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title: "制冷剂贡献超长期业绩支撑，含氟半导体材料提供高速利润增长 制冷剂：制冷剂在配额制下具备穿越周期能力，三代制冷剂均价自2023年底来从约2万元上涨至突破6万元，利"
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# 制冷剂贡献超长期业绩支撑，含氟半导体材料提供高速利润增长 制冷剂：制冷剂在配额制下具备穿越周期能力，三代制冷剂均价自2023年底来从约2万元上涨至突破6万元，利

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## 正文

制冷剂贡献超长期业绩支撑，含氟半导体材料提供高速利润增长

制冷剂：制冷剂在配额制下具备穿越周期能力，三代制冷剂均价自2023年底来从约2万元上涨至突破6万元，利润中枢与利润率水平快速上涨。需求端在厄尔尼诺、全球变暖、欧洲极端高温等背景下中长期保持增长。替代品角度看，四代制冷剂无法实现大空间独立制冷，需与三代制冷剂混合使用，预计三代制冷剂将享受超长价格上涨周期与生存寿命。

高端含氟聚合物：（1）PTFE：英伟达启动M10 CCL材料测试，AI服务器承载了海量算力信号传输，CCL材料必须具有极低的介电损耗因子，PTFE凭借介电常数低至2.0-2.1、介电损耗低至10-4-10-5量级，为介电性能最优异树脂，成为M10体系备选树脂方案之一。（2）PFA：广泛用于半导体晶圆清洗、刻蚀管路、高纯试剂输送等关键环节。巨化股份拥有1万吨超纯PFA产能，5月初首批合格产品完成首单发货。邵武永和3000吨高纯PFA项目已于2025 年10月进入试生产阶段。
此外，国产半导体级FKM/FFKM、半导体级PVDF、高端FEP、ETFE、PFSA等将成为下一发展重点。

含氟特气：三星、海力士进入新一轮大额资本开支，利好上游电子材料需求增长。此外由于算力芯片、HBM、3D NAND先进节点、多层堆叠使单位晶圆耗气量上升，电子气体需求增长将形成晶圆扩产*单位耗气量提升的乘数效应。含氟特气如六氟丁二烯可提升刻蚀精度与效率，为先进存储刻蚀所需；六氟化钨可用于先进逻辑、DRAM、3D NAND气相沉积钨导体膜等。

含氟湿电子化学品：电子级氢氟酸用于晶圆精密清洗、湿法精准刻蚀等，无水氢氟酸是生产电子级氢氟酸主要原料。据中国台湾经济日报1日报道，业内传出，台积电、三星、SK海力士都在抢购电子级氢氟酸，原料价格上涨带动电子级氢氟酸成本垫高，部分供货商已陆续调涨售价，涨幅约二至三成。此外BOE是缓冲氧化物蚀刻液，是氢氟酸和氟化铵的混合物，使其在蚀刻过程中更加稳定和可控。

建议关注：
巨化股份（制冷剂配额全球龙头、高端氟聚合、含氟冷却液）
东岳集团（制冷剂配额龙头、高端氟聚合、含氟特气）
三美股份（制冷剂配额龙头、含氟湿电子化学品）
昊华科技（制冷剂配额龙头、高端氟聚合、含氟特气）
永和股份（制冷剂配额领先、高端氟聚合、含氟冷却液）

## 总体总结

主题正文
1. 制冷剂贡献超长期业绩支撑，含氟半导体材料提供高速利润增长
2. 制冷剂：制冷剂在配额制下具备穿越周期能力，三代制冷剂均价自2023年底来从约2万元上涨至突破6万元，利润中枢与利润率水平快速上涨。
3. 替代品角度看，四代制冷剂无法实现大空间独立制冷，需与三代制冷剂混合使用，预计三代制冷剂将享受超长价格上涨周期与生存寿命。
4. 高端含氟聚合物：（1）PTFE：英伟达启动M10 CCL材料测试，AI服务器承载了海量算力信号传输，CCL材料必须具有极低的介电损耗因子，PTFE凭借介电常数低至2.0-2.1、介电损耗低至10-4-10-5量级，为介电性能最优异树脂，成为M10体系备选树脂方案之一。
5. 此外，国产半导体级FKM/FFKM、半导体级PVDF、高端FEP、ETFE、PFSA等将成为下一发展重点。
6. 含氟特气：三星、海力士进入新一轮大额资本开支，利好上游电子材料需求增长。
7. 此外由于算力芯片、HBM、3D NAND先进节点、多层堆叠使单位晶圆耗气量上升，电子气体需求增长将形成晶圆扩产*单位耗气量提升的乘数效应。
8. 据中国台湾经济日报1日报道，业内传出，台积电、三星、SK海力士都在抢购电子级氢氟酸，原料价格上涨带动电子级氢氟酸成本垫高，部分供货商已陆续调涨售价，涨幅约二至三成。