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title: "【东吴电子陈海进】HBM链：国产算力重要物料，涨价+紧缺双重催化 事件：三星拟将NRD-K 2号研发线改建为晶圆代工产线，生产2nm HBM基础裸片。 📮观点重"
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created_at: 2026-08-18T10:08:34.719+0800
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# 【东吴电子陈海进】HBM链：国产算力重要物料，涨价+紧缺双重催化 事件：三星拟将NRD-K 2号研发线改建为晶圆代工产线，生产2nm HBM基础裸片。 📮观点重

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## 正文

【东吴电子陈海进】HBM链：国产算力重要物料，涨价+紧缺双重催化

事件：三星拟将NRD-K 2号研发线改建为晶圆代工产线，生产2nm HBM基础裸片。

📮观点重申：格局紧缺，供需缺口扩大
26H2国内厂商HBM3获取难度增加，加速国内HBM供应缺口。作为国产算力芯片重要物料，HBM需求将跟随国产算力卡出货持续放量。当前国产HBM持续布局，国产化进展不断，预计26H2有望看到国产HBM3量产，享受供需份额。

📮涨价节点将至，价格大幅提升
由于HBM产品偏定制，中间渠道环节少，涨价频率低，此前涨价普遍低于其余大宗存储产品。但我们预计HBM明年存在大幅涨价甚至翻倍的空间，一次性补涨此前涨幅。当下，建议关注HBM量产与涨价双重节点

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风险提示：行业竞争加剧、宏观经济波动导致需求不及预期

## 总体总结

主题正文
1. 事件：三星拟将NRD-K 2号研发线改建为晶圆代工产线，生产2nm HBM基础裸片。
2. 26H2国内厂商HBM3获取难度增加，加速国内HBM供应缺口。
3. 当前国产HBM持续布局，国产化进展不断，预计26H2有望看到国产HBM3量产，享受供需份额。
4. 📮涨价节点将至，价格大幅提升
5. 由于HBM产品偏定制，中间渠道环节少，涨价频率低，此前涨价普遍低于其余大宗存储产品。
6. 但我们预计HBM明年存在大幅涨价甚至翻倍的空间，一次性补涨此前涨幅。
7. 当下，建议关注HBM量产与涨价双重节点
8. 风险提示：行业竞争加剧、宏观经济波动导致需求不及预期