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title: "📌 💡AI 需求拉动记忆体行业供需全面紧张，全球记忆体市场第三季度合约价格的上涨幅度，将大幅高于市场此前预期。 💡业内相关消息指出，三星电子已经启动第三季度 D"
topic_id: 55522422814822244
created_at: 2026-07-05T20:09:36.169+0800
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type: topic
cssclasses: zsxq-vault
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# 📌 💡AI 需求拉动记忆体行业供需全面紧张，全球记忆体市场第三季度合约价格的上涨幅度，将大幅高于市场此前预期。 💡业内相关消息指出，三星电子已经启动第三季度 D

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## 正文

📌

💡AI 需求拉动记忆体行业供需全面紧张，全球记忆体市场第三季度合约价格的上涨幅度，将大幅高于市场此前预期。
💡业内相关消息指出，三星电子已经启动第三季度 DRAM 合约价格的协商工作，旗下普通产品的目标涨价幅度最高看至 20%；NAND Flash 的价格会持续上涨，整体涨幅区间落在 35% 至 40%。
💡SK 海力士目前还没有对外公布第三季度 DRAM 合约定价，根据业内传来的消息，该公司给出的涨价幅度预计会高于三星电子。
💡行业从业者表示，2026 年记忆体市场已经完全转变为卖方市场，三星、SK 海力士、美光这三大原厂牢牢掌握产品定价的主导权力。
💡不管是 AI 服务器、智能手机、PC、汽车电子、网络设备，还是机器人等各类终端产品，生产环节全都需要依靠 DRAM 与 NAND 芯片供货。
💡一旦下游客户停止向原厂采购芯片，整机产品的出货节奏就会直接受到冲击。
💡因此即便记忆体涨价会让终端产品的生产成本大幅增加，绝大多数下游客户依旧只能接受全新的采购价格，以此保障自身芯片供应稳定。
2026 年第三季度记忆体合约价格核心信息整理
📊DRAM 品类：第三季度合约价格目标上调幅度约 20%
📊NAND Flash 品类：价格持续上涨，涨幅区间 35% 至 40%
📊市场供需现状：AI 相关需求带动行业供需持续收紧，记忆体市场整体转为卖方市场
📊价格上涨核心驱动因素：AI 服务器、云端服务商长期供货协议、战略合作协议、HBM 芯片持续抢占普通 DRAM、NAND 芯片的产能份额
📰信息来源：工商时报采访整理，制表人：李娟萍
💡业内人士分析，随着 AI 基础设施持续扩张，近几年各大云端服务商、设备制造公司都在主动和记忆体原厂签订长期供货协议以及战略合作协议。
💡这类长期协议会提前锁定未来数年的芯片供货量，直接导致现货市场的芯片供给进一步收紧，同时也提升了原厂和下游议价的底气。
💡整个记忆体行业的价格周期已经从过去短期波动的模式，转变为由中长期供需关系主导的新格局。
💡涨价浪潮不只有 DRAM，NAND Flash 的价格上涨势头也后来居上。
💡市场相关人士透露，继闪迪率先启动第三季度涨价动作之后，其余各大原厂陆续跟进调价，部分 NAND 产品的涨价幅度甚至会超过 DRAM。
💡该现象反映出市场里公司级固态硬盘、AI 存储设备、数据中心相关需求持续增长，同时各大原厂也在持续执行管控芯片供给的经营策略。
💡多家市场调研机构此前曾经预测，2026 年第三季度 DRAM 与 NAND 的合约价格会延续第二季度的上涨趋势，但涨幅相比上半年会有所收窄。
💡其中集邦咨询预估，普通规格 DRAM 第三季度合约价格环比上涨幅度约 13% 至 18%，NAND Flash 环比涨幅大约 10% 至 15%。
💡不过近期各大原厂陆续开启第三季度的价格协商工作，市场普遍判断，最终实际成交价格会高于此前机构给出的预测区间。
💡券商分析师表示，2026 年记忆体市场最大的变化，就是 AI 相关需求已经成为左右芯片价格的核心主导力量。
💡HBM 芯片持续处于供不应求的状态，2026 年下半年 HBM 每 GB 的售价，有望从第二季度约 2.2 美元大幅提升至 3.5 至 4 美元。
💡DDR5、LPDDR5X 以及公司级固态硬盘的需求同步同步增长，叠加各大头部原厂持续把产能倾斜至高端芯片产品。
💡普通规格 DRAM 与 NAND 芯片的有效供给增量十分有限，市场预判第三季度芯片价格会维持持续上涨的趋势。
💡记忆体行业当前的高盈利周期，有望延续至 2027 年。

## 总体总结

主题正文
1. 💡业内相关消息指出，三星电子已经启动第三季度 DRAM 合约价格的协商工作，旗下普通产品的目标涨价幅度最高看至 20%；
2. 2026 年第三季度记忆体合约价格核心信息整理
3. 📊价格上涨核心驱动因素：AI 服务器、云端服务商长期供货协议、战略合作协议、HBM 芯片持续抢占普通 DRAM、NAND 芯片的产能份额
4. 💡该现象反映出市场里公司级固态硬盘、AI 存储设备、数据中心相关需求持续增长，同时各大原厂也在持续执行管控芯片供给的经营策略。
5. 💡多家市场调研机构此前曾经预测，2026 年第三季度 DRAM 与 NAND 的合约价格会延续第二季度的上涨趋势，但涨幅相比上半年会有所收窄。
6. 💡其中集邦咨询预估，普通规格 DRAM 第三季度合约价格环比上涨幅度约 13% 至 18%，NAND Flash 环比涨幅大约 10% 至 15%。
7. 💡券商分析师表示，2026 年记忆体市场最大的变化，就是 AI 相关需求已经成为左右芯片价格的核心主导力量。
8. 💡DDR5、LPDDR5X 以及公司级固态硬盘的需求同步同步增长，叠加各大头部原厂持续把产能倾斜至高端芯片产品。
