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title: "【国投证券北交所】锦华新材：长鑫催化密集落地，上游清洗材料景气预期抬升 7月9日，长鑫科技披露科创板上市招股意向书，预计于7月16日正式启动新股申购，拟募资29"
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# 【国投证券北交所】锦华新材：长鑫催化密集落地，上游清洗材料景气预期抬升 7月9日，长鑫科技披露科创板上市招股意向书，预计于7月16日正式启动新股申购，拟募资29

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## 正文

【国投证券北交所】锦华新材：长鑫催化密集落地，上游清洗材料景气预期抬升

7月9日，长鑫科技披露科创板上市招股意向书，预计于7月16日正式启动新股申购，拟募资295亿元。募资重点投向DRAM存储器技术升级（130亿元）、前瞻技术研发（90亿元）及存储器晶圆制造量产线技术升级改造（75亿元）。募投项目建成后将进一步提升先进工艺产能、优化产品结构、巩固技术研发优势，加速DDR5、LPDDR5X等高端产品的量产迭代，缩小与国际头部厂商的技术差距。产能端，长鑫存储当前在合肥、北京两地运营三座12英寸DRAM晶圆厂，当前月产能约20万片。根据SemiAnalysis预测，2026/2027/2028年月产能有望分别提升至35/42/50万片。

公司景气度与存储芯片产业挂钩，随长鑫存储产能爬坡与订单放量，公司作为上游核心材料供应商，有望显著受益于下游需求释放。产能方面，公司已启动工业化装置建设，预计2027年二季度建成投产。公司通过自主研发全新合成路线，绕开巴斯夫高风险、高能耗的传统工艺，在降低安全风险的同时，实现了更优的经济性。叠加本土化生产节省物流成本，综合生产成本较巴斯夫具备显著优势，在两长扩产规划的催化下，国产替代进程有望加速。

风险提示：下游需求不及预期，项目建设不及预期，市场竞争风险

## 总体总结

主题正文
1. 7月9日，长鑫科技披露科创板上市招股意向书，预计于7月16日正式启动新股申购，拟募资295亿元。
2. 募资重点投向DRAM存储器技术升级（130亿元）、前瞻技术研发（90亿元）及存储器晶圆制造量产线技术升级改造（75亿元）。
3. 募投项目建成后将进一步提升先进工艺产能、优化产品结构、巩固技术研发优势，加速DDR5、LPDDR5X等高端产品的量产迭代，缩小与国际头部厂商的技术差距。
4. 产能端，长鑫存储当前在合肥、北京两地运营三座12英寸DRAM晶圆厂，当前月产能约20万片。
5. 根据SemiAnalysis预测，2026/2027/2028年月产能有望分别提升至35/42/50万片。
6. 公司景气度与存储芯片产业挂钩，随长鑫存储产能爬坡与订单放量，公司作为上游核心材料供应商，有望显著受益于下游需求释放。
7. 产能方面，公司已启动工业化装置建设，预计2027年二季度建成投产。
8. 公司通过自主研发全新合成路线，绕开巴斯夫高风险、高能耗的传统工艺，在降低安全风险的同时，实现了更优的经济性。