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title: "- SK海力士将受益于2027年HBM价格大幅上涨（HBM4E接近3.5美元/Gb），同时DDR/NAND合约价格在2026年下半年也有望环比提升。公司HBM占"
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# - SK海力士将受益于2027年HBM价格大幅上涨（HBM4E接近3.5美元/Gb），同时DDR/NAND合约价格在2026年下半年也有望环比提升。公司HBM占

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## 正文

- SK海力士将受益于2027年HBM价格大幅上涨（HBM4E接近3.5美元/Gb），同时DDR/NAND合约价格在2026年下半年也有望环比提升。公司HBM占比高，新增强LTA协议提升ROE和现金流，预计2026-2027年盈利将大幅超出市场预期。UBS上调目标价至300万韩元，维持买入评级，认为当前估值未完全反映结构性盈利改善和强劲自由现金流。

本报告由UBS（瑞银）发布，对SK海力士（000660.KS）给予评级，12个月目标价从225万韩元上调至（较当前2,070,000韩元有约45%上行空间）。核心驱动因素：
：HBM4E（2027年）定价接近3.5美元/Gb，HBM4约3.0美元/Gb，带动2027年HBM混合ASP同比上升62%（此前预测56%）。
：DDR和NAND合约价格（非LTA部分）预计3Q26环比增长17%、4Q26环比增长12%，受益于Agentic AI拉动需求。
：SK集团目标到2030年DRAM产能翻倍至约90万片/月；大连NAND工厂到2027年底将从7.5万片/月扩至9万片/月。资本开支大幅上调。
：2026/2027年EPS分别上调7%/19%，2028-2030年平均上调17%，远超VA共识预期（2026年OP高出24%，2027年高出52%）。

1. 内存需求持续强劲，供给端仍偏紧
UBS认为，正在多个维度拉动内存需求，不仅限于HBM，还包括DDR5/LPDDR5（用于传统服务器和AI服务器CPU节点）以及NAND闪存（用于KV Cache和存储）。预计：
DRAM bit终端消费：2026年同比增长21%，2027年加速至36%。
NAND闪存：2026年+20%，2027年+23%。
供给端，增量晶圆产能几乎全部转向HBM，NAND亦无新增产能（除中国外），因此供需关系持续偏紧。主要风险在于行业整体收入规模（2027年接近1.6万亿美元）的可承受性。
2. HBM市场份额研判
SK海力士在HBM领域仍将保持领先，但份额或小幅下降：
2026年：预计占HBM bit出货量的（行业第一）。
2027年：略低于三星，预估39%（三星41%、美光20%）。
HBM产能到2026年底达23万片/月，2027年底27万片/月；2026年HBM出货量同比+40%，2027年+30%。
3. 中国制造布局存在不确定性，但可通过龙仁基地弥补
SK海力士在中国无锡的DRAM工厂未来可能无法获得EUV光刻工具（用于1b纳米制程），存在逐步减产可能。大连NAND工厂可升级至230层，但浮栅路线图此后不明确。（可容纳4座36-37万片/月的晶圆厂）将弥补中国产能退出带来的缺口。
4. 近催化剂
预计将推出**ADR（美国存托凭证）**及配套的股票回购计划。
2026年7月24日左右（月度智能手机销量数据、定价谈判最终化、GPU需求更新等）可能迎来正面催化剂。

UBS采用，给予3.67倍NTM P/B（此前3.57倍），基于长期ROE假设42.3%（此前40.1%），股权成本11.5%（此前11.3%），得出目标价300万韩元。
当前股价2,070,000韩元，对应2026年P/E约5.9倍、P/B约4.1倍；2027年P/E仅3.2倍、P/B约1.9倍。UBS认为：
结构性的高DRAM盈利能力（2026-2027年OP margin超80%）。
强劲的自由现金流生成（FCF yield 2027年达24.7%）。
显著提升的股东回报（2027年股息率2.5%，叠加回购）。

：尽管行业集中度提升，但DRAM和NAND仍具大宗商品属性，价格可能快速下跌。
：如AI需求不及预期，内存供需可能逆转。
：资本开支大幅增加可能导致后续折旧压力。
：地缘政治可能导致设备进口受限，影响中国工厂运营。
：长期可能需向新存储技术（非硅基）过渡。
：三星和美光在HBM领域追赶，可能侵蚀SK海力士份额。

## 总体总结

主题正文
1. - SK海力士将受益于2027年HBM价格大幅上涨（HBM4E接近3.5美元/Gb），同时DDR/NAND合约价格在2026年下半年也有望环比提升。
2. 公司HBM占比高，新增强LTA协议提升ROE和现金流，预计2026-2027年盈利将大幅超出市场预期。
3. UBS上调目标价至300万韩元，维持买入评级，认为当前估值未完全反映结构性盈利改善和强劲自由现金流。
4. 本报告由UBS（瑞银）发布，对SK海力士（000660.KS）给予评级，12个月目标价从225万韩元上调至（较当前2,070,000韩元有约45%上行空间）。
5. ：DDR和NAND合约价格（非LTA部分）预计3Q26环比增长17%、4Q26环比增长12%，受益于Agentic AI拉动需求。
6. ：2026/2027年EPS分别上调7%/19%，2028-2030年平均上调17%，远超VA共识预期（2026年OP高出24%，2027年高出52%）。
7. UBS认为，正在多个维度拉动内存需求，不仅限于HBM，还包括DDR5/LPDDR5（用于传统服务器和AI服务器CPU节点）以及NAND闪存（用于KV Cache和存储）。
8. UBS采用，给予3.67倍NTM P/B（此前3.57倍），基于长期ROE假设42.3%（此前40.1%），股权成本11.5%（此前11.3%），得出目标价300万韩元。