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title: "❗❗【强推中船特气|6】半导体3D化、高深宽比化、垂直化趋势拉动六氟化钨需求，重视中船特气！ 🚀🚀重视存储大周期。海力士宣布未来五年内存产能翻倍(容量增速更大)"
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# ❗❗【强推中船特气|6】半导体3D化、高深宽比化、垂直化趋势拉动六氟化钨需求，重视中船特气！ 🚀🚀重视存储大周期。海力士宣布未来五年内存产能翻倍(容量增速更大)

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## 正文

❗❗【强推中船特气|6】半导体3D化、高深宽比化、垂直化趋势拉动六氟化钨需求，重视中船特气！

🚀🚀重视存储大周期。海力士宣布未来五年内存产能翻倍(容量增速更大)，英伟达推出AI PC，存储边界继续扩大！外围股市存储标的不断创新高，过去两周三星(+33%)、美光(+43%)、闪迪(+32%)、铠侠(+74%)，六氟化钨作为存储最有弹性的环节， 持续深度推荐！

玫瑰核心观点：六氟化钨（WF₆）是半导体制造中沉积钨（W）的核心前驱体，主要用于CVD/W-CVD工艺，广泛应用于接触孔（Contact Plug）、通孔（Via）、部分DRAM字线及各类高深宽比结构填充。钨作为最成熟的深孔金属填充材料， 只要半导体持续向3D化、高深宽比化、垂直化发展，WF₆需求均会持续增长！

下游多种趋势利于六氟化钨放量——
玫瑰NAND：1）3D NAND持续向300+层演进，层数提升将带动WF₆单片消耗量结构性增长；
2）String stacking（双stack、三stack）趋势下，通道连接、接触形成及高深宽比钨填充步骤增加；
3）HBF较普通NAND拥有更多stack、垂直互连及高AR结构，进一步强化NAND高层化与3D化趋势，消耗更多钨。

玫瑰DRAM：1）DRAM capacitor持续深孔化，高深宽比结构加工难度提升，带动接触孔、字线等钨相关沉积需求增加；
2）DDR5/HBM推动TSV及先进封装互连需求增长，增加高深宽比金属沉积相关工艺步骤。

玫瑰逻辑芯片：1）GAA/nanosheet时代接触结构复杂化，contact数量及沉积循环增加，推动WF₆用量提升；
2）先进节点BEOL RC delay恶化，局部钨互连应用增加，提升单颗芯片中的钨相关结构占比。

## 总体总结

主题正文
1. 外围股市存储标的不断创新高，过去两周三星(+33%)、美光(+43%)、闪迪(+32%)、铠侠(+74%)，六氟化钨作为存储最有弹性的环节， 持续深度推荐！
2. 玫瑰核心观点：六氟化钨（WF₆）是半导体制造中沉积钨（W）的核心前驱体，主要用于CVD/W-CVD工艺，广泛应用于接触孔（Contact Plug）、通孔（Via）、部分DRAM字线及各类高深宽比结构填充。
3. 钨作为最成熟的深孔金属填充材料， 只要半导体持续向3D化、高深宽比化、垂直化发展，WF₆需求均会持续增长！
4. 玫瑰NAND：1）3D NAND持续向300+层演进，层数提升将带动WF₆单片消耗量结构性增长；
5. 2）String stacking（双stack、三stack）趋势下，通道连接、接触形成及高深宽比钨填充步骤增加；
6. 玫瑰DRAM：1）DRAM capacitor持续深孔化，高深宽比结构加工难度提升，带动接触孔、字线等钨相关沉积需求增加；
7. 2）DDR5/HBM推动TSV及先进封装互连需求增长，增加高深宽比金属沉积相关工艺步骤。
8. 玫瑰逻辑芯片：1）GAA/nanosheet时代接触结构复杂化，contact数量及沉积循环增加，推动WF₆用量提升；