---
title: "华为韬定律·DUV 多重曝光 核心增量材料 核心原理：不用 EUV，靠 ArF/KrF 多重曝光堆精度 同一层芯片图形，要重复光刻 - 刻蚀 - 沉积 - 抛光"
topic_id: 45544248854884218
created_at: 2026-07-06T13:12:27.610+0800
source: zsxq
type: topic
cssclasses: zsxq-vault
---

# 华为韬定律·DUV 多重曝光 核心增量材料 核心原理：不用 EUV，靠 ArF/KrF 多重曝光堆精度 同一层芯片图形，要重复光刻 - 刻蚀 - 沉积 - 抛光

- 序号：205
- 星球链接：[打开网页](https://wx.zsxq.com/group/15522451881222/topic/45544248854884218)
- 附件：图片 0，音频 0，文档 0
- 音频文件：_无音频_

## 图片

_无图片_

## 正文

华为韬定律·DUV 多重曝光 核心增量材料
核心原理：不用 EUV，靠 ArF/KrF 多重曝光堆精度
同一层芯片图形，要重复光刻 - 刻蚀 - 沉积 - 抛光 2～4 次
所有光刻耗材、辅材、制程材料用量直接翻倍～四倍
1、最大增量（核心主线，弹性最高）
ArF/KrF 光刻胶：工序翻倍，消耗量爆增
BARC 抗反射涂层：每次曝光都要涂，纯新增增量
2、第二增量（直接翻倍）
高端相移掩膜版：一层电路拆多套 mask，Mask 数量翻倍
空白掩膜石英基板同步增量
3、第三增量（工序循环变多）
金属靶材（铜 / 钛 / 钨）：多层沉积循环
电子特气、刻蚀气体：刻蚀次数大幅增加
硬掩膜介质材料（SADP 多重曝光专属，EUV 工艺不用）
4、第四增量（平坦化刚需）
CMP 抛光液 + 抛光垫
多重曝光高低差大，每轮必须抛光，用量大幅提升
5、第五增量（湿法工序暴增）
超纯湿化学品（显影液、剥离液、清洗液、蚀刻液）
6、封装侧专属增量（韬定律逻辑折叠独有）
KrF 厚膜光刻胶、TSV、混合键合配套材料
最终弹性排序
光刻胶 / BARC ＞ 掩膜版 ＞ 靶材 / 特气 ＞ CMP 耗材 ＞ 湿电子化学品 推荐：中芯国际、龙图光罩、路维光电、南大光电、彤程新材、盛合经微、鼎龙股份、安集科技、江丰电子等

## 总体总结

主题正文
1. 华为韬定律·DUV 多重曝光 核心增量材料
2. 核心原理：不用 EUV，靠 ArF/KrF 多重曝光堆精度
3. 同一层芯片图形，要重复光刻 - 刻蚀 - 沉积 - 抛光 2～4 次
4. 1、最大增量（核心主线，弹性最高）
5. 高端相移掩膜版：一层电路拆多套 mask，Mask 数量翻倍
6. 3、第三增量（工序循环变多）
7. 6、封装侧专属增量（韬定律逻辑折叠独有）
8. 光刻胶 / BARC ＞ 掩膜版 ＞ 靶材 / 特气 ＞ CMP 耗材 ＞ 湿电子化学品 推荐：中芯国际、龙图光罩、路维光电、南大光电、彤程新材、盛合经微、鼎龙股份、安集科技、江丰电子等