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title: "[玫瑰][玫瑰][玫瑰]持续强call中国硬科技：τ定律非概念，中国半导体巨大进步【华西机械】 事件：7月3日何庭波发布韬定律V2版论文，大量关键实测量化信息正"
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# [玫瑰][玫瑰][玫瑰]持续强call中国硬科技：τ定律非概念，中国半导体巨大进步【华西机械】 事件：7月3日何庭波发布韬定律V2版论文，大量关键实测量化信息正

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## 正文

[玫瑰][玫瑰][玫瑰]持续强call中国硬科技：τ定律非概念，中国半导体巨大进步【华西机械】

事件：7月3日何庭波发布韬定律V2版论文，大量关键实测量化信息正式披露。

1、从第一性原理理解τ定律，中国大陆半导体大进步！1）我们之前反复强调，华为韬定律是中国半导体重大的进步， 核心关注点：没有EUV的情况下来，τ定律有没有带来芯片性能的提升（相比5/7nm）， 是否往先进制程去做进一步演进， 解决中国芯片进步这一工程问题！2）最新论文给出了肯定答案：较9030 Pro，麒麟2026实测238 MTr/mm²，提升+53.5%；主频+13%、功耗-41%、面积-37.5%、SRAM频率+40%！同时麒麟2027已经流片，麒麟2028/2029（流片前）！ 显然资本市场并未有效反应！

2、混合键合是τ定律核心装备，且未来量价齐升趋势明显！1）摩尔定律瓶颈在光刻机， τ定律瓶颈在于混合键合！论文明确指出，充分实现逻辑折叠优势关键在于维持混合键合层与顶层金属布线层之间的低间距比，以当前约720 nm的顶层金属间距为基准，混合键合间距应小于2 μm， 麒麟2026中出货的逻辑折叠实现是刻意保守的，混合键合间距为1.5 μm！2）在未来十年，逻辑折叠预计将从局部关键路径折叠演进到全规模多层折叠——每个封装三、四层乃至更多有源层，未来理性情况下有望达到1 μm（齿轮比约为1）， 未来混合键合设备量价齐升趋势明显！
3、中国大陆3D IC成长逻辑优于海外！1）资本市场曾诟病先进封装市场空间不大， 26年TSMC先进封装（2.5D）相关占比10-20%，驱动力主要来自于AI等。2）对中国大陆而言不止AI， 诸如手机SoC等其他高端芯片都是3D封装应用场景，例如25年智能手机出货2.85亿台，远超GPU数量级！中国大陆3D 封装的市场空间巨大，不同于海外的发展逻辑！ 3）相较2.5D封装， 3D封装单万片CAPEX将大幅提升（70-100亿）！考虑SoC等，叠加参考TSMC先进封装投资中枢占比15%，中国大陆未来3D封装的投资占比将更高，中期保守按20%， 中国大陆3D封装CAPEX将超过1500亿/年（远期将更加夸张）！

[玫瑰][玫瑰][玫瑰]投资建议：①设备端：重点推荐 拓荆科技： HB为增量设备，公司在3D NAND实现了量产，做研发和工艺拓展的超十家！领先优势明显！

长川科技：测试机是3D封装扩产采购最大设备！公司为H核心测试机供应商，τ定律按计算器最受益标的！

精测电子：星辰科技3D IC 工艺国内领先！

③ 晶圆厂： 中芯国际+华虹+燕东微！

## 总体总结

主题正文
1. 1）我们之前反复强调，华为韬定律是中国半导体重大的进步， 核心关注点：没有EUV的情况下来，τ定律有没有带来芯片性能的提升（相比5/7nm）， 是否往先进制程去做进一步演进， 解决中国芯片进步这一工程问题！
2. 2、混合键合是τ定律核心装备，且未来量价齐升趋势明显！
3. 论文明确指出，充分实现逻辑折叠优势关键在于维持混合键合层与顶层金属布线层之间的低间距比，以当前约720 nm的顶层金属间距为基准，混合键合间距应小于2 μm， 麒麟2026中出货的逻辑折叠实现是刻意保守的，混合键合间距为1.5 μm！
4. 2）在未来十年，逻辑折叠预计将从局部关键路径折叠演进到全规模多层折叠——每个封装三、四层乃至更多有源层，未来理性情况下有望达到1 μm（齿轮比约为1）， 未来混合键合设备量价齐升趋势明显！
5. 1）资本市场曾诟病先进封装市场空间不大， 26年TSMC先进封装（2.5D）相关占比10-20%，驱动力主要来自于AI等。
6. 2）对中国大陆而言不止AI， 诸如手机SoC等其他高端芯片都是3D封装应用场景，例如25年智能手机出货2.85亿台，远超GPU数量级！
7. 考虑SoC等，叠加参考TSMC先进封装投资中枢占比15%，中国大陆未来3D封装的投资占比将更高，中期保守按20%， 中国大陆3D封装CAPEX将超过1500亿/年（远期将更加夸张）！
8. [玫瑰][玫瑰][玫瑰]投资建议：①设备端：重点推荐 拓荆科技： HB为增量设备，公司在3D NAND实现了量产，做研发和工艺拓展的超十家！
