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title: "📌SK 海力士将重启中国大连 NAND 闪存生产基地的二期工厂建设，使产能扩大约 50%。大连二期工厂于四年前动工，但因遭遇存储芯片市场低迷，工程长期处于停滞状"
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# 📌SK 海力士将重启中国大连 NAND 闪存生产基地的二期工厂建设，使产能扩大约 50%。大连二期工厂于四年前动工，但因遭遇存储芯片市场低迷，工程长期处于停滞状

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## 正文

📌SK 海力士将重启中国大连 NAND 闪存生产基地的二期工厂建设，使产能扩大约 50%。大连二期工厂于四年前动工，但因遭遇存储芯片市场低迷，工程长期处于停滞状态。SK 海力士计划在年底前投入半导体生产设备，并于明年上半年正式启动工厂运行。
📊据半导体业界 11 日消息，SK 海力士 (000660) 旗下的 NAND 子公司 Solidigm 已从今年上半年开始重启对大连二期工厂的投资，并重新投入建设工程。
🔧预计最早将于 11 月开始搬入生产设备，计划在明年上半年具备量产体系并开始生产 NAND 闪存。
📎据了解，新生产线的晶圆投入能力约为每月 5 万片。加上现有大连一期工厂每月 10 万片的产能，当地产能将增加约 50%。
🚀随着人工智能（AI）数据中心的扩张，公司级固态硬盘（eSSD）需求激增，导致 NAND 价格在一年内飙升近 10 倍，大连投资的时钟在时隔四年后再次转动。
📜SK 海力士于 2021 年收购英特尔 NAND 业务并成立 Solidigm，接手了大连一期工厂及地块，并于次年 5 月开始建设二期工厂。
⚠️然而，受存储芯片市场低迷以及美国对华半导体设备管制的影响，大连二期工厂此前仅完成了主体框架建设，一直未有进展。
🔄SK 海力士通过建设大连二工厂，设定了双轨制的 NAND 闪存生产及销售战略。即在大连生产基于成熟技术的低层 NAND，在清州生产尖端高层 NAND。
🧩预计大连工厂将以英特尔成熟的 NAND 器件结构 —— 浮栅（FG）技术的 100 层级 NAND 为中心提高生产率，而 300 层以上的高层 NAND 将集中在清州 M17 等韩国国内工厂生产。
💰该公司此前曾表示，将向清州 M17 厂投入 19.1 万亿韩元，于 2028 年底启用首个无尘室并生产下一代 NAND 产品。
👨‍💼业界相关人士表示：“大连二工厂计划配置与现有的一工厂相同的设备”，“据了解，其晶圆月产能将达到 4 万至 6 万片水平”。

## 总体总结

主题正文
1. 📊据半导体业界 11 日消息，SK 海力士 (000660) 旗下的 NAND 子公司 Solidigm 已从今年上半年开始重启对大连二期工厂的投资，并重新投入建设工程。
2. 🔧预计最早将于 11 月开始搬入生产设备，计划在明年上半年具备量产体系并开始生产 NAND 闪存。
3. 🚀随着人工智能（AI）数据中心的扩张，公司级固态硬盘（eSSD）需求激增，导致 NAND 价格在一年内飙升近 10 倍，大连投资的时钟在时隔四年后再次转动。
4. 📜SK 海力士于 2021 年收购英特尔 NAND 业务并成立 Solidigm，接手了大连一期工厂及地块，并于次年 5 月开始建设二期工厂。
5. ⚠️然而，受存储芯片市场低迷以及美国对华半导体设备管制的影响，大连二期工厂此前仅完成了主体框架建设，一直未有进展。
6. 🧩预计大连工厂将以英特尔成熟的 NAND 器件结构 —— 浮栅（FG）技术的 100 层级 NAND 为中心提高生产率，而 300 层以上的高层 NAND 将集中在清州 M17 等韩国国内工厂生产。
7. 💰该公司此前曾表示，将向清州 M17 厂投入 19.1 万亿韩元，于 2028 年底启用首个无尘室并生产下一代 NAND 产品。
8. 👨‍💼业界相关人士表示：“大连二工厂计划配置与现有的一工厂相同的设备”，“据了解，其晶圆月产能将达到 4 万至 6 万片水平”。