--- title: "摩根大通——中国台湾半导体展（Semicon Taiwan）关键调研纪要 摩根大通于中国台湾半导体展期间完成巡回调研，共与22家企业交流并参与展会。核心结论如下" topic_id: 22258815811854851 created_at: 2026-09-10T22:30:12.025+0800 source: zsxq type: topic cssclasses: zsxq-vault --- # 摩根大通——中国台湾半导体展（Semicon Taiwan）关键调研纪要 摩根大通于中国台湾半导体展期间完成巡回调研，共与22家企业交流并参与展会。核心结论如下 - 序号：049 - 星球链接：[打开网页](https://wx.zsxq.com/group/15522451881222/topic/22258815811854851) - 附件：图片 0，音频 0，文档 0 - 音频文件：_无音频_ ## 图片 _无图片_ ## 正文 摩根大通——中国台湾半导体展（Semicon Taiwan）关键调研纪要 摩根大通于中国台湾半导体展期间完成巡回调研，共与22家企业交流并参与展会。核心结论如下：先进制程产能短缺将在2027年进一步加剧；先进封装投资正从台积电向OSAT（外包半导体封装测试）厂商扩散，2027年聚焦CoWoS，2028年转向SoIC；CoPoS（面板级封装）进展慢于预期，而EMIB-T技术稳步推进；CPO（共封装光学）测试流程仍存变数，初期生产可能跳过Insertion 2测试；逻辑TCB（热压键合）需求强劲，但HBM相关TCB因规格下调而面临不确定性；基板需求旺盛，带动层压等设备订单能见度延伸至2030年。 先进制程产能：2027年短缺加剧 基于供应链调研，尽管台积电持续扩充N3产能，但2027年N3供需缺口预计将进一步扩大。估算2026年未满足的N3需求接近60万片晶圆，2027年缺口或继续走阔。核心驱动因素包括： • 英伟达Rubin/Vera芯片在N3节点大幅上量，预计2027年英伟达将占据N3总晶圆产能的55-60%，较2026年上半年不足10%显著提升； • CPU需求强劲，英伟达Vera、谷歌Axion 2、亚马逊Graviton 5及微软Cobalt 200均导入N3，大量未满足需求将递延至2027年； • ASIC出货稳步增长，包括联发科与博通合作的TPU v8，以及世芯、Annapurna相关的Trainium 3； • 网络芯片配套升级，多数网络与XPU配套芯片正迁移至N3。 即便台积电N3产能增加约40%（主要来自18厂P9及亚利桑那21厂P2），2027年短缺仍难实质性缓解。 先进封装：投资扩散，CoWoS与SoIC接力 先进封装资本开支正从台积电向OSAT厂商蔓延。日月光与安靠为扩产主力，但受限于洁净室空间极度紧缺，PTI、Xintec等二线封装厂也开始承接外包订单。预计至2027年底，台积电CoWoS月产能将达约19-20万片，受设备交期拉长限制，进一步上行空间有限。一线OSAT产能有望达约10万片/月（日月光占60%、安靠占30%），而较小OSAT厂或于2027年末开始贡献部分基板外包及全流程订单。展望2028年，SoIC将成为台积电投资重点，因英伟达Feynman预计将采用3D SoIC进行GPU-GPU堆叠（A16芯片堆叠于A16上），带动3D SoIC产能大幅跃升（预计2028年底达6.5万片/月）。 CoPoS与EMIB-T：技术路线分化 台积电CoPoS进展慢于预期，目前预计2028年才进入风险生产，最早2029年量产，主因翘曲、玻璃开裂等工程挑战尚未完全解决。日月光等OSAT在类似面板级封装技术上亦反馈类似瓶颈。 相比之下，EMIB-T技术稳步推进，尽管基板良率与工艺流程细节仍在敲定中。除谷歌TPU v9 Humufish外，预计AWS Trn4在2028年也将采用EMIB-T封装。台湾相关设备商包括All Ring Tech与Scientech。此外，供应链正探索类EMIB-T技术，旨在直接在基板上制作RDL层，省去中介层以降低成本并扩大封装尺寸。台积电正与欣兴等基板厂合作类似方案，博通等无晶圆厂亦在评估。