--- title: "- 高盛维持兆易创新买入评级。公司管理层对中国AI巡演中传达的核心观点：(1) 特种DRAM方面，DDR4价格在3Q/4Q26继续环比增长，消费电子(~30-3" topic_id: 82258818518121152 created_at: 2026-09-12T22:16:42.493+0800 source: zsxq type: topic cssclasses: zsxq-vault --- # - 高盛维持兆易创新买入评级。公司管理层对中国AI巡演中传达的核心观点：(1) 特种DRAM方面，DDR4价格在3Q/4Q26继续环比增长，消费电子(~30-3 - 序号：009 - 星球链接：[打开网页](https://wx.zsxq.com/group/15522451881222/topic/82258818518121152) - 附件：图片 0，音频 0，文档 0 - 音频文件：_无音频_ ## 图片 _无图片_ ## 正文 - 高盛维持兆易创新买入评级。公司管理层对中国AI巡演中传达的核心观点：(1) 特种DRAM方面，DDR4价格在3Q/4Q26继续环比增长，消费电子(~30-35%)和网通/工业(~40%)为主要收入来源，产品结构升级将驱动特种DRAM ASP和毛利率提升，2027E晶圆出货量将温和增长；(2) SLC NAND方面，1H26收入已达约15亿元人民币(vs 2025年约5亿)，受益于出货量增长和ASP上升，2027E在本土代工厂产能扩张支持下出货量将保持强劲增长；(3) NOR Flash方面，高密度产品驱动ASP温和增长；(4) 2Q26毛利率已升至66.6%(1Q26为57.1%)，3Q/4Q26E仍有上行空间；(5) 3D DRAM与品牌客户合作，2027/28E将有更具意义的收入贡献。 高盛（Goldman Sachs）于2026年9月11日发布了对。报告核心围绕三大产品线—— 的增长前景和定价趋势展开，管理层整体对特种DRAM和NAND ASP的环比增长保持乐观，但因高基数效应增速将逐渐收窄。 一、特种DRAM（Specialty DRAM）：产品结构升级驱动ASP提升 管理层对特种DRAM前景持积极态度，主要关注以下要点： ：预计3Q26/4Q26将继续环比增长（QoQ），但增速将逐步收窄。这反映了行业供需关系在高基数下的正常回归。 ：特种DRAM收入构成中： 消费电子产品占比约  网通和工业产品占比约  由于消费电子占比较高，管理层密切关注终端需求 ：向DDR4迁移过程中，近期月产量存在波动，但管理层对产品结构升级驱动的提升保持乐观。 ：预计晶圆出货量将温和增长，随后随产能扩大逐步扩张。 二、SLC NAND：2027E出货量加速增长 SLC NAND是本报告的另一大亮点： ：NAND收入已达约，远超2025年全年约5亿元的水平，由出货量增长和ASP上升共同驱动。 ：管理层预计2027E SLC NAND晶圆出货量将保持强劲增长，主要受益于。 ：由于全球同行因AI需求加速从2D NAND向3D NAND转型，管理层对2027E价格维持高位持乐观态度。公司SLC NAND产品覆盖范围，满足多元化需求。 三、NOR Flash：高密度产品驱动温和增长 管理层预计NOR Flash ASP将呈现，主要驱动因素来自的需求扩大。 这反映出随着汽车电子、工业控制、IoT等应用对NOR Flash容量需求提升，兆易创新的产品组合正在向高端迁移。 四、毛利率（GM）展望：仍有上行空间 ：已升至 （vs 1Q26的57.1%），环比大幅改善。 ：管理层预计随着价格上涨，毛利率仍有进一步提升空间。 ：随着ASP增速放缓以及晶圆制造成本上升，未来毛利率增长可能面临挑战。 五、3D DRAM战略布局 公司继续与品牌客户合作开发。 