--- title: "- UBS大幅上调DRAM与NAND价格预测：3Q26 DDR合约价上调至+32% QoQ（前值+17%），4Q26上调至+18% QoQ（前值+12%）；NA" topic_id: 82255458518225542 created_at: 2026-07-06T08:05:38.860+0800 source: zsxq type: topic cssclasses: zsxq-vault --- # - UBS大幅上调DRAM与NAND价格预测：3Q26 DDR合约价上调至+32% QoQ（前值+17%），4Q26上调至+18% QoQ（前值+12%）；NA - 序号：436 - 星球链接：[打开网页](https://wx.zsxq.com/group/15522451881222/topic/82255458518225542) - 附件：图片 0，音频 0，文档 0 - 音频文件：_无音频_ ## 图片 _无图片_ ## 正文 - UBS大幅上调DRAM与NAND价格预测：3Q26 DDR合约价上调至+32% QoQ（前值+17%），4Q26上调至+18% QoQ（前值+12%）；NAND 3Q26上调至+30% QoQ（前值+17%）。预计DRAM行业供应紧张将持续至至少2Q28，2027年位需求增长36.2%远超供应增长19.3%，供需缺口为近30年最严重水平。HBM需求预测上调至2026年331亿Gb（+90% YoY）、2027年587亿Gb（+77% YoY）。预测内存行业2026/2027年营收将达9920亿/17630亿美元，2027年FCF接近1.2万亿美元。LTA谈判持续推进，DDR5目标锁定50-70%量。内存股自6月高点已回调17%，但基本面强劲，维持三星Key Call Buy及SK Hynix、美光、铠侠、南亚科Buy评级。主要风险来自超大规模客户资本开支负担能力。 UBS 7月存储芯片月度报告大幅上调了DRAM与NAND的合约价格预测，认为当前内存行业正处于前所未有的超级上行周期中。核心要点包括： ：3Q26 DDR合约价从+17% QoQ上调至+32% QoQ，4Q26从+12%上调至+18% QoQ（2Q26已大涨+67%）。NAND 3Q26从+17%上调至+30% QoQ。 ：预计DRAM行业供应紧张将持续至至少2Q28，2027年位需求增长36.2%远超供应增长19.3%，即使不考虑下游库存重建，供应充足率仍将从2026E的-8.1%恶化至-13.6%。 ：预测2026年达331亿Gb（+90% YoY），2027年达587亿Gb（+77% YoY）。 ：DDR5目标锁定50-70%量，三星和SK海力士与超大规模客户的长期合约谈判进展顺利。 ：维持三星Key Call Buy（目标价55万韩元），SK Hynix Buy（PT 320万韩元，上调）、Micron Buy（PT 1,625美元）、Kioxia Buy（PT 13.2万日元）、南亚科Buy（PT 495新台币）。 一、DRAM价格与供需展望 UBS基于行业调研大幅上调DRAM价格预测，反映了供需极度紧张的格局： 指标2Q263Q26E4Q26E2026E2027E DDR合约价QoQ +67% +32% +18% — — DDR ASP（$/Gb） 1.05 1.65 2.03 1.78 2.67 DRAM行业营收 — — — 6,916亿美元 1.248万亿美元 位供应YoY — — — +23.6% +19.3% 位需求YoY — — — +21.5% +36.2% ： 2027年需求增速（36.2%）与供应增速（19.3%）之间存在近17个百分点的缺口 即使不考虑下游库存调整，供应充足率将从2026E的-8.1%恶化至-13.6% 这是过去30年从未出现过的极端水平 AI服务器（特别是HBM）和传统服务器的强劲需求是主要驱动力 二、HBM需求预测详解 UBS将HBM行业需求预测小幅上调： ：331亿Gb（+90% YoY），前值329亿Gb ：587亿Gb（+77% YoY），前值580亿Gb ： 假设HBM采购量相当于850万颗英伟达AI GPU（2026E）和1,100万颗（2027E） 与近期CoWoS产能估计修订保持一致 Google TPU的HBM当量预估：2026年420万颗，2027年910万颗（上调） AMD和AWS的2027年HBM采购也略有上调 ： SK海力士：2024年53% → 2027年40% 三星：2024年20% → 2027年41%（大幅追赶） 美光：2024年7% → 2027年21% ： 2026E：英伟达60%、谷歌18%、亚马逊9%、AMD 7% 2027E：英伟达41%、谷歌30%（大幅提升）、AMD 13%、亚马逊7%、OpenAI 3% ：近期有关Meta可能向外部客户出售算力的报道对存储股造成短期压力，但UBS认为这只是旧资产的货币化，对HBM采购没有实质影响。 