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title: "长鑫科技IPO国产存储的Capex新周期会议要点： 1. 长鑫科技IPO基本信息及业绩情况 长鑫科技已正式启动IPO发行程序，初步询价日为2026年7月13日，"
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# 长鑫科技IPO国产存储的Capex新周期会议要点： 1. 长鑫科技IPO基本信息及业绩情况 长鑫科技已正式启动IPO发行程序，初步询价日为2026年7月13日，

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## 正文

长鑫科技IPO国产存储的Capex新周期会议要点：
1. 长鑫科技IPO基本信息及业绩情况
长鑫科技已正式启动IPO发行程序，初步询价日为2026年7月13日，申购日为2026年7月16日，拟募资约300亿元投向晶圆制造产线升级、DRAM存储器技术升级及前瞻技术研发。
2026年上半年业绩预告：预计营收1100-1200亿元，同比增长613%-677%；预计归母净利润500-570亿元，同比增长22-25倍，半年净利润可覆盖2022-2024年合计超300亿元的累计亏损。
历史财务数据：
2023-2025年营收CAGR达161%，2024、2025年营收分别为240亿元、618亿元，2025年同比增速155%。
2025年实现扭亏，归母净利润近19亿元；毛利率从2023年的-2.19%提升至2025年的41.02%，受益于高端DDR5产品放量及存储周期价格上涨。
2026年Q1营收508亿元，同比增长近720%；归母净利润近250亿元，DRAM市占率达7.7%，位列全球第四。
产能情况：现有产能利用率从87%持续提升至96%，接近满产；2025年12寸晶圆年产能273万片，为美光的76%、三星的30%；2026年底年化产能可达420万片，接近美光产能水平。
长期产能规划：预计2028年月产能达50万片，其中HBM月产能预计达10万片，占全球HBM产能约12%；长期DRAM全球市占率有望提升至17%。
2. 存储行业周期及全球产能格局
本轮存储周期核心驱动为AI算力建设，与过往消费电子主导的周期有本质区别。
全球DRAM供给格局：三星、海力士、美光三大原厂掌控90%的DRAM产能，当前将有限产能及资本开支优先投向HBM领域，未来3-5年每家HBM相关资本开支占比达60%-90%。
HBM产能挤占效应：HBM每单位比特所需晶圆产能是常规DDR5的2.5-3倍，每增加1片HBM产能将挤占3片以上常规DRAM产能，导致通用DRAM供给被结构性挤出。
HBM投入占比趋势：三大原厂HBM晶圆投入占比2025年为18%，2026年提升至22%，2027年进一步提升至30%；2027年全球DRAM新增产能约30万片，其中80%-90%的新增供给投向HBM，供需缺口推动本轮存储价格快速上涨。
海外存储厂资本开支规划：
美光：2025财年资本开支138亿美元，2026财年预计250亿美元，2026财年Q4单季度资本开支超100亿美元，预计2027财年每季度资本开支均超100亿美元，2027财年总资本开支预计超450亿美元，同比增长80%-90%。
三星、海力士：合计规划600-1000亿美元的存储领域大额投入，全球存储原厂已开启新一轮扩产周期。
国产存储双雄进展：长鑫科技启动IPO、长江存储2026年5月开启IPO辅导，双双进入大规模扩产与资本融资周期；美国对华半导体出口管制持续收紧，将推动国产设备、材料在存储产线的份额提升。
3. 半导体零部件环节
增长逻辑：
设备订单增长直接带动零部件采购需求，且核心零部件扩产需新增精密加工产线，需半年左右客户验证，供给释放周期长，供给瓶颈将放大增长弹性，业绩弹性有望高于整机环节。
海外零部件产能释放周期长，供应受限推动设备厂商导入本土供应商，国内企业同时受益于订单外溢与国产替代，且从单部件向模组化、系统化升级，可通过单机价值量提升+份额扩张进一步放大弹性。
部分耗材属性零部件（如腔体内衬、气体分配盘、刻蚀微部件等）同时受益于新增设备装机与存量机台维护更换，业绩连续性更强，下行周期韧性更高。
