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title: "📰 📊据业界 7 日消息，三星电子晶圆代工事业部今年下半年已将 4 纳米工艺晶圆的一半以上投入 HBM4 用基础芯片（Base Die）制造。 🖼️三星电子 H"
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# 📰 📊据业界 7 日消息，三星电子晶圆代工事业部今年下半年已将 4 纳米工艺晶圆的一半以上投入 HBM4 用基础芯片（Base Die）制造。 🖼️三星电子 H

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📊据业界 7 日消息，三星电子晶圆代工事业部今年下半年已将 4 纳米工艺晶圆的一半以上投入 HBM4 用基础芯片（Base Die）制造。
🖼️三星电子 HBM4（图片来源：三星电子）
🔍HBM4 是目前已实现商用化的最新一代 HBM，将搭载于英伟达最尖端的 AI 加速器 Vera Rubin 等产品中。三星电子于今年 2 月在全球率先开始 HBM4 的量产出货。由于是初期量产，预计今年上半年内的供应量并不大。
📈三星电子计划从今年第三季度起正式扩大 HBM4 供应量。为此，自今年年中起，公司正大幅增加用于 HBM4 基础芯片量产的晶圆投入。该芯片基于三星晶圆代工 4 纳米（SF4）工艺制造。
📑综合三星电子内外的消息，截至上个月，三星电子整体 4 纳米生产能力中，超过 50% 已分配给 HBM4 基础芯片（Base Die）。
🗣️一位熟悉相关事务的消息人士表示：“三星电子的 4 纳米工艺目前处于满产状态，其中用于 HBM4 的基础芯片占比据我所知已达到 50% 至 60% 左右”，“这一高比重将在下半年持续保持。”
🏭三星电子正在平泽第二工厂（P2）和第三工厂（P3）内的代工生产线（S5、S6）量产 4‑7 纳米级工艺。其中，分配给 4 纳米的产能估计为每月约 3 万片晶圆。据此推算，面向 HBM4 基础芯片的晶圆投入量约为每月 1.5 万片。
🧩基础芯片位于 HBM 中多个垂直堆叠的 DRAM 核心芯片下方，负责支持内存与系统半导体之间的数据传输。随着 HBM 世代不断演进，基础芯片的重要性也呈上升趋势。
⚙️为此，三星电子正通过内部系统 LSI 及晶圆代工事业部，进一步深化基础芯片（Base Die）技术实力。特别是在 HBM4 中，还应用了领先于竞争对手的 4 纳米工艺。
✅此次基础芯片量产规模的扩大，被视为三星电子今年 HBM 业务扩展目标达成的积极信号。
📢此前，三星电子在第二季度业绩发布电话会议中表示：“预计今年第三季度 HBM4 销售额将较上一季度增长三倍以上”，“以今年下半年为基准，HBM4 销售额将轻松超过公司整体 HBM 销售额的 60%。”

## 总体总结

主题正文
1. 📊据业界 7 日消息，三星电子晶圆代工事业部今年下半年已将 4 纳米工艺晶圆的一半以上投入 HBM4 用基础芯片（Base Die）制造。
2. 🔍HBM4 是目前已实现商用化的最新一代 HBM，将搭载于英伟达最尖端的 AI 加速器 Vera Rubin 等产品中。
3. 由于是初期量产，预计今年上半年内的供应量并不大。
4. 📑综合三星电子内外的消息，截至上个月，三星电子整体 4 纳米生产能力中，超过 50% 已分配给 HBM4 基础芯片（Base Die）。
5. 🗣️一位熟悉相关事务的消息人士表示：“三星电子的 4 纳米工艺目前处于满产状态，其中用于 HBM4 的基础芯片占比据我所知已达到 50% 至 60% 左右”，“这一高比重将在下半年持续保持。
6. 🏭三星电子正在平泽第二工厂（P2）和第三工厂（P3）内的代工生产线（S5、S6）量产 4‑7 纳米级工艺。
7. 🧩基础芯片位于 HBM 中多个垂直堆叠的 DRAM 核心芯片下方，负责支持内存与系统半导体之间的数据传输。
8. 📢此前，三星电子在第二季度业绩发布电话会议中表示：“预计今年第三季度 HBM4 销售额将较上一季度增长三倍以上”，“以今年下半年为基准，HBM4 销售额将轻松超过公司整体 HBM 销售额的 60%。