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title: "【华安机械】从B300到Rubin，芯片电感赛道具备扩容逻辑 量增： 从B300到Rubin，芯片TDP从约1400W提升到2300W，对应单芯片电流从约170"
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# 【华安机械】从B300到Rubin，芯片电感赛道具备扩容逻辑 量增： 从B300到Rubin，芯片TDP从约1400W提升到2300W，对应单芯片电流从约170

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## 正文

【华安机械】从B300到Rubin，芯片电感赛道具备扩容逻辑

量增： 从B300到Rubin，芯片TDP从约1400W提升到2300W，对应单芯片电流从约1700A提升到3000A，提升幅度约80%。因此对应三次侧供电来说，单芯片对应的电相数提升幅度也接近80%。后续Rubin Ultra、Feynman芯片功率持续提升。

价升： 垂直供电架构下，被动元器件升级，对于电感来说是从单相一体成型电感升级为TLVR电感。TLVR电感底层壁垒来自于磁粉配方（高端软磁），叠加工艺制造壁垒，使得TLVR电感具备溢价，竞争缩圈。

产业现状： 目前NV系列，截至Rubin仍采用单相一体成型电感，后续若在Ultra中开始采用垂直供电架构，将开始采用TLVR电感。谷歌TPU V8、V9均有望使用TLVR电感。预计27/28年市场空间均翻倍以上增长。

➡相关标的
横店东磁 （已获谷歌TLVR电感磁芯订单、NV订单落地在即）、
铂科新材 （NV系为主）、
龙磁科技 （谷歌系为主）、
顺络电子 （TLVR、钽电容）

## 总体总结

主题正文
1. 【华安机械】从B300到Rubin，芯片电感赛道具备扩容逻辑
2. 量增： 从B300到Rubin，芯片TDP从约1400W提升到2300W，对应单芯片电流从约1700A提升到3000A，提升幅度约80%。
3. 因此对应三次侧供电来说，单芯片对应的电相数提升幅度也接近80%。
4. 价升： 垂直供电架构下，被动元器件升级，对于电感来说是从单相一体成型电感升级为TLVR电感。
5. TLVR电感底层壁垒来自于磁粉配方（高端软磁），叠加工艺制造壁垒，使得TLVR电感具备溢价，竞争缩圈。
6. 产业现状： 目前NV系列，截至Rubin仍采用单相一体成型电感，后续若在Ultra中开始采用垂直供电架构，将开始采用TLVR电感。
7. 预计27/28年市场空间均翻倍以上增长。
8. 横店东磁 （已获谷歌TLVR电感磁芯订单、NV订单落地在即）、