--- title: "存储超级周期或将持续至2027甚至2030年 美光科技（Micron）强劲的业绩和指引表明，存储行业的超级周期或芯片短缺状况可能会持续到2027年，甚至延伸至2" topic_id: 22255212258441111 created_at: 2026-06-26T09:16:50.885+0800 source: zsxq type: topic cssclasses: zsxq-vault --- # 存储超级周期或将持续至2027甚至2030年 美光科技（Micron）强劲的业绩和指引表明，存储行业的超级周期或芯片短缺状况可能会持续到2027年，甚至延伸至2 - 序号：230 - 星球链接：[打开网页](https://wx.zsxq.com/group/15522451881222/topic/22255212258441111) - 附件：图片 0，音频 0，文档 0 - 音频文件：_无音频_ ## 图片 _无图片_ ## 正文 存储超级周期或将持续至2027甚至2030年 美光科技（Micron）强劲的业绩和指引表明，存储行业的超级周期或芯片短缺状况可能会持续到2027年，甚至延伸至2030年。这主要得益于AI驱动的需求激增以及供应端的结构性紧张。 长期协议（LTA）普及使行业周期性减弱且盈利能力增强 大型科技公司和OEM厂商与存储芯片制造商之间签订了更多的长期协议（LTA）。这种模式类似于台湾晶圆代工厂的业务模式，能够锁定平均售价（ASP），使行业周期性减弱，并确保持续的高盈利能力。 新建晶圆厂面临多重障碍，产能扩张受限 建设新的“壳厂”（shell fabs）并不容易，面临高昂的建设成本、地方政府监管、电力和水资源供应等问题。即使在2028年，晶圆产能的扩张也将受到限制，因为大量洁净室需用于旧工厂升级，制造周期延长，前端和后端设备尺寸增大，先进芯片良率较低，且HBM与传统DRAM的生产比例较高。 自由现金流（FCF）显著增加，尽管资本支出翻倍 尽管资本支出（Capex）较正常周期增加了一倍以上，但存储芯片制造商的自由现金流仍在显著增加。美光指出HBM4销售额已达10亿美元，并在全球多地（美国、中国台湾、新加坡、日本）建设新厂，同时下达了大量EUV订单。 上调2026-2028年全球存储销售预测 基于美光强劲的ASP表现（特别是2026年5月季度末）及指引，美银将2026-2028年全球DRAM和NAND的销售预测上调了2-4%。预计2026年下半年及2027-2028年的位元增长率将略高，但年增长率仍低于20%。由于LTA基于销售的增加，ASP将不再强劲上涨。 事实依据 美光业绩与指引：美光5月季度销售额达410亿美元，同比增长346%；毛利率85%，营业利润率81%。对8月季度指引为50亿美元，环比增长约21%。12 韩国半导体出口强劲：韩国6月前20天半导体出口同比增长188%，已连续五个月实现三位数增长。3 价格趋势：DRAM现货价格连续五周上涨（累计上涨20%），而NAND价格软化（下跌5%）。16Gb DDR5现货价格约为46.7美元，16Gb DDR4约为71.6美元。45 HBM需求爆发：服务器（尤其是使用HBM的AI系统）现在占DRAM总需求的一半以上。预计2026年HBM销售额将达到770亿美元，同比增长122%。67 资本支出结构：2026年三大DRAM制造商的资本支出将增长，但其中包含大量非晶圆厂设备支出（如厂房、公用设施）。常规DRAM和NAND的支出相对谨慎。89 陈述总结 本报告深入分析了美光科技最新财报对亚洲存储芯片行业的影响，核心观点在于存储行业的超级周期具有持续性。美银认为，得益于AI需求的强劲推动和供应端的严格纪律，存储芯片短缺可能持续至2027年甚至2030年。 行业结构性变化：长期协议（LTA）的广泛采用正在改变行业生态，使其更类似晶圆代工模式，降低了周期性波动并提升了盈利确定性。同时，由于建设新厂面临成本高、监管严、资源受限等挑战，加之先进制程（如HBM）对洁净室和设备的高要求，未来几年晶圆产能扩张将受到显著限制。 财务与市场预期：尽管资本支出大幅增加以支持HBM和新厂建设，但厂商的自由现金流依然强劲。美银据此上调了2026-2028年全球DRAM和NAND的销售预测，主要驱动力来自更高的ASP假设（尽管LTA可能抑制后续涨幅）和略高的出货量增长。值得注意的是，DRAM现货价格已创多年新高，而NAND价格近期有所软化。 HBM的核心地位：HBM已成为增长引擎，预计2026年市场规模达770亿美元，2027年达1350亿美元。三星、SK海力士和美光是主要受益者，其中三星在HBM领域的市场份额和盈利能力有望通过向非美国数据中心和大科技公司供货而进一步提升。 ## 总体总结 主题正文 1. 即使在2028年，晶圆产能的扩张也将受到限制，因为大量洁净室需用于旧工厂升级，制造周期延长，前端和后端设备尺寸增大，先进芯片良率较低，且HBM与传统DRAM的生产比例较高。 2. 美光指出HBM4销售额已达10亿美元，并在全球多地（美国、中国台湾、新加坡、日本）建设新厂，同时下达了大量EUV订单。 3. 预计2026年下半年及2027-2028年的位元增长率将略高，但年增长率仍低于20%。 4. 预计2026年HBM销售额将达到770亿美元，同比增长122%。 5. 资本支出结构：2026年三大DRAM制造商的资本支出将增长，但其中包含大量非晶圆厂设备支出（如厂房、公用设施）。 6. 本报告深入分析了美光科技最新财报对亚洲存储芯片行业的影响，核心观点在于存储行业的超级周期具有持续性。 7. 美银据此上调了2026-2028年全球DRAM和NAND的销售预测，主要驱动力来自更高的ASP假设（尽管LTA可能抑制后续涨幅）和略高的出货量增长。 8. HBM的核心地位：HBM已成为增长引擎，预计2026年市场规模达770亿美元，2027年达1350亿美元。