细分领域核心标的：
精密结构件、腔体及模组：富创精密、先锋精科、托伦斯（待上市）。
高纯流体、真空阀件、gas box：新莱应材、正帆科技（子公司鸿舸）。
射频电源及匹配器：恒运昌、英杰电气。
真空泵：中科仪、汉钟精机。
耗材类零部件：新莱应材、江丰电子、臻宝科技、神工股份。
4. 半导体材料环节
行业空间：2025年全球半导体材料市场规模达732亿美元，受益于存储补货及晶圆厂扩建，预计2030年全球晶圆投片量接近翻倍，半导体材料市场规模有望达1400-1500亿美元。
国产替代进展：已从中低端覆盖向高端突破推进，ArF光刻胶、先进制程特气等高端材料仍待攻关。
细分领域核心标的：
硅片：沪硅产业、超硅股份、西安奕斯伟、中环股份。
电子特气：广钢气体、中船特气、华特气体、金宏气体。
光刻胶：彤程新材、上海新阳、徐州博康。
CMP材料：鼎龙股份、安集科技，为当前国产化率最完善的材料环节。
5. 晶圆厂及配套环节
长鑫CBA工艺合作伙伴：长鑫自研CBA混合工艺路线，无需自研逻辑产线，可实现芯片面积缩小30%、工艺流程缩短20%，同时提升良率；长鑫负责存储晶圆制造，晶合集成负责Base Die逻辑晶圆配套，形成“DRAM存储+配套逻辑代工+先进封装”的国产HBM自主化闭环。
合作进度：已完成商务签约，一期价格、产能（含28nm、22nm产能）已锁定，第一批工程片已成功下线，光刻机已到位，后续将随长鑫产能升级逐步爬坡放量；晶合集成为当前28nm工艺独供，份额预计随扩产进一步提升。
晶合集成其他催化：2026年6月1日起全制程晶圆代工涨价，预计2026年下半年开始显著增厚利润；同时布局硅光领域、先进制程，推进国产算力底座产能建设。
先进逻辑晶圆厂价值重估：
长鑫作为先进存储标杆，其乐观市场预期将打开中芯国际、华虹公司等先进逻辑晶圆厂的远期市值天花板。
长鑫HBM产能扩张为国产算力提供充足供给保障，国产算力芯片（昇腾、海光、寒武纪等系列）2026年下半年加速放量，将提升对先进逻辑晶圆代工的需求。
行业景气：AI需求挤占产能背景下，先进及成熟制程均处于涨价通道，中芯国际、华虹公司已多次公告涨价，国产先进制造进入收获期，将通过量价提升改变Fab厂估值体系。
其他配套标的：关注参与长鑫建设的封测等环节公司，如汇成股份。
6. 风险提示
长鑫IPO及扩产进展不及预期，影响整体招标节奏。
存储价格及需求景气度低于预期，影响长鑫盈利及后续扩产规划。
国产设备、零部件导入及扩产不及预期，影响相关企业业绩增长。
海外出口管制及供应链扰动风险，贸易限制升级可能影响晶圆厂设备采购、零部件供应及先进制造推进节奏，放缓国产厂商份额提升速度。

## 总体总结

主题正文
要点：
1. 长鑫科技IPO基本信息及业绩情况
长鑫科技已正式启动IPO发行程序，初步询价日为2026年7月13日，申购日为2026年7月16日，拟募资约300亿元投向晶圆制造产线升级、DRAM存储器技术升级及前瞻技术研发。
2026年上半年业绩预告：预计营收1100-1200亿元，同比增长613%-677%；预计归母净利润500-570亿元，同比增长22-25倍，半年净利润可覆盖2022-2024年合计超300亿元的累计亏损。
历史财务数据：
2023-2025年营收CAGR达161%，2024、2025年营收分别为240亿元、618亿元，2025年同比增速155%。
2025年实现扭亏，归母净利润近19亿元；毛利率从2023年的-2.19%提升至2025年的41.02%，受益于高端DDR5产品放量及存储周期价格上涨。
2026年Q1营收508亿元，同比增长近720%；归母净利润近250亿元，DRAM市占率达7.7%，位列全球第四。
产能情况：现有产能利用率从87%持续提升至96%，接近满产；2025年12寸晶圆年产能273万片，为美光的76%、三星的30%；2026年底年化产能可达420万片，接近美光产能水平。
长期产能规划：预计2028年月产能达50万片，其中HBM月产能预计达10万片，占全球HBM产能约12%；长期DRAM全球市占率有望提升至17%。
2. 存储行业周期及全球产能格局
本轮存储周期核心驱动为AI算力建设，与过往消费电子主导的周期有本质区别。
