---
title: "【国金电子】海力士首次覆盖 《HBM+LTA：AI存储核心受益标的》 我们认为本轮存储周期与历史周期不同的关键在于：1）需求端HBM较传统DRAM定制化属性增强"
topic_id: 22255481284212251
created_at: 2026-07-19T16:39:04.188+0800
source: zsxq
type: topic
cssclasses: zsxq-vault
---

# 【国金电子】海力士首次覆盖 《HBM+LTA：AI存储核心受益标的》 我们认为本轮存储周期与历史周期不同的关键在于：1）需求端HBM较传统DRAM定制化属性增强

- 序号：199
- 星球链接：[打开网页](https://wx.zsxq.com/group/15522451881222/topic/22255481284212251)
- 附件：图片 0，音频 0，文档 0
- 音频文件：_无音频_

## 图片

_无图片_

## 正文

【国金电子】海力士首次覆盖 《HBM+LTA：AI存储核心受益标的》

我们认为本轮存储周期与历史周期不同的关键在于：1）需求端HBM较传统DRAM定制化属性增强，较同样位元DRAM消耗更多晶圆。Token消耗量提升拉动HBM、DRAM、NAND需求共同增长；2）供给端存储厂23年下行周期亏损严重，CAPEX投入有限。AI建设持续高景气度，设备产能有望成为扩产瓶颈。

目前存储原厂与下游客户持续推进LTA（长期协议）签订。LTA有望加强与客户绑定，维持存储厂高利润率，减少存储厂商的强周期性。美光签订的SCA的价格区间中下限也可以带来超过过去周期顶点的盈利能力，上限将采用26Q2的市场价。公司作为HBM领先厂商与三大原厂之一，未来LTA占出货比例有望持续提升。

公司在AI芯片需求强相关的HBM市场市占率第一，（根据Counterpoint，26Q1市占率58%），在整体DRAM与NAND行业市占率均为第二，均仅次于三星。公司自HBM2E持续强化产品性能与迭代，在HBM4和HBM4E继续保持技术领先，与下游客户更深入合作。2026年6月公司宣布与英伟达建立技术合作，围绕英伟达AI基础设施路线图推进下一代存储，覆盖数据中心、PC、机器人等平台。公司扩产计划具备较强能见度，SK集团会长预计公司DRAM产能到2030年实现翻倍。公司高盈利能力也有望让公司通过分红、回购等方式实现股东回报。公司持续布局新兴存储技术SOCAMM、HBF等。目前美光forward

PE高于三星、海力士。本次公司共发行1.78亿ADR，每ADR对应0.1韩股，占公司股本的约2.5%，共募集资金约265亿美元，我们认为公司ADR发行有望带动公司估值折价修复。

## 总体总结

主题正文
1. 我们认为本轮存储周期与历史周期不同的关键在于：1）需求端HBM较传统DRAM定制化属性增强，较同样位元DRAM消耗更多晶圆。
2. LTA有望加强与客户绑定，维持存储厂高利润率，减少存储厂商的强周期性。
3. 美光签订的SCA的价格区间中下限也可以带来超过过去周期顶点的盈利能力，上限将采用26Q2的市场价。
4. 公司在AI芯片需求强相关的HBM市场市占率第一，（根据Counterpoint，26Q1市占率58%），在整体DRAM与NAND行业市占率均为第二，均仅次于三星。
5. 公司自HBM2E持续强化产品性能与迭代，在HBM4和HBM4E继续保持技术领先，与下游客户更深入合作。
6. 2026年6月公司宣布与英伟达建立技术合作，围绕英伟达AI基础设施路线图推进下一代存储，覆盖数据中心、PC、机器人等平台。
7. 公司扩产计划具备较强能见度，SK集团会长预计公司DRAM产能到2030年实现翻倍。
8. 本次公司共发行1.78亿ADR，每ADR对应0.1韩股，占公司股本的约2.5%，共募集资金约265亿美元，我们认为公司ADR发行有望带动公司估值折价修复。