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title: "存储：利基存储涨价有望持续超预期，持续重点关注板块机会 核心观点： 本轮存储行情正从HBM/服务器DRAM，向利基DRAM、NOR、SLCNAND、MLCNAN"
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created_at: 2026-06-18T13:18:37.387+0800
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# 存储：利基存储涨价有望持续超预期，持续重点关注板块机会 核心观点： 本轮存储行情正从HBM/服务器DRAM，向利基DRAM、NOR、SLCNAND、MLCNAN

- 序号：183
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## 正文

存储：利基存储涨价有望持续超预期，持续重点关注板块机会
核心观点：

本轮存储行情正从HBM/服务器DRAM，向利基DRAM、NOR、SLCNAND、MLCNAND等细分品类扩散。AI服务器、SOCAMM、AIPC、AINAS等新增需求持续抬升容量与带宽要求，而原厂产能持续向HBM、DDR5、高端NAND倾斜，导致利基存储供给更加刚性，价格上行和利润弹性有望持续超预期。

利基存储涨价超预期，Q3有望继续强化

--NOR：受汽车、工控、AI终端、模组等需求拉动，供给偏紧，价格持续上行

--SLCNAND/MLCNAND：国际大厂持续退出或降低资源投入，供给收缩明显，工控、网通、车载等需求具备刚性

--利基DRAM：DDR3/DDR4供给持续收缩，原厂产能转向HBM/DDR5，低容量与成熟制程产品缺货加剧

--利基存储不是简单补库存，而是“供给退出+需求刚性+价格重估”的结构性机会

AIPC/SOCAMM打开端侧新增量，存储需求被进一步放大

--英伟达VeraCPU相关SOCAMM需求带来额外内存增量，市场对AICPU-DRAM需求的认知正在上修

--AIPC、本地大模型、离线推理、AINAS等场景，对高容量、高带宽、低功耗存储提出更高要求

--端侧AI不是单纯拉动算力芯片，也会同步拉动LPDDR、SSD、嵌入式存储、主控与模组需求

--从云端AI到端侧AI，存储正在从“配套品”升级为决定体验和性能的关键硬件

大存储周期上行，有望进一步挤压利基供给

--HBM扩产持续消耗DRAM晶圆产能，通用DRAM供给被动压缩

--原厂资本开支优先投向HBM、DDR5、企业级SSD，高容量主流产品优先级高于利基产品

--DDR4/DDR3/NOR/SLCNAND等成熟产品扩产意愿弱，供需弹性远小于价格弹性

--大存储涨价和长约锁产能，正在强化整个存储产业链的价格中枢

估值逻辑：从周期修复走向业绩上修+估值重估

--Q1部分涨价已开始反映至业绩端，Q2/Q3随着价格进一步传导，利基存储公司利润弹性有望超预期释放

--过去市场担忧存储周期波动，但当前LTA、供给约束、AI需求持续性正在削弱周期下行担忧

--利基存储公司有望从“周期反弹”逐步切换至“业绩超预期上修+估值重估”逻辑

建议关注：

存储设计：兆易创新、北京君正、普冉股份、东芯股份、聚辰股份、澜起科技等

主控/模组/分销：联芸科技、江波龙、佰维存储、德明利、朗科科技、香农芯创、中电港、大普微等

联系人：天风电子李泓依

## 总体总结

_暂无总结_