全球DRAM供给格局：三星、海力士、美光三大原厂掌控90%的DRAM产能，当前将有限产能及资本开支优先投向HBM领域，未来3-5年每家HBM相关资本开支占比达60%-90%。
HBM产能挤占效应：HBM每单位比特所需晶圆产能是常规DDR5的2.5-3倍，每增加1片HBM产能将挤占3片以上常规DRAM产能，导致通用DRAM供给被结构性挤出。
HBM投入占比趋势：三大原厂HBM晶圆投入占比2025年为18%，2026年提升至22%，2027年进一步提升至30%；2027年全球DRAM新增产能约30万片，其中80%-90%的新增供给投向HBM，供需缺口推动本轮存储价格快速上涨。
海外存储厂资本开支规划：
美光：2025财年资本开支138亿美元，2026财年预计250亿美元，2026财年Q4单季度资本开支超100亿美元，预计2027财年每季度资本开支均超100亿美元，2027财年总资本开支预计超450亿美元，同比增长80%-90%。
三星、海力士：合计规划600-1000亿美元的存储领域大额投入，全球存储原厂已开启新一轮扩产周期。
国产存储双雄进展：长鑫科技启动IPO、长江存储2026年5月开启IPO辅导，双双进入大规模扩产与资本融资周期；美国对华半导体出口管制持续收紧，将推动国产设备、材料在存储产线的份额提升。
3. 半导体零部件环节
增长逻辑：
设备订单增长直接带动零部件采购需求，且核心零部件扩产需新增精密加工产线，需半年左右客户验证，供给释放周期长，供给瓶颈将放大增长弹性，业绩弹性有望高于整机环节。
海外零部件产能释放周期长，供应受限推动设备厂商导入本土供应商，国内企业同时受益于订单外溢与国产替代，且从单部件向模组化、系统化升级，可通过单机价值量提升+份额扩张进一步放大弹性。
部分耗材属性零部件（如腔体内衬、气体分配盘、刻蚀微部件等）同时受益于新增设备装机与存量机台维护更换，业绩连续性更强，下行周期韧性更高。
细分领域核心标的：
精密结构件、腔体及模组：富创精密、先锋精科、托伦斯（待上市）。
高纯流体、真空阀件、gas box：新莱应材、正帆科技（子公司鸿舸）。
射频电源及匹配器：恒运昌、英杰电气。
真空泵：中科仪、汉钟精机。
耗材类零部件：新莱应材、江丰电子、臻宝科技、神工股份。
4. 半导体材料环节
行业空间：2025年全球半导体材料市场规模达732亿美元，受益于存储补货及晶圆厂扩建，预计2030年全球晶圆投片量接近翻倍，半导体材料市场规模有望达1400-1500亿美元。
国产替代进展：已从中低端覆盖向高端突破推进，ArF光刻胶、先进制程特气等高端材料仍待攻关。
细分领域核心标的：
硅片：沪硅产业、超硅股份、西安奕斯伟、中环股份。
电子特气：广钢气体、中船特气、华特气体、金宏气体。
光刻胶：彤程新材、上海新阳、徐州博康。
CMP材料：鼎龙股份、安集科技，为当前国产化率最完善的材料环节。
5. 晶圆厂及配套环节
长鑫CBA工艺合作伙伴：长鑫自研CBA混合工艺路线，无需自研逻辑产线，可实现芯片面积缩小30%、工艺流程缩短20%，同时提升良率；长鑫负责存储晶圆制造，晶合集成负责Base Die逻辑晶圆配套，形成“DRAM存储+配套逻辑代工+先进封装”的国产HBM自主化闭环。
合作进度：已完成商务签约，一期价格、产能（含28nm、22nm产能）已锁定，第一批工程片已成功下线，光刻机已到位，后续将随长鑫产能升级逐步爬坡放量；晶合集成为当前28nm工艺独供，份额预计随扩产进一步提升。
晶合集成其他催化：2026年6月1日起全制程晶圆代工涨价，预计2026年下半年开始显著增厚利润；同时布局硅光领域、先进制程，推进国产算力底座产能建设。
先进逻辑晶圆厂价值重估：
长鑫作为先进存储标杆，其乐观市场预期将打开中芯国际、华虹公司等先进逻辑晶圆厂的远期市值天花板。
长鑫HBM产能扩张为国产算力提供充足供给保障，国产算力芯片（昇腾、海光、寒武纪等系列）2026年下半年加速放量，将提升对先进逻辑晶圆代工的需求。
行业景气：AI需求挤占产能背景下，先进及成熟制程均处于涨价通道，中芯国际、华虹公司已多次公告涨价，国产先进制造进入收获期，将通过量价提升改变Fab厂估值体系。
其他配套标的：关注参与长鑫建设的封测等环节公司，如汇成股份。
6. 风险提示
长鑫IPO及扩产进展不及预期，影响整体招标节奏。
存储价格及需求景气度低于预期，影响长鑫盈利及后续扩产规划。
国产设备、零部件导