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title: "【华鑫电子】长存更新招股说明书在即，Xtacking 3D NAND成为碾压对手提升全球市占率硬核物理外挂 1️⃣长存预计近期更新招股说明书，IPO之旅进度加速"
topic_id: 45548858251545228
created_at: 2026-08-28T08:15:33.575+0800
source: zsxq
type: topic
cssclasses: zsxq-vault
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# 【华鑫电子】长存更新招股说明书在即，Xtacking 3D NAND成为碾压对手提升全球市占率硬核物理外挂 1️⃣长存预计近期更新招股说明书，IPO之旅进度加速

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## 正文

【华鑫电子】长存更新招股说明书在即，Xtacking 3D NAND成为碾压对手提升全球市占率硬核物理外挂

1️⃣长存预计近期更新招股说明书，IPO之旅进度加速跨越又一个新阶段。长存作为国内唯一实现3D NADA全流程IDM模式的厂商拟募资330亿元，其中208亿元投向现有量产线的技术升级，支撑Xtacking4.0和5.0工艺落地，122亿元用于搭建先进技术研发平台，重点布局企业级SSD，UFS4.1以及下一代超高堆叠存储技术。

2️⃣反转专利话语权从技术跟随到标准输出。长存Xtacking晶栈架构是全球3D NAND领域首次实现大规模量产的 “分体式” 架构方案，完全区别于国际厂商沿用的单片集成路线，使用成熟工艺实现更高层数与密度，无需迁就逻辑电路的制程要求。2025年三星主动与长江存储达成专利交叉授权，并支付Xtacking混合键合技术的授权费，年授权收益达3~5亿美元，是中国半导体企业首次向国际顶级厂商输出存储核心技术专利；2025年开始量产Xtacking4.0晶栈架构，量产294层产品，有源层达232层，存储密度达20Gb/mm²，I/O接口速度提升至3.6Gbps；232 层产品量产良率稳定在90%以上，高于同层数传统架构82%~84%的水平。

3️⃣产线国产化率显著提高扩产加速馋食全球头部厂商份额。长存目前产线设备国产化率最高超过50%。并且市占率加速提升，在2026年Q1全球NAND闪存市场份额达 16.4%，超越美光升至全球第四，距离第一梯队仅一步之遥，三期工厂全部投产后，月产能将突破40万片晶圆，成为全球重要的3D NAND供应基地，直接影响全球供需平衡与价格周期。产线上ALD和混合健合设备国产化率显著提高。

【标的推荐】：
①设备：微导纳米、拓荆科技、金海通、骄成超声
②模组：普冉股份
③零部件：频准激光
④上游材料：雅克科技、安集科技、鼎龙股份
⑤代工：华润微

## 总体总结

主题正文
1. 【华鑫电子】长存更新招股说明书在即，Xtacking 3D NAND成为碾压对手提升全球市占率硬核物理外挂
2. 1️⃣长存预计近期更新招股说明书，IPO之旅进度加速跨越又一个新阶段。
3. 长存作为国内唯一实现3D NADA全流程IDM模式的厂商拟募资330亿元，其中208亿元投向现有量产线的技术升级，支撑Xtacking4.0和5.0工艺落地，122亿元用于搭建先进技术研发平台，重点布局企业级SSD，UFS4.1以及下一代超高堆叠存储技术。
4. 长存Xtacking晶栈架构是全球3D NAND领域首次实现大规模量产的 “分体式” 架构方案，完全区别于国际厂商沿用的单片集成路线，使用成熟工艺实现更高层数与密度，无需迁就逻辑电路的制程要求。
5. 2025年三星主动与长江存储达成专利交叉授权，并支付Xtacking混合键合技术的授权费，年授权收益达3~5亿美元，是中国半导体企业首次向国际顶级厂商输出存储核心技术专利；
6. 2025年开始量产Xtacking4.0晶栈架构，量产294层产品，有源层达232层，存储密度达20Gb/mm²，I/O接口速度提升至3.6Gbps；
7. 232 层产品量产良率稳定在90%以上，高于同层数传统架构82%~84%的水平。
8. 并且市占率加速提升，在2026年Q1全球NAND闪存市场份额达 16.4%，超越美光升至全球第四，距离第一梯队仅一步之遥，三期工厂全部投产后，月产能将突破40万片晶圆，成为全球重要的3D NAND供应基地，直接影响全球供需平衡与价格周期。