--- title: "- J.P. Morgan于8月20-21日在首尔举办亚洲科技大会，与三星电子、SK海力士、铠侠、南亚科技等存储厂商及50余名投资者交流。核心要点包括：1)股东" topic_id: 22258881454552541 created_at: 2026-08-24T08:26:44.631+0800 source: zsxq type: topic cssclasses: zsxq-vault --- # - J.P. Morgan于8月20-21日在首尔举办亚洲科技大会，与三星电子、SK海力士、铠侠、南亚科技等存储厂商及50余名投资者交流。核心要点包括：1)股东 - 序号：448 - 星球链接：[打开网页](https://wx.zsxq.com/group/15522451881222/topic/22258881454552541) - 附件：图片 0，音频 0，文档 0 - 音频文件：_无音频_ ## 图片 _无图片_ ## 正文 - J.P. Morgan于8月20-21日在首尔举办亚洲科技大会，与三星电子、SK海力士、铠侠、南亚科技等存储厂商及50余名投资者交流。核心要点包括：1)股东回报是投资者最关注的议题，预计三星将提出最高100% FCF回报目标（90-110万亿韩元），SK海力士有望将分红提升至累计FCF的50%以上；2)各厂的LTA（长期供货协议）覆盖50-70%数量，形成稳定基本盘，条款对供应方有利；3)HBM价格谈判偏向上行，可能成为EPS上修的潜在催化剂；4)HBF商用化仍较远，TLC NAND短期内仍是主流；5)韩国厂商投资纪律不变，NAND新厂最早2029年投产；6)中国竞争（如CXMT、YMTC）目前不构成对AI需求驱动周期的实质性威胁。 本报告为 于2026年8月24日发布的研究报告，内容基于8月20-21日在首尔举办的"亚洲科技大会"上与三星电子（SEC）、SK海力士（SKH）、铠侠（Kioxia，原东芝存储器）、南亚科技（NYT）四家存储厂商以及超过50名机构投资者的深度交流。报告聚焦于全球存储半导体行业的关键趋势与中长期展望，覆盖LTA长期协议、HBM定价机制、NAND技术路线、中国竞争以及股东回报政策等多个维度。 ：报告原文为日文，部分内容由英文原文翻译而来（J.P. Morgan将英文作为优先版本）。本机构此前已发布过英文版报告，本次以日文版呈现给日本投资者。 一、股东回报政策：投资者的核心关切 投资者关注的是各家存储厂商的股东回报（FCF回报）政策与策略： 公司当前/预期股东回报政策 在首尔科技大会后有望宣布最高100% FCF回报（90-110万亿韩元，约10.3-12.6万亿日元）；3Q26（7-9月）季报可能同步宣布高达30万亿韩元（约3.4万亿日元）的股息支付 2024年已宣布40万亿韩元（约4.6万亿日元）股票回购注销；3Q26季报将暗示将分红总预算提升至累计FCF的50%以上 有意在本年度内引入（累進配当），3Q26说明会可能公布较高FCF回报政策 讨论较为有限，预计继续维持传统的最低净利润分红政策 J.P. Morgan预计三星和SK海力士均将于前后提出超预期的股东回报方案，这将为股价提供正面催化。 二、LTA长期协议：构成稳定的"基本盘" LTA（Long-Term Agreements）是另一核心议题： ：各厂LTA大约锁定  产能 三星：最高约70% SK海力士：50%以上 铠侠：2028年达50% 南亚科技：50%-70% ：3-7年（多数为5年） ：含大额预付款、双方强约束条款（订单可视性大幅提高） ：LTA虽然会压制短期ASP上行，但，对支撑长期股东回报至关重要 三、HBM价格谈判：偏向上行方向 投资者对表现出浓厚兴趣： ：2027年HBM价格谈判正在进行中（2H26进入关键期） ： a) 行业供需环境与非HBM DRAM的盈利能力 b) 下一代HBM的芯片结构（先进制程和堆叠工艺） c) HBM性能参数 ：其行业HBM ASP增速假设为，目前看来，实际谈判结果可能上修，构成EPS上修的潜在来源 ：三星倾向以优先（量优先，价格相对温和）；SK海力士显得更为（价优先） 四、NAND技术路线：HBF仍遥远 ：3周前FMS大会推出多款产品后，投资者对NAND业务的关注明显提升 J.P. Morgan维持立场：HBF仍面临等问题 