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title: "【东吴电子陈海进】HBM系列研究5：HBM技术路线大更新，定制Base die/混合键合是未来关键 📮硅片消耗强度抬升，供给难快速响应 Hot Chips 20"
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# 【东吴电子陈海进】HBM系列研究5：HBM技术路线大更新，定制Base die/混合键合是未来关键 📮硅片消耗强度抬升，供给难快速响应 Hot Chips 20

- 序号：044
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## 正文

【东吴电子陈海进】HBM系列研究5：HBM技术路线大更新，定制Base die/混合键合是未来关键

📮硅片消耗强度抬升，供给难快速响应
Hot Chips 2026 大会强调几乎所有主流 AI 加速器均用HBM，部分网络组件也开始采用；美光测算相同容量下HBM硅片消耗约标准DDR的3倍，DRAM 厂商十余年未大幅扩产、新建晶圆厂需约2年，行业短期难响应需求冲击。

📮三星：Base Die定制平台或成为下一轮技术迭代核心
三星提出三阶段路线：
1️⃣cHBM4：将内存控制器从XPU迁移至定制Base Die，预计可释放XPU约5%-10%面积、带来10%-20%性能提升；
2️⃣AHBM：在Base Die上集成第二层内存 LPDDR/HBF与近存计算；
3️⃣ZHBM：取消2.5D 中介层、将DRAM直接垂直集成在XPU上，带宽提升2.3倍以上、总DRAM功耗较HBM5降低约70%。

📮SK海力士：封装逼近极限，混合键合是中长期路径
16层HBM3E中单Die需比12层减薄约10%、片间间隙缩小约50%，翘曲/填充难度剧增，同时775微米总厚度已接近现有封装极限；混合键合可消除芯片间隙，单die厚度增加20%-24%，导热提升约35%，但预计HBM4E尚不采用。

相关公司：
🔺原厂：长鑫科技
🔺设备：精智达、北方华创、中微公司、华海清科、芯源微、骄成超声、赛腾股份等
🔺封测：盛合晶微、长电科技、通富微电、深科技等
🔺材料：联瑞新材、雅克科技、华海诚科等

风险提示：行业竞争加剧、宏观经济波动导致需求不及预期

## 总体总结

主题正文
1. 【东吴电子陈海进】HBM系列研究5：HBM技术路线大更新，定制Base die/混合键合是未来关键
2. Hot Chips 2026 大会强调几乎所有主流 AI 加速器均用HBM，部分网络组件也开始采用；
3. 美光测算相同容量下HBM硅片消耗约标准DDR的3倍，DRAM 厂商十余年未大幅扩产、新建晶圆厂需约2年，行业短期难响应需求冲击。
4. 📮三星：Base Die定制平台或成为下一轮技术迭代核心
5. 1️⃣cHBM4：将内存控制器从XPU迁移至定制Base Die，预计可释放XPU约5%-10%面积、带来10%-20%性能提升；
6. 3️⃣ZHBM：取消2.5D 中介层、将DRAM直接垂直集成在XPU上，带宽提升2.3倍以上、总DRAM功耗较HBM5降低约70%。
7. 16层HBM3E中单Die需比12层减薄约10%、片间间隙缩小约50%，翘曲/填充难度剧增，同时775微米总厚度已接近现有封装极限；
8. 混合键合可消除芯片间隙，单die厚度增加20%-24%，导热提升约35%，但预计HBM4E尚不采用。