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title: "【东吴电子陈海进】RDL、TSV与Bump：先进封装如何把多颗芯片“连成一颗” 📌 国内先进封装扩产正由封测产线向核心互联工艺延伸。 随着2.5D/3D、Chi"
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# 【东吴电子陈海进】RDL、TSV与Bump：先进封装如何把多颗芯片“连成一颗” 📌 国内先进封装扩产正由封测产线向核心互联工艺延伸。 随着2.5D/3D、Chi

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## 正文

【东吴电子陈海进】RDL、TSV与Bump：先进封装如何把多颗芯片“连成一颗”

📌 国内先进封装扩产正由封测产线向核心互联工艺延伸。
随着2.5D/3D、Chiplet及HBM封装需求增长，国内设备和材料厂商持续完善RDL、Bumping、TSV等工艺布局。
❓ RDL、TSV与Bump分别有什么作用？
RDL即重布线层，负责将芯片焊盘在平面重新排列和延伸；TSV是在硅片内部制作导电通孔；Bump则是芯片、中介层与基板之间的连接点。简单来说，RDL负责“横向布线”，TSV负责“上下打通”，Bump负责“界面连接”。
💡 为什么先进封装的工艺价值量更高？
传统封装的线路较粗、互联数量有限，而Chiplet和3D堆叠需要更多层RDL、更小间距凸点及更深、更密的TSV。每增加一层互联，通常都会增加光刻、刻蚀、电镀、清洗和检测等工序，对设备精度、材料纯度及套刻能力提出更高要求。
🔛 先进封装正在呈现“后道工艺前道化”。
先进封装的线宽、对准和缺陷控制要求不断向晶圆制造靠拢，封装厂的竞争也从简单组装转向完整互联工艺和量产良率。随着多芯片集成数量增加，增量价值有望由OSAT向光刻、刻蚀、电镀、清洗、CMP及封装材料环节持续传导。

📕 相关标的：
先进封装osat——通富微电、长电科技、甬矽电子、盛合晶微 、汇成股份
RDL层——芯碁微装
晶圆减薄/切割 —— 华海清科
固晶及TCB键合 —— 新益昌、深科达、快克智能
清洗/电镀/键合 —— 拓荆科技、盛美上海、芯源微、迈为股份
检测及分选 —— 长川科技、华峰测控
⚠️风险提示：先进封装扩产不及预期；Fab与OSAT分工变化带来竞争加剧；国产设备及材料导入缓慢。

## 总体总结

主题正文
1. 📌 国内先进封装扩产正由封测产线向核心互联工艺延伸。
2. 随着2.5D/3D、Chiplet及HBM封装需求增长，国内设备和材料厂商持续完善RDL、Bumping、TSV等工艺布局。
3. 简单来说，RDL负责“横向布线”，TSV负责“上下打通”，Bump负责“界面连接”。
4. 传统封装的线路较粗、互联数量有限，而Chiplet和3D堆叠需要更多层RDL、更小间距凸点及更深、更密的TSV。
5. 每增加一层互联，通常都会增加光刻、刻蚀、电镀、清洗和检测等工序，对设备精度、材料纯度及套刻能力提出更高要求。
6. 先进封装的线宽、对准和缺陷控制要求不断向晶圆制造靠拢，封装厂的竞争也从简单组装转向完整互联工艺和量产良率。
7. 随着多芯片集成数量增加，增量价值有望由OSAT向光刻、刻蚀、电镀、清洗、CMP及封装材料环节持续传导。
8. ⚠️风险提示：先进封装扩产不及预期；