---
title: "三祥新材：海外铪价维持高位，公司铪投产在即【浙商化工&算力 杨占魁】 ⭕氧化铪基高k材料有望逐步替代传统二氧化硅 SiO2，抑制栅极隧穿漏电、控制芯片功耗，适配"
topic_id: 55522448541425524
created_at: 2026-08-06T07:48:33.760+0800
source: zsxq
type: topic
cssclasses: zsxq-vault
---

# 三祥新材：海外铪价维持高位，公司铪投产在即【浙商化工&算力 杨占魁】 ⭕氧化铪基高k材料有望逐步替代传统二氧化硅 SiO2，抑制栅极隧穿漏电、控制芯片功耗，适配

- 序号：591
- 星球链接：[打开网页](https://wx.zsxq.com/group/15522451881222/topic/55522448541425524)
- 附件：图片 0，音频 0，文档 0
- 音频文件：_无音频_

## 图片

_无图片_

## 正文

三祥新材：海外铪价维持高位，公司铪投产在即【浙商化工&算力 杨占魁】

⭕氧化铪基高k材料有望逐步替代传统二氧化硅 SiO2，抑制栅极隧穿漏电、控制芯片功耗，适配HPC/AI芯片高算力场景。据Intel Market Research， 台积电、英特尔已在7nm和5nm工艺节点中使用氧化铪基高k材料， 并计划在即将推出的3nm和2nm技术中进一步应用。同时， 氧化铪在新型存储芯片领域中已得到较好的应用并成为关键材料之一。

⭕截至8月5日， 海外铪金属价格已达到8500万元/吨（今年以来+31.7%，同比+166.5%）。鉴于燃气轮机、存储芯片、商业航天、核电站领域的铪需求已远超当前供应能力，预计铪金属涨价有望持续。2026年5月，公司锆铪分离项目现有半工业化产线已实现连续稳定生产， 产出的锆铪产品均为4N级以上产品。

风险提示：价格波动风险；下游应用不及预期风险。

## 总体总结

主题正文
1. ⭕氧化铪基高k材料有望逐步替代传统二氧化硅 SiO2，抑制栅极隧穿漏电、控制芯片功耗，适配HPC/AI芯片高算力场景。
2. 据Intel Market Research， 台积电、英特尔已在7nm和5nm工艺节点中使用氧化铪基高k材料， 并计划在即将推出的3nm和2nm技术中进一步应用。
3. 同时， 氧化铪在新型存储芯片领域中已得到较好的应用并成为关键材料之一。
4. ⭕截至8月5日， 海外铪金属价格已达到8500万元/吨（今年以来+31.7%，同比+166.5%）。
5. 鉴于燃气轮机、存储芯片、商业航天、核电站领域的铪需求已远超当前供应能力，预计铪金属涨价有望持续。
6. 2026年5月，公司锆铪分离项目现有半工业化产线已实现连续稳定生产， 产出的锆铪产品均为4N级以上产品。
7. 风险提示：价格波动风险；
8. 下游应用不及预期风险。
