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title: "0629六氟丁二烯告急 先进逻辑芯片：14nm及以下节点（7nm、5nm、3nm FinFET）必须使用六氟丁二烯 3D NAND闪存：200+层高堆叠存储器的"
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# 0629六氟丁二烯告急 先进逻辑芯片：14nm及以下节点（7nm、5nm、3nm FinFET）必须使用六氟丁二烯 3D NAND闪存：200+层高堆叠存储器的

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## 正文

0629六氟丁二烯告急

先进逻辑芯片：14nm及以下节点（7nm、5nm、3nm FinFET）必须使用六氟丁二烯
3D NAND闪存：200+层高堆叠存储器的微 首发公众号：思维纪要社 米级深孔刻蚀
HBM高带宽显存：AI芯片配套的核心刻蚀材料
高端DRAM：电容器、深沟槽高精度刻蚀

28nm以上成熟工艺可用CF₄、C₄F₈替代，14nm及以下先进节点必须用六氟丁二烯。

全球仅3家企业能量产5N高纯六氟丁二烯：昊华科技（中国）、日本关东电化、德国林德。

## 总体总结

主题正文
1. 0629六氟丁二烯告急
2. 先进逻辑芯片：14nm及以下节点（7nm、5nm、3nm FinFET）必须使用六氟丁二烯
3. 3D NAND闪存：200+层高堆叠存储器的微 首发公众号：思维纪要社 米级深孔刻蚀
4. HBM高带宽显存：AI芯片配套的核心刻蚀材料
5. 高端DRAM：电容器、深沟槽高精度刻蚀
6. 28nm以上成熟工艺可用CF₄、C₄F₈替代，14nm及以下先进节点必须用六氟丁二烯。
7. 全球仅3家企业能量产5N高纯六氟丁二烯：昊华科技（中国）、日本关东电化、德国林德。