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title: "【东北计算机】20260824【美光研究员警告：AI加速器性能每两年增3倍，HBM增速不足2倍或加剧内存短缺】 —————————————— 1. SK海力士称"
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# 【东北计算机】20260824【美光研究员警告：AI加速器性能每两年增3倍，HBM增速不足2倍或加剧内存短缺】 —————————————— 1. SK海力士称

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## 正文

【东北计算机】20260824【美光研究员警告：AI加速器性能每两年增3倍，HBM增速不足2倍或加剧内存短缺】
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1. SK海力士称AI时代HBM竞争转向封装技术，正研发相关封装及区域冷却技术，呼吁产业链协同优化（来源：财联社）
2. 美光HBM设计架构研究员警告，AI加速器计算性能每两年增长3倍，同期HBM发展速度还不足每两年2倍，这可能将加剧内存的短缺（来源：财联社）
3. SemiAnalysis发文称，NAND闪存制造正从钨转向钼，因为当NAND来到300层以上，钼是必选项（来源：科创板日报）
4. 受内存芯片成本上涨影响，明年年初交付、搭载英伟达部分旗舰 AI 芯片的服务器将涨价超 15%，相关代工厂商已通知微软、谷歌等大客户（来源：界面新闻）
5. 小鹏机器人业务首轮融资超9亿美元，投后估值超63亿美元（来源：财联社）
6. GE Vernova推出中压不间断电源（UPS），助力加速AI工厂及高耗能产业的建设。预计将于2027年年中开始发货，首个项目将于2027年年底通电投运（来源：财联社）

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## 总体总结

主题正文
1. 【东北计算机】20260824【美光研究员警告：AI加速器性能每两年增3倍，HBM增速不足2倍或加剧内存短缺】
2. 1. SK海力士称AI时代HBM竞争转向封装技术，正研发相关封装及区域冷却技术，呼吁产业链协同优化（来源：财联社）
3. 2. 美光HBM设计架构研究员警告，AI加速器计算性能每两年增长3倍，同期HBM发展速度还不足每两年2倍，这可能将加剧内存的短缺（来源：财联社）
4. 3. SemiAnalysis发文称，NAND闪存制造正从钨转向钼，因为当NAND来到300层以上，钼是必选项（来源：科创板日报）
5. 4. 受内存芯片成本上涨影响，明年年初交付、搭载英伟达部分旗舰 AI 芯片的服务器将涨价超 15%，相关代工厂商已通知微软、谷歌等大客户（来源：界面新闻）
6. 5. 小鹏机器人业务首轮融资超9亿美元，投后估值超63亿美元（来源：财联社）
7. 6. GE Vernova推出中压不间断电源（UPS），助力加速AI工厂及高耗能产业的建设。
8. 预计将于2027年年中开始发货，首个项目将于2027年年底通电投运（来源：财联社）
