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title: "晶合集成跟踪更新： 长鑫扩产逻辑芯片配套存储大产业趋势已明确：国内DRAM将采用4F2+CBA方案，以解决国内无高端光刻机造成制程微缩的限制。该技术把DRAM逻"
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# 晶合集成跟踪更新： 长鑫扩产逻辑芯片配套存储大产业趋势已明确：国内DRAM将采用4F2+CBA方案，以解决国内无高端光刻机造成制程微缩的限制。该技术把DRAM逻

- 序号：286
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## 正文

晶合集成跟踪更新：
长鑫扩产逻辑芯片配套存储大产业趋势已明确：国内DRAM将采用4F2+CBA方案，以解决国内无高端光刻机造成制程微缩的限制。该技术把DRAM逻辑和存储电路分别做到两片晶圆上，再通过混合键合方式集成，有望将逻辑晶圆部分进行外包。
晶合战略地位：晶合之于合肥=新芯之于武汉，目前长存NAND所有的逻辑芯片均由新芯代工，晶合第一大股东是合肥国资委且是合肥唯一逻辑代工厂，有望承接长鑫DRAM晶圆部分的代工。与长鑫合作不只是逻辑芯片独供，未来28-30年，不管是流片量，还是合作规模，还是合作产品，超高速增长，10万片新厂规划5-6厂重点配合长鑫逻辑芯片需求。
主业产能满载持续扩产：主业DDIC占比60%，CIS 20%，电源 10%，目前稼动率接近满产，且持续扩产，制程28nm已流片，后续有望持续演进。硅光平台，绑定大客户，复制前期Cis成功路径。硅光基于epi能力，大战略客户扶持，明年出产品。Drmos，头部大客户明年量很大，整体测算下来明年几倍于今年增长。
量满价涨估值低估：公司目前开到16-17万片，一季度发了涨价函，6月份开始低毛利提高，机构测算Q2利润较大增长，Q3毛利率有机会25%以上，净利润继续环比大增。晶圆代工进入长约时代，Q2开始陆续签长约(需要提前付款)大小客户都有。
额外超预期催化：根据近期露头社信息，在政府协调下，长鑫把高技术级别的DRAM生产专利授权给晶合集成，武汉新芯，昇维旭三家企业以扩大生产，新产线搭建速度远超预期。晶合集成作为除了中芯华虹之外的晶圆代工产能国内第三名，存在较大预期差与市值弹性。海外先进制程为代表的台积电10.4倍PB，成熟制程的联电4倍PB、力积电3.6倍PB、格罗方德2.7倍PB，国内晶圆代工厂估值水平存在低估。---xz

## 总体总结

主题正文
1. 长鑫扩产逻辑芯片配套存储大产业趋势已明确：国内DRAM将采用4F2+CBA方案，以解决国内无高端光刻机造成制程微缩的限制。
2. 晶合战略地位：晶合之于合肥=新芯之于武汉，目前长存NAND所有的逻辑芯片均由新芯代工，晶合第一大股东是合肥国资委且是合肥唯一逻辑代工厂，有望承接长鑫DRAM晶圆部分的代工。
3. 与长鑫合作不只是逻辑芯片独供，未来28-30年，不管是流片量，还是合作规模，还是合作产品，超高速增长，10万片新厂规划5-6厂重点配合长鑫逻辑芯片需求。
4. 主业产能满载持续扩产：主业DDIC占比60%，CIS 20%，电源 10%，目前稼动率接近满产，且持续扩产，制程28nm已流片，后续有望持续演进。
5. Drmos，头部大客户明年量很大，整体测算下来明年几倍于今年增长。
6. 量满价涨估值低估：公司目前开到16-17万片，一季度发了涨价函，6月份开始低毛利提高，机构测算Q2利润较大增长，Q3毛利率有机会25%以上，净利润继续环比大增。
7. 额外超预期催化：根据近期露头社信息，在政府协调下，长鑫把高技术级别的DRAM生产专利授权给晶合集成，武汉新芯，昇维旭三家企业以扩大生产，新产线搭建速度远超预期。
8. 海外先进制程为代表的台积电10.4倍PB，成熟制程的联电4倍PB、力积电3.6倍PB、格罗方德2.7倍PB，国内晶圆代工厂估值水平存在低估。