对于不愿采用3D方案的客户，此类技术可满足特定加速器芯片对更大2.5D封装尺寸的需求。 CPO测试：流程未明，Insertion 2或跳过 CPO为后端厂商核心关注点，但测试流程仍不清晰。多数供应链消息指向台积电在初期CPO生产中可能跳过Insertion 2测试，将测试强度转移至OSAT的Insertion 3与4。此变化利好致茂（Chroma）与鸿Precision，二者分别在Insertion 3与4占据优势。新一代CPO测试流程或吸引新进入者，因当前流程存在吞吐量瓶颈。 设备供应商份额动态为投资者焦点：Insertion 1及硅光PIC晶圆测试领域，晶圆探针台供应商格局复杂，除FormFactor外，ficonTEC、Hermes Testing、Semight等亦提供解决方案。Insertion 2的最终需求取决于台积电晶圆键合良率，若良率达标，Insertion 2需求将缩减，Insertion 3测试强度增加，致茂有望受益。Insertion 4方面，鸿Precision确认首台光电同测分选机将于2026年四季度出货给测试合作伙伴，量产时间取决于测试机台最终进度，预计2027年下半年开始显著贡献营收。 TCB与基板：逻辑强于存储，层压设备订单饱满 多数TCB供应商预计逻辑TCB将强劲增长，驱动力包括台积电与OSAT的基板扩产、英特尔EMIB等封装投资，以及CoWoS中CoW步骤对TCB的潜在采用。中国正成为TCB设备快速增长市场，多家本土OEM正建设类CoWoS产线。ASMPT（供应台积电与OSAT）与KLIC（供应英特尔）为现任主导，但Hanmi亦获OSAT初步评估。受设备交期长及需求旺盛影响，OSAT或认证更多TCB供应商，竞争将加剧。 HBM相关TCB需求因SK海力士暂停后端投资及HBM规格下调（8Hi/12Hi）而存疑，但供应商预计2026年末订单将随HBM4 Rubin出货加速而恢复，中国厂商HBM需求预计2027年显著回升。 基板设备需求极为强劲，受基板出货量与尺寸升级、以及EMIB-T新技术驱动，全球真空层压设备龙头Eternal Precision订单能见度已延伸至2030年。即便产能年增50%，需求仍超过供给。EMIB-T对层压提出更高要求（更薄材料），并推动基板厂采购TCB等高精度键合工具。CHPT亦提及未来基板需双面测试，或与EMIB-T等先进设计相关。 ## 总体总结 主题正文 1. • 英伟达Rubin/Vera芯片在N3节点大幅上量，预计2027年英伟达将占据N3总晶圆产能的55-60%，较2026年上半年不足10%显著提升； 2. 展望2028年，SoIC将成为台积电投资重点，因英伟达Feynman预计将采用3D SoIC进行GPU-GPU堆叠（A16芯片堆叠于A16上），带动3D SoIC产能大幅跃升（预计2028年底达6.5万片/月）。 3. 台积电CoPoS进展慢于预期，目前预计2028年才进入风险生产，最早2029年量产，主因翘曲、玻璃开裂等工程挑战尚未完全解决。 4. 设备供应商份额动态为投资者焦点：Insertion 1及硅光PIC晶圆测试领域，晶圆探针台供应商格局复杂，除FormFactor外，ficonTEC、Hermes Testing、Semight等亦提供解决方案。 5. Insertion 4方面，鸿Precision确认首台光电同测分选机将于2026年四季度出货给测试合作伙伴，量产时间取决于测试机台最终进度，预计2027年下半年开始显著贡献营收。 6. 多数TCB供应商预计逻辑TCB将强劲增长，驱动力包括台积电与OSAT的基板扩产、英特尔EMIB等封装投资，以及CoWoS中CoW步骤对TCB的潜在采用。 7. HBM相关TCB需求因SK海力士暂停后端投资及HBM规格下调（8Hi/12Hi）而存疑，但供应商预计2026年末订单将随HBM4 Rubin出货加速而恢复，中国厂商HBM需求预计2027年显著回升。 8. 基板设备需求极为强劲，受基板出货量与尺寸升级、以及EMIB-T新技术驱动，全球真空层压设备龙头Eternal Precision订单能见度已延伸至2030年。