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title: "【中泰电子|长鑫科技】国产DRAM龙头加速打破海外垄断，LPDDR6有望H2量产导入！ [玫瑰]LPDDR6有望H2量产导入，性能与海外大厂基本持平！ 1）长鑫"
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# 【中泰电子|长鑫科技】国产DRAM龙头加速打破海外垄断，LPDDR6有望H2量产导入！ [玫瑰]LPDDR6有望H2量产导入，性能与海外大厂基本持平！ 1）长鑫

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## 正文

【中泰电子|长鑫科技】国产DRAM龙头加速打破海外垄断，LPDDR6有望H2量产导入！

[玫瑰]LPDDR6有望H2量产导入，性能与海外大厂基本持平！
1）长鑫LPDDR6已近研发验证尾声，有望26H2发布并量产导入。
2）首款设计速率12.8Gbps，与SoC协同的运行基础速率约10.7Gbps，颗粒容量16Gb，采用1295 Ball（焊球）的POP（堆叠）封装，在低功耗设计、RAS（可靠性、可用性、可维护性）功能比LPDDR5X显著优化。
性能与量产节点和海外大厂基本持平：目前三星、海力士、美光设计速率在12~14.4Gbps，普遍预期26H2量产。

[玫瑰]长鑫是国内最大、全球第四大DRAM原厂。
1）产品丰富：包括DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X等，HBM3有望26年量产。
2）产能拓展：目前合肥、北京共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，预计26年全部达产并持续提升G4（约16-17nm）销量占比。上海DRAM及HBM产线加速建设，有望于26年底/27年开始量产（产能规划预计达合肥总部的2-3倍）。

[玫瑰]AI驱动DRAM需求爆发，行业供需紧张、价格有望持续上行。
AI推理驱动存储需求指数级爆发，服务器在DRAM占比有望从2024年的38%提升至2026年的50%~60%。预计26年DRAM供需仍持续紧张，价格有望继续上涨。

[玫瑰]DRAM国产替代空间广阔，长鑫引领国产化。
26Q1 长鑫营收份额7.7%，三大原厂营收份额仍占90%，DRAM国产化率低，未来DRAM国产替代空间广阔。

风险提示：下游需求不及预期等。

[庆祝]派点请支持中泰电子：王芳/杨旭/丁贝渝/张心阳

## 总体总结

主题正文
1. 2）首款设计速率12.8Gbps，与SoC协同的运行基础速率约10.7Gbps，颗粒容量16Gb，采用1295 Ball（焊球）的POP（堆叠）封装，在低功耗设计、RAS（可靠性、可用性、可维护性）功能比LPDDR5X显著优化。
2. 性能与量产节点和海外大厂基本持平：目前三星、海力士、美光设计速率在12~14.4Gbps，普遍预期26H2量产。
3. 2）产能拓展：目前合肥、北京共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，预计26年全部达产并持续提升G4（约16-17nm）销量占比。
4. 上海DRAM及HBM产线加速建设，有望于26年底/27年开始量产（产能规划预计达合肥总部的2-3倍）。
5. [玫瑰]AI驱动DRAM需求爆发，行业供需紧张、价格有望持续上行。
6. AI推理驱动存储需求指数级爆发，服务器在DRAM占比有望从2024年的38%提升至2026年的50%~60%。
7. 预计26年DRAM供需仍持续紧张，价格有望继续上涨。
8. 26Q1 长鑫营收份额7.7%，三大原厂营收份额仍占90%，DRAM国产化率低，未来DRAM国产替代空间广阔。