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title: "现在明白了，台积电多次公开贬低 HIGH-NA 也是为了压价： ASML 與台積電於 2026 年 9 月 8 日宣布，將共同推動半導體產業由現行 6 吋光罩轉"
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# 现在明白了，台积电多次公开贬低 HIGH-NA 也是为了压价： ASML 與台積電於 2026 年 9 月 8 日宣布，將共同推動半導體產業由現行 6 吋光罩轉

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## 正文

现在明白了，台积电多次公开贬低 HIGH-NA 也是为了压价：

ASML 與台積電於 2026 年 9 月 8 日宣布，將共同推動半導體產業由現行 6 吋光罩轉型至 12 吋大尺寸光罩，以充分發揮 High NA EUV 微影技術價值。

High NA EUV 初期仍先以 6 吋光罩導入量產，但改用 12 吋光罩後，預期可提升晶圓廠生產力、降低製造成本，並消除現行需兩張 6 吋光罩拼接的限制，讓先進製程更具成本效益。

時程規劃如下：台積電預計 2030 年起，在先進製程高量產導入 ASML High NA 技術；雙方目標 2031 年前建立 12 吋光罩試產線，2033 年讓 12 吋 High NA 微影系統就緒並進入先進節點量產。

推動原因在於 AI 晶片電晶體架構日益複雜，未來需 High NA EUV 曝光的層數將增加。雙方強調需串連製造商、光罩廠與供應鏈共同推進，目前已有多家 High NA 採用者及主要供應商表達參與意願。

ASML 執行長 Fouquet 表示，12 吋光罩可提升掃描機產能，協助產業滿足更小、更快、更節能晶片需求。台積電董事長魏哲家則指出，產業協作才能降低先進技術門檻，讓尖端製程可規模化普及。

## 总体总结

主题正文
1. ASML 與台積電於 2026 年 9 月 8 日宣布，將共同推動半導體產業由現行 6 吋光罩轉型至 12 吋大尺寸光罩，以充分發揮 High NA EUV 微影技術價值。
2. High NA EUV 初期仍先以 6 吋光罩導入量產，但改用 12 吋光罩後，預期可提升晶圓廠生產力、降低製造成本，並消除現行需兩張 6 吋光罩拼接的限制，讓先進製程更具成本效益。
3. 時程規劃如下：台積電預計 2030 年起，在先進製程高量產導入 ASML High NA 技術；
4. 雙方目標 2031 年前建立 12 吋光罩試產線，2033 年讓 12 吋 High NA 微影系統就緒並進入先進節點量產。
5. 推動原因在於 AI 晶片電晶體架構日益複雜，未來需 High NA EUV 曝光的層數將增加。
6. 雙方強調需串連製造商、光罩廠與供應鏈共同推進，目前已有多家 High NA 採用者及主要供應商表達參與意願。
7. ASML 執行長 Fouquet 表示，12 吋光罩可提升掃描機產能，協助產業滿足更小、更快、更節能晶片需求。
8. 台積電董事長魏哲家則指出，產業協作才能降低先進技術門檻，讓尖端製程可規模化普及。