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title: "高盛：内存 > 总体市场趋势（2027 年与 2026 年相比）：虽然 DRAM 和 HBM 市场的供需状况预计将比 NAND 略微趋紧——特别是在 2027"
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# 高盛：内存 > 总体市场趋势（2027 年与 2026 年相比）：虽然 DRAM 和 HBM 市场的供需状况预计将比 NAND 略微趋紧——特别是在 2027

- 序号：399
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## 正文

高盛：内存
> 总体市场趋势（2027 年与 2026 年相比）：虽然 DRAM 和 HBM 市场的供需状况预计将比 NAND 略微趋紧——特别是在 2027 年——但 NAND 市场本身在 2027 年相对于 2026 年也预计将出现更大的供应紧张。
> 2027 年峰值紧张度：所有三个细分市场的供应紧张度通常在 2027E 年达到峰值，显示出最负的供需百分比：
DRAM：在 2027E 年达到峰值紧张度 -5.9%（高于 2026E 年的 -5.0%）。
HBM：在 2027E 年达到峰值紧张度 -6.0%（高于 2026E 年的 -5.4%）。
NAND：在 2027E 年达到峰值紧张度 -4.6%（高于 2026E 年的 -4.4%）。
> 2025 年起始基准：2025 年，各市场的紧张度整体相对较低，HBM 为 -3.4%，DRAM 为 -1.4%，NAND 的紧张度最低，为 -0.6%。
> 2028 年预计缓和：到 2028E 年，所有类别的供应状况预计将较 2027 年峰值略微缓和：
DRAM：-3.9%
HBM：-4.3%
NAND：-3.0%

## 总体总结

主题正文
1. > 总体市场趋势（2027 年与 2026 年相比）：虽然 DRAM 和 HBM 市场的供需状况预计将比 NAND 略微趋紧——特别是在 2027 年——但 NAND 市场本身在 2027 年相对于 2026 年也预计将出现更大的供应紧张。
2. > 2027 年峰值紧张度：所有三个细分市场的供应紧张度通常在 2027E 年达到峰值，显示出最负的供需百分比：
3. DRAM：在 2027E 年达到峰值紧张度 -5.9%（高于 2026E 年的 -5.0%）。
4. HBM：在 2027E 年达到峰值紧张度 -6.0%（高于 2026E 年的 -5.4%）。
5. NAND：在 2027E 年达到峰值紧张度 -4.6%（高于 2026E 年的 -4.4%）。
6. > 2025 年起始基准：2025 年，各市场的紧张度整体相对较低，HBM 为 -3.4%，DRAM 为 -1.4%，NAND 的紧张度最低，为 -0.6%。
7. > 2028 年预计缓和：到 2028E 年，所有类别的供应状况预计将较 2027 年峰值略微缓和：
8. DRAM：-3.9%