多家厂商认为：未来2-3年内，TLC NAND仍将是主流产品；SLC NAND、Super High IOPS、Z-NAND等针对推理应用的细分产品更具前景 的SLC / Super High IOPS产品可能成为HBF的替代方案（2028年左右可见显著营收贡献） 五、内存价格与利润可持续性 ：铠侠维持预期；南亚科技的7月营收激增预计将持续至季度末 ：7月以来DRAM/NAND现货价分别反弹9%/15% ：投资者对AI基础设施投资的带来的可持续性有所担忧 ：CPU驱动需求、推理应用增长使整体DRAM bit需求增长达到（vs过去15-20%），现有供给不足仍较明显 六、投资纪律与NAND供给展望 各厂商资本支出均维持 韩系厂商将在左右启动新一轮NAND产能扩张： 三星：Pyungtaek Fab 5的1-2个模块 SK海力士：M17 继续强调BiCS 9/10技术节点带来的bit产能增长 **YMTC（长江存储）**的产能扩张和BiCS NAND的恶化是市场对2027年供需平衡偏保守的主要原因 七、中国竞争影响评估 J.P. Morgan对持的判断： 推理和成熟/传统应用领域中国厂商将带来部分份额损失 但大多数AI需求最终将流向（被吸收） 受地缘政治、设备管制、良率问题等限制，竞争有限 等已存在市场10年以上，但未对供需格局构成实质性扰动 J.P. Morgan对覆盖的四家存储公司： 公司评级现价（截至2026/8/21）目标价 （005930.KS） OW 281,000韩元 已多次上调，最新7/30为400,000韩元 （000660.KS） OW 1,729,000韩元 已多次上调，最新8/5为2,750,000韩元 （285A.T） OW 54,320日元 最新8/10为130,000日元 （2408.TW） OW NT$528 最新8/9为NT$850 ： 股东回报政策对股东价值的提升 LTA提升业务（降低周期性） HBM价格谈判的 DRAM/NAND供需偏紧的 投资纪律约束下的 ：若3Q26季报未如预期宣布强力分红计划，股价可能面临短期回调 ：尽管J.P. Morgan预期偏乐观，但若客户集中度高、议价能力被削弱，实际ASP增速可能不及预期 ：若AI基础设施投资放缓或推理应用转化速度低于预期，整体bit需求增长可能不及30%+的预期 ：CXMT、YMTC等在先进制程或良率方面若有突破，可能改变当前供需格局 ：中美科技管制若进一步升级，可能影响韩国厂商的设备采购和扩产节奏 ：消费/移动需求疲软可能拖累NAND价格走势 ：若HBM替代方案（HBF等）商业化速度快于预期，可能影响现有DRAM/HBM格局 ：J.P. Morgan与本报告涉及的证券（铠侠、南亚科技、三星电子、SK海力士及其关联公司）存在投资银行业务关系、客户关系及流动性提供关系，详细披露请参考报告原文的"重要披露事项"部分。建议投资者结合多个信息来源做出独立判断。 ## 总体总结 主题正文 1. - J.P. Morgan于8月20-21日在首尔举办亚洲科技大会，与三星电子、SK海力士、铠侠、南亚科技等存储厂商及50余名投资者交流。 2. 核心要点包括：1)股东回报是投资者最关注的议题，预计三星将提出最高100% FCF回报目标（90-110万亿韩元），SK海力士有望将分红提升至累计FCF的50%以上； 3. 本报告为 于2026年8月24日发布的研究报告，内容基于8月20-21日在首尔举办的"亚洲科技大会"上与三星电子（SEC）、SK海力士（SKH）、铠侠（Kioxia，原东芝存储器）、南亚科技（NYT）四家存储厂商以及超过50名机构投资者的深度交流。 4. ：3周前FMS大会推出多款产品后，投资者对NAND业务的关注明显提升 5. ：CPU驱动需求、推理应用增长使整体DRAM bit需求增长达到（vs过去15-20%），现有供给不足仍较明显 6. **YMTC（长江存储）**的产能扩张和BiCS NAND的恶化是市场对2027年供需平衡偏保守的主要原因 7. ：若AI基础设施投资放缓或推理应用转化速度低于预期，整体bit需求增长可能不及30%+的预期 8. ：J.P. Morgan与本报告涉及的证券（铠侠、南亚科技、三星电子、SK海力士及其关联公司）存在投资银行业务关系、客户关系及流动性提供关系，详细披露请参考报告原文的"重要披露事项"部分。