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title: "英特尔和软银宣布：英特尔与美国家共同研发出垂直堆叠式Z型记忆体，英特尔获得该专利并与软银合作用英特尔的先进封装共同开发该产品。预计28年正式出产品，29年商用。"
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# 英特尔和软银宣布：英特尔与美国家共同研发出垂直堆叠式Z型记忆体，英特尔获得该专利并与软银合作用英特尔的先进封装共同开发该产品。预计28年正式出产品，29年商用。

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英特尔和软银宣布：英特尔与美国家共同研发出垂直堆叠式Z型记忆体，英特尔获得该专利并与软银合作用英特尔的先进封装共同开发该产品。预计28年正式出产品，29年商用。一旦该产品问世，将有可能取代现由三星，SK海力士，美光独占的HBM记忆体。

美日韩的存储因为这个，一个28年才能试用的东西。

## 总体总结

主题正文
1. 英特尔和软银宣布：英特尔与美国家共同研发出垂直堆叠式Z型记忆体，英特尔获得该专利并与软银合作用英特尔的先进封装共同开发该产品。
2. 预计28年正式出产品，29年商用。
3. 一旦该产品问世，将有可能取代现由三星，SK海力士，美光独占的HBM记忆体。
4. 美日韩的存储因为这个，一个28年才能试用的东西。