预计将开始贡献更具意义的收入，标志着公司在下一代DRAM技术上的前瞻布局。 ：（维持） ：高盛（Goldman Sachs） ：2026年9月11日 ： SLC NAND 2027E出货量强劲增长 特种DRAM产品结构升级（DDR4迁移） 3D DRAM 2027/28E商业化变现 NOR Flash高密度产品需求扩大 毛利率持续改善 ：公司约30-35%特种DRAM收入来自消费电子，宏观消费疲软可能影响产品出货节奏。 ：SLC NAND增长高度依赖本土代工合作伙伴的产能扩张，若扩产不及预期将影响出货量增长。 ：管理层已明确指出因高基数效应，ASP环比增速将逐渐收窄，对收入增速形成压力。 ：管理层警示随着ASP增速放缓和晶圆制造成本上升，毛利率增长动能未来可能减弱。 ：向DDR4迁移过程中近期月产量存在波动，可能影响短期出货稳定性。 ：3D DRAM目前仍处于合作开发阶段，若量产或客户导入进展滞后，2027/28E收入贡献可能不及预期。 ：全球同行在AI驱动下加速技术转型（如2D NAND转3D NAND），可能改变行业竞争格局 ## 总体总结 主题正文 要点： ：预计3Q26/4Q26将继续环比增长（QoQ），但增速将逐步收窄。这反映了行业供需关系在高基数下的正常回归。 ：特种DRAM收入构成中： 消费电子产品占比约  网通和工业产品占比约  由于消费电子占比较高，管理层密切关注终端需求 ：向DDR4迁移过程中，近期月产量存在波动，但管理层对产品结构升级驱动的提升保持乐观。 ：预计晶圆出货量将温和增长，随后随产能扩大逐步扩张。 二、SLC NAND：2027E出货量加速增长 SLC NAND是本报告的另一大亮点： ：NAND收入已达约，远超2025年全年约5亿元的水平，由出货量增长和ASP上升共同驱动。 ：管理层预计2027E SLC NAND晶圆出货量将保持强劲增长，主要受益于。 ：由于全球同行因AI需求加速从2D NAND向3D NAND转型，管理层对2027E价格维持高位持乐观态度。公司SLC NAND产品覆盖范围，满足多元化需求。 三、NOR Flash：高密度产品驱动温和增长 管理层预计NOR Flash ASP将呈现，主要驱动因素来自的需求扩大。 这反映出随着汽车电子、工业控制、IoT等应用对NOR Flash容量需求提升，兆易创新的产品组合正在向高端迁移。 四、毛利率（GM）展望：仍有上行空间 ：已升至 （vs 1Q26的57.1%），环比大幅改善。 ：管理层预计随着价格上涨，毛利率仍有进一步提升空间。 ：随着ASP增速放缓以及晶圆制造成本上升，未来毛利率增长可能面临挑战。 五、3D DRAM战略布局 公司继续与品牌客户合作开发。 预计将开始贡献更具意义的收入，标志着公司在下一代DRAM技术上的前瞻布局。 ：（维持） ：高盛（Goldman Sachs） ：2026年9月11日 ： SLC NAND 2027E出货量强劲增长 特种DRAM产品结构升级（DDR4迁移） 3D DRAM 2027/28E商业化变现 NOR Flash高密度产品需求扩大 毛利率持续改善 ：公司约30-35%特种DRAM收入来自消费电子，宏观消费疲软可能影响产品出货节奏。 ：SLC NAND增长高度依赖本土代工合作伙伴的产能扩张，若扩产不及预期将影响出货量增长。 ：管理层已明确指出因高基数效应，ASP环比增速将逐渐收窄，对收入增速形成压力。 ：管理层警示随着ASP增速放缓和晶圆制造成本上升，毛利率增长动能未来可能减弱。 ：向DDR4迁移过程中近期月产量存在波动，可能影响短期出货稳定性。 ：3D DRAM目前仍处于合作开发阶段，若量产或客户导入进展滞后，2027/28E收入贡献可能不及预期。 ：全球同行在AI驱动下加速技术转型（如2D NAND转3D NAND），可能改变行业竞争格局