建模的2024-2030E期间电网容量增量约为120GW。这一缺口需要通过表后发电、减缓能源设施退役以及更快的新设施建设来弥合。 3. 800VDC延迟的影响 800VDC配电原计划于2027年随Kyber（或功率sidecar）机架架构推广，但有报道称已推迟至2028年或更晚。一些超大规模厂商现在似乎优先考虑。 UBS估计Rubin Ultra功率半导体含量约为： 采用sidecar架构： 采用集成电源架构： 若800VDC进一步延迟，将导致约；若加速采用则有10-20%的上行空间。总体而言，800VDC延迟可能导致TAM减少约。 4. 垂直功率传输的实际含量提升 市场讨论的垂直VRM相比横向分立方案的含量提升为3-7倍，但UBS认为在GPU板级别更接近，因为所需组件数量减少。具体来看： 架构电流（A）单元数VRM BoM/GPU 分立 90 24 $48 双相模块 140 15 $90 双相模块v2 160 14 $98 四相模块 280 8 $112 5. 功率半导体供应紧张度分析 UBS将瓶颈分析分为两个阶段： ： SiC不存在容量问题，2025年实际收入和2026年指引比2023年峰值低16%和3%，比2025年预期低50-60% GaN需求可管理，Innoscience一家就拥有约15kwpm产能，正在升至20kwpm 高压和中压Si MOSFET存在容量约束迹象，但部分可通过SiC和GaN的更高采用率缓解 ： 这是关注重点，2026E供应紧张 UBS估计 Infineon：70%的约€18亿AI收入与中低压硅/模拟组件相关 MPS：企业数据共识估计的70%与AI相关，公司声明产能将从2026年的40亿美元增至近期60亿美元 Renesas：AI数据中心收入的30%与低中压硅相关，产能利用率目前60-70% Vicor：管理层预计2026E先进产品（不含版税）为3亿美元，集团产能从10亿增至15亿美元 ：尽管功率半导体供应趋紧，但UBS认为。备用电源系统和开关设备的交付时间已延长至约18个月，公用事业规模变压器和现场燃气轮机的交付时间已超过2-3年。在这一背景下，5-10%的功率传输到GPU的效率提升虽然有益，但不太可能实质性改变局面。 UBS对报告中涉及的主要功率半导体公司给出明确投资观点： 公司评级投资逻辑 市场份额领导者，但投资者预期高且竞争加剧 潜在市场份额赢家，拥有剩余产能，正将新产品（PSU和IBC）带入目前未涉足的市场 潜在市场份额赢家，VRM业务带来增长 功率业务是上行驱动而非核心论点，光子学业务提供差异化 ： ：NTM P/E方法。风险包括工业终端市场（最大终端市场）的宏观经济敞口、电动车采用率敏感度、MXIM整合的挑战和机遇 ：DCF方法，WACC为9%，终端增长率为2%。风险包括半导体周期波动、汽车产量波动、USD:EUR汇率波动 ：DCF方法，WACC为9%，终端增长率为2%。风险包括中期智能手机图像传感器新产品交付能力 ：EV/FCF倍数法。风险包括快速变化的技术、激烈竞争、高资本投资水平、定价压力和周期性终端市场需求 ：2027E预测隐含的51GW计算容量安装要求极高，到2030E达到105GW，远超基础设施预期。电力供应缺口是核心风险，可能导致行业进入消化期 ：800VDC配电架构从sidecar方案的时间延迟可能导致功率半导体TAM减少5-10亿美元（具体取决于sidecar渗透率水平） ：备用电源系统交付时间延长至约18个月，变压器和燃气轮机超过2-3年。即使功率半导体供应充足，电网连接和电力供应可能成为更严重的瓶颈 ：从分立到模块化再到垂直功率传输的过渡时序存在不确定性，可能影响各厂商的市场份额格局 ：Infineon、TI、ADI等公司受整体半导体周期波动影响，且Infineon和TI等公司对汽车产量和电动车采用率敏感 ：Infineon和STMicro均面临USD:EUR汇率波动风险，美元走强对业务有正面影响 ：固态变压器虽提供长期解决方案，但实质性采用最早在2028年后；基板嵌入式功率传输（SiVR）可能成为下一代架构，进一步改变竞争格局 ：随着ON Semi、STMicro等公司进入市场，现有领导者（如Infineon）的市场份额可能面临挤压 ：UBS采取选择性策略——看好具有剩余产能的潜在份额赢家（TI、ADI），以及功率业务为加分项而非核心论点的公司（STMicro），而对估值已充分反映执行能力的市场领导者（Infineon）保持谨慎态度。建议投资者重点关注800VDC采用进度、电力基础设施建设情况以及各厂商在垂直VRM领域的渗透节奏。 ## 总体总结 主题正文 1. - UBS将AI数据中心功率半导体TAM预测从2028年的110亿美元上调至130亿美元，预计2030年达到150亿美元，主要驱动来自ASIC功率半导体含量提升和机架预测上调。 2. 但计算容量需求（2027年51GW、2030年105GW）显著超出基础设施预测（年均30-50GW），存在消化风险。 3. 投资策略上，对市场份额领导者Infineon持中性看法（估值预期高、竞争加剧），更看好具有剩余产能和市场扩张潜力的公司：TI（Buy）凭借PSU和IBC、ADI（Buy）凭借VRM、STMicro（Buy）凭借光子学业务。 4. UBS于2026年9月13日发布关于AI数据中心功率半导体的深度研究报告，将该市场2028年TAM预测从此前的110亿美元上调至，并预计。 5. 报告基于自下而上的详细建模，覆盖了30多种xPU（GPU和ASIC）架构，涵盖Nvidia、AMD、Google、Amazon、Meta、Microsoft以及Intel和Tesla的服务器平台。 6. ：Infineon和STMicro均面临USD:EUR汇率波动风险，美元走强对业务有正面影响 7. ：UBS采取选择性策略——看好具有剩余产能的潜在份额赢家（TI、ADI），以及功率业务为加分项而非核心论点的公司（STMicro），而对估值已充分反映执行能力的市场领导者（Infineon）保持谨慎态度。 8. 建议投资者重点关注800VDC采用进度、电力基础设施建设情况以及各厂商在垂直VRM领域的渗透节奏。