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title: "📌 🏭CXMT 将于 2025 年将产能从 180k wpm 扩展至 2026 年的 300k wpm，随后每年增加约 100k wpm 的产能，到 2031"
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# 📌 🏭CXMT 将于 2025 年将产能从 180k wpm 扩展至 2026 年的 300k wpm，随后每年增加约 100k wpm 的产能，到 2031

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## 正文

📌

🏭CXMT 将于 2025 年将产能从 180k wpm 扩展至 2026 年的 300k wpm，随后每年增加约 100k wpm 的产能，到 2031 年达到 800k wpm。
🔍供应链检查表明，在出口管制下，ASML 的 DUV 光刻设备可能是主要设备瓶颈。与此同时，中国国内设备供应商持续改进，并正在多个工艺步骤中取代美国供应商。
⚠️最近的检查表明，HBM3E 供应将成为 2027 年中国 AI GPU 出货量的主要瓶颈。我们认为，尽管良率较低，CXMT 仍可在 2027 年生产 300‑400 万个 HBM3E 堆栈，足以支持约 80‑100 万个中国 AI GPU 出货量。
📊对于 2026 年，我们预计 CXMT 将实现：
📈300k wpm 的产能，占全球 DRAM 晶圆供应的 13%。
📦410 亿 Gb 的位出货量，占全球位供应的 11%。
💰570 亿美元的收入。
🌐全球 DRAM 产能预计在 2028 年达到 3374k wpm，而 CXMT 可能占其中的 15%（到 2028 年约 500k wpm）。
📑
🧪我们的预测假设 2026 年开始生产 HBM2E，随后在 2027 年预计生产 HBM3E 12‑Hi，并在 2028 年预计生产 HBM4。我们的检查表明，CXMT 可以使用晶圆对晶圆技术生产 12‑Hi 堆叠，因此每颗 HBM 芯片可达 24GB。

## 总体总结

主题正文
1. 🏭CXMT 将于 2025 年将产能从 180k wpm 扩展至 2026 年的 300k wpm，随后每年增加约 100k wpm 的产能，到 2031 年达到 800k wpm。
2. ⚠️最近的检查表明，HBM3E 供应将成为 2027 年中国 AI GPU 出货量的主要瓶颈。
3. 我们认为，尽管良率较低，CXMT 仍可在 2027 年生产 300‑400 万个 HBM3E 堆栈，足以支持约 80‑100 万个中国 AI GPU 出货量。
4. 📊对于 2026 年，我们预计 CXMT 将实现：
5. 📈300k wpm 的产能，占全球 DRAM 晶圆供应的 13%。
6. 🌐全球 DRAM 产能预计在 2028 年达到 3374k wpm，而 CXMT 可能占其中的 15%（到 2028 年约 500k wpm）。
7. 🧪我们的预测假设 2026 年开始生产 HBM2E，随后在 2027 年预计生产 HBM3E 12‑Hi，并在 2028 年预计生产 HBM4。
8. 我们的检查表明，CXMT 可以使用晶圆对晶圆技术生产 12‑Hi 堆叠，因此每颗 HBM 芯片可达 24GB。