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title: "📰 📅据 28 日业界消息，三星电子 (005930) 正按照英伟达的需求开发 HBM4E（第 7 代）8 层产品。该产品的堆叠层数低于最初规划的 12 层、1"
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# 📰 📅据 28 日业界消息，三星电子 (005930) 正按照英伟达的需求开发 HBM4E（第 7 代）8 层产品。该产品的堆叠层数低于最初规划的 12 层、1

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## 正文

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📅据 28 日业界消息，三星电子 (005930) 正按照英伟达的需求开发 HBM4E（第 7 代）8 层产品。该产品的堆叠层数低于最初规划的 12 层、16 层方案。英伟达向三星提出的速度指标为 17‑18Gbps（千兆比特每秒），相比三星早期 HBM4E 样品 14.4Gbps 的速度提升约 20%。该产品预计将用于适配英伟达前一日对外公布的专属技术标准（NVLink）的 NVHBM。
💡采用 8 层堆叠的思路，和当前 HBM 行业的竞争路线完全相反。过去 HBM 的迭代路径是从 4 层到 8 层再到 12 层，依靠增加堆叠层数来提升容量。堆叠层数越高，DRAM 芯片就需要打磨得更薄，精密堆叠的工艺难度随之上升，良率压力也会变大。反观 8 层方案，可以降低制造端压力，有利于产出更多 HBM 产品。市场将此举解读为英伟达想要化解内存供给短缺问题的战略。
⚡英伟达选择以提升传输速度作为替代方向。NVHBM 极大概率会搭载于预计明年推出的下一代 AI 图形处理器（GPU）“Rubin Ultra”。Rubin Ultra 会把 GPU 之间的互联规模从现有 72 个最高拓展至 576 个，实现 8 倍规模提升。这套设计逻辑为，虽然 HBM 堆叠层数下降，单颗 GPU 内存容量有所减少，但把数百片搭载更高速度 HBM 的 GPU 互联在一起，以此拉高整体算力表现。
🏆在定制化 HBM 赛道，三星电子对比 SK 海力士 (000660) 和美光具备更强竞争力。NVHBM 除 DRAM 之外，还需要基于逻辑（系统半导体）的基底芯片（Base Die）设计以及制造产能，三星可以全部覆盖上述环节，提供一站式整体方案。业内相关人士表示：“三星已经在 HBM4 上面验证了行业顶尖水准的速度实力，所以在速度维度的竞争上，相比高堆叠路线竞争会更占优势。”

## 总体总结

主题正文
1. 📅据 28 日业界消息，三星电子 (005930) 正按照英伟达的需求开发 HBM4E（第 7 代）8 层产品。
2. 英伟达向三星提出的速度指标为 17‑18Gbps（千兆比特每秒），相比三星早期 HBM4E 样品 14.4Gbps 的速度提升约 20%。
3. 该产品预计将用于适配英伟达前一日对外公布的专属技术标准（NVLink）的 NVHBM。
4. NVHBM 极大概率会搭载于预计明年推出的下一代 AI 图形处理器（GPU）“Rubin Ultra”。
5. Rubin Ultra 会把 GPU 之间的互联规模从现有 72 个最高拓展至 576 个，实现 8 倍规模提升。
6. 这套设计逻辑为，虽然 HBM 堆叠层数下降，单颗 GPU 内存容量有所减少，但把数百片搭载更高速度 HBM 的 GPU 互联在一起，以此拉高整体算力表现。
7. NVHBM 除 DRAM 之外，还需要基于逻辑（系统半导体）的基底芯片（Base Die）设计以及制造产能，三星可以全部覆盖上述环节，提供一站式整体方案。
8. 业内相关人士表示：“三星已经在 HBM4 上面验证了行业顶尖水准的速度实力，所以在速度维度的竞争上，相比高堆叠路线竞争会更占优势。