三、NAND闪存展望 NAND预测同样上调： ：+30% QoQ（前值+17%） ：+12% QoQ（维持） ：3,002亿美元（+359.7% YoY） ：5,151亿美元（+71.6% YoY） 上行周期预计持续至至少4Q27 四、LTA长期合约谈判 UBS观察到不同厂商的LTA策略存在差异： ： 设置价格"地板"和"天花板" 提供一定的灵活性 ： 约60-70%量为固定合约（5年期） 固定价格基础上加入可变成分（量和价） 三星预计3Q26前完成与多家大客户的修订LTA 重点仍是DDR5，目标锁定50-70%量 SK海力士谈判集中在大客户群，覆盖DDR5和NAND 五、市场份额与产能分析 ： 厂商20252026E2027E 三星 38.2% 37.7% 37.5% SK海力士 29.6% 30.1% 29.6% 美光 23.4% 23.4% 23.1% 南亚科 1.5% 1.4% 1.3% CXMT（长鑫） 7.0% 7.3% 8.4% ： CXMT份额持续提升（7% → 8.4%），产能从2022年的50k wpm增长至2027E的300k wpm 韩国双雄在HBM领域竞争加剧，三星份额从20%跃升至41% 六、股价回调与投资逻辑 ： 内存股自6月高点平均回调17% 部分原因可能是交易拥挤 但基本面依然强劲 ： 预计内存行业2027年FCF接近1.2万亿美元 最终将带来股东回报的跨越式提升 ： 三星：12个月远期P/BV × 长期平均ROE / 权益成本 SK海力士：12个月远期P/BV × 长期平均ROE / 权益成本 美光：SOTP估值法 UBS对覆盖的存储公司维持积极评级： 公司评级目标价备注 三星电子 550,000韩元 最优选 SK海力士 3,200,000韩元 上调（前值3,000,000） 美光 1,625美元 — 铠侠 132,000日元 — 南亚科 495新台币 — ： 行业超级周期持续性 2027年自由现金流接近1.2万亿美元 LTA合约保障价格稳定性 供需缺口在2Q28前难以缓解 ：内存价格涨幅创历史新高，超大规模客户（hyperscalers）可能需要持续从资本市场融资来支付capex，存在需求破坏的可能性。 ：若AI投资增速放缓，HBM及高密度DDR需求可能不及预期。 ：若下游客户在2H26进行库存重建，2027年的供需缺口可能比预期收窄。 ：DRAM和NAND的制程迁移（如HBM4、HBM4E）进度若慢于预期，可能影响供给端释放节奏。 ：长鑫存储等中国厂商的产能扩张速度若快于预期，可能在中期内对供给格局产生影响。 ：三星和SK海力士作为韩元资产，韩元对主要货币走强会损害盈利。 ：尽管长期周期性风险已降低（"Goldilocks scenario"），DRAM行业仍具有商品化特征，周期性回调仍可能发生。 ：三星集团在决策透明度和股东回报方面的历史问题仍需关注（尽管可能有改善）。 ## 总体总结 主题正文 1. - UBS大幅上调DRAM与NAND价格预测：3Q26 DDR合约价上调至+32% QoQ（前值+17%），4Q26上调至+18% QoQ（前值+12%）； 2. 预计DRAM行业供应紧张将持续至至少2Q28，2027年位需求增长36.2%远超供应增长19.3%，供需缺口为近30年最严重水平。 3. UBS 7月存储芯片月度报告大幅上调了DRAM与NAND的合约价格预测，认为当前内存行业正处于前所未有的超级上行周期中。 4. ：预计DRAM行业供应紧张将持续至至少2Q28，2027年位需求增长36.2%远超供应增长19.3%，即使不考虑下游库存重建，供应充足率仍将从2026E的-8.1%恶化至-13.6%。 5. ：维持三星Key Call Buy（目标价55万韩元），SK Hynix Buy（PT 320万韩元，上调）、Micron Buy（PT 1,625美元）、Kioxia Buy（PT 13.2万日元）、南亚科Buy（PT 495新台币）。 6. CXMT份额持续提升（7% → 8.4%），产能从2022年的50k wpm增长至2027E的300k wpm 7. ：内存价格涨幅创历史新高，超大规模客户（hyperscalers）可能需要持续从资本市场融资来支付capex，存在需求破坏的可能性。 8. ：三星集团在决策透明度和股东回报方面的历史问题仍需关注（尽管可能有改善）。