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title: "【莱伯泰科】供货H和SMIC 1 晶圆产线:随着先进制程向7nm以下推进，晶圆、电子化学品、电子特气、靶材等材料对金属杂质控制要求提升至PPT级(万亿分之一)，"
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# 【莱伯泰科】供货H和SMIC 1 晶圆产线:随着先进制程向7nm以下推进，晶圆、电子化学品、电子特气、靶材等材料对金属杂质控制要求提升至PPT级(万亿分之一)，

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## 正文

【莱伯泰科】供货H和SMIC

1 晶圆产线:随着先进制程向7nm以下推进，晶圆、电子化学品、电子特气、靶材等材料对金属杂质控制要求提升至PPT级(万亿分之一)，传统光谱技术检测限不足，ICP-MS凭借极低检测限和多元素同步检测能力，成为半导体痕量金属检测主流方案。

2 玻璃基板:金属杂质会显善破坏玻璃基板的绝缘性与介电稳定性，还会对CTE(热膨胀系数)产生影响。从显示玻璃向半导体封装级玻璃升级，对材料性能要求成倍提升，ICP-MS成为玻璃基板良率的关键量测环节。

## 总体总结

主题正文
1. 【莱伯泰科】供货H和SMIC
2. 1 晶圆产线:随着先进制程向7nm以下推进，晶圆、电子化学品、电子特气、靶材等材料对金属杂质控制要求提升至PPT级(万亿分之一)，传统光谱技术检测限不足，ICP-MS凭借极低检测限和多元素同步检测能力，成为半导体痕量金属检测主流方案。
3. 2 玻璃基板:金属杂质会显善破坏玻璃基板的绝缘性与介电稳定性，还会对CTE(热膨胀系数)产生影响。
4. 从显示玻璃向半导体封装级玻璃升级，对材料性能要求成倍提升，ICP-MS成为玻璃基板良率的关